TLC272和TLC277精密雙運算放大器結合了多種輸入失調電壓等級，具有低失調電壓漂移，高輸入阻抗，低噪聲和高速度接近通用BiFET器件的那些。

這些器件使用的是德州儀器公司的硅柵LinCMOS ??該技術可提供遠遠超過傳統金屬柵極工藝穩定性的偏移電壓穩定性。

極高的輸入阻抗，低偏置電流和高壓擺率使這些經濟高效的器件非常適用于以前的應用保留用于BiFET和NFET產品。提供四種偏移電壓等級（C后綴和I后綴類型），范圍從低成本TLC272（10 mV）到高精度TLC277（500 uV）。這些優勢與良好的共模抑制和電源電壓抑制相結合，使這些器件成為新的最先進設計以及升級現有設計的理想選擇。

一般情況下， LinCMOS上有許多與雙極技術相關的功能？運算放大器沒有雙極技術的功率損失。 TLC272和TLC277可輕松設計一般應用，如換能器接口，模擬計算，放大器模塊，有源濾波器和信號緩沖。這些器件還具有低電壓單電源供電，非常適合遠程和難以接近的電池供電應用。共模輸入電壓范圍包括負軌。

提供多種封裝選項，包括用于高密度系統應用的小外形和芯片載體版本。

器件輸入和輸出設計用于承受100 mA的浪涌電流而不會出現閂鎖現象。

TLC272和TLC277內置ESD保護電路，可防止電壓高達2000 V時出現功能故障。在MIL-STD-883C，方法3015.2下測試;但是，在處理這些器件時應小心，因為暴露于ESD可能會導致器件參數性能下降。

C-suffix器件的特點是工作溫度范圍為0°C至70°C。 I后綴器件的特點是在40°C至85°C的溫度范圍內工作。 M后綴器件的特點是可在55°C至125°C的整個軍用溫度范圍內工作。