• 高帶寬數據路徑（最高500 MHz ）
• 器件上電或掉電的5 V容差I /O
• 低和平導通電阻（r） _on ）特征超出工作范圍（r _on = 4 典型的）
• 數據I /O端口上的軌到軌切換
  • 0至5V切換使用3.3VV _CC < /li>
  • 0~3.3V切換2.5V _CC
• 雙向數據流，近零傳播延遲
• 低輸入/輸出電容可最大限度地減少負載和信號失真（C _io（OFF ）= 3.5 pF典型值）
• 快速開關頻率（f _OE =最大20 MHz）
• 數據和控制輸入提供下沖鉗位二極管
• 低功耗（I _CC = 0.7 mA典型值）
• V _CC 工作范圍從2開始。 3 V至3.6 V
• 數據I /O支持0至5 V信號電平（0.8 V，1.2 V，1.5 V，1.8 V，2.5 V，3.3 V，5 -V）
• 控制輸入可由TTL或5 V /3.3 V CMOS輸出驅動
• I _off 支持部分關斷模式操作
• 閂鎖性能超過每JESD 78 mA，Class II
• 每個JESD測試的ESD性能22
  • 2000-V人體模型（A114- B，II類）
  • 1000V充電器件型號（C101）
• 支持數字和模擬應用：差分信號接口，存儲器交錯，總線隔離，低失真信號門控

有關CB3Q系列性能特性的更多信息，請參考TI應用報告 CBT-C，CB3T和CB3Q信號開關系列，文獻編號SCDA008。