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      FGAF20N60SMD 600V 20A 場截止IGBT

      數據：

      飛兆半導體的新型場截止第 2 代IGBT系列采用創新型場截止IGBT技術，為消費類電器，運動控制和家用電器等低導通和開關損耗至關重要的應用提供最佳性能。
      特性
      • 最大結溫T J = 175°C
      • 正溫度系數，易于并聯運行
      • 高電流能力
      • 低飽和電壓：V CE（sat） = 1.7 V（典型值）@ I C = 20A
      • 高輸入阻抗
      • 快速開關：E OFF = 7uJ / A
      • 緊密的參數分布
      • 符合RoHS標準
      應用
      • 消費型設備
      • 運動控制 - 家用設備

      電路圖、引腳圖和封裝圖




      技術文檔

      數據手冊（1） 相關資料（2）
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