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      FGB40N60SM 600V 40A 場截止IGBT

      數據：

      飛兆半導體的場截止第二代IGBT新系列采用的是新穎的電場截止型IGBT技術，為低導通和開關損耗的焊接和PFC應用提供最優性能。
      特性
      • 最大結溫T J = 175°C
      • 正溫度系數，易于并聯運行
      • 高電流能力
      • 低飽和電壓：V CE（sat） = 1.9V（典型值）@ I C = 40A
      • 快速開關：E OFF = 6.5uJ / A
      • 緊密的參數分布
      • 符合RoHS標準
      • 僅紅外回流焊
      應用
      • 其他工業

      電路圖、引腳圖和封裝圖




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