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常見的逆變
焊機(jī)有mos管逆變
焊機(jī)，
igbt逆變
焊機(jī)，可控硅逆變
焊機(jī)等等?？煽毓?b class="flag-6" style="color: red">焊機(jī)是指機(jī)器內(nèi)使用可控硅的電
焊機(jī)，（因?yàn)榭煽毓枘?/div>
2012-07-09 10:21:16
集成是固態(tài)電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)，將類似且互補(bǔ)的功能匯集到單一器件中的能力驅(qū)動(dòng)著整個(gè)行業(yè)的發(fā)展。隨著封裝、晶圓處理和光刻技術(shù)的發(fā)展，功能密度不斷提高，在物理尺寸和功率兩方面都提供了更高能效的方案。對(duì)產(chǎn)品
2020-10-28 09:10:17
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結(jié)構(gòu)
2021-03-07 08:47:04
功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價(jià)值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個(gè)重要方面：降低損耗最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇有效的散熱通過機(jī)電元件
2022-11-07 06:45:10
，上世紀(jì)80年代即出現(xiàn)了分布式電源系統(tǒng)，致使可以采用小型電源組件供給單個(gè)電路板安裝。例如，提供桌面?zhèn)€人計(jì)算機(jī)的開關(guān)電源具備了200W功率，輸出電壓為5V和12V，效率為80%，封裝功率密度為1W/in3
2016-01-18 10:27:02
中紅外激光功率密度探測(cè)單元的研制
摘要:采用室溫光導(dǎo)型ＨｇＣｄＴｅ探測(cè)器，研制了可用于中紅外激光功率密度測(cè)量的探測(cè)單元，主要包括衰減片、探測(cè)器
2010-04-28 16:05:36
11 用改進(jìn)的PQFN器件一對(duì)一替換標(biāo)準(zhǔn)SO-8 MOSFET可提升總體工作效率。電流處理能力也能夠得以增強(qiáng)，并實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。在以并聯(lián)方式使用的傳統(tǒng)MOSFET應(yīng)用中，采用增強(qiáng)型封裝(如PQFN和DirectFET)的最新一代器件可用單個(gè)組件代替一個(gè)并聯(lián)的組件對(duì)。
2011-03-09 09:13:02
6854 電裝在汽車展會(huì)“人與車科技展2012”（2012年5月23～25日）上展出了輸出功率密度高達(dá)60kW/L的逆變器，并公開了其性能參數(shù)等。該逆變器的體積為0.5L，輸出功率為30kW時(shí)，輸出功率密度為
2012-05-28 10:08:562455 貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 為首家分銷Infineon TRENCHSTOP? 5 S5絕緣柵雙極型晶體管 （IGBT） 的全球分銷商。此新一代超薄晶圓TRENCHSTOP
2015-12-14 17:47:342932 高功率密度逆變電源研制，有需要的下來看看
2016-03-25 13:57:2020 基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術(shù)，英飛凌推出全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 ，針對(duì)工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行芯片優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)更高功率密度與更優(yōu)的開關(guān)特性。
2018-06-21 10:10:4413292 TI高功率密度電源設(shè)計(jì)中的散熱解決方案-上篇
2018-08-24 00:10:003829 設(shè)計(jì)超高功率密度的小功率AC-DC電源
2018-08-16 01:30:008383 設(shè)計(jì)超高功率密度的小功率AC-DC電源
2019-05-13 06:21:005835 
開關(guān)型電源（SMPS）在通常便攜式計(jì)算機(jī)中占總重量的10%以上，因此，廠商們致力于提高功率密度和效率。
2020-10-02 16:23:009660 功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價(jià)值不容忽視。 為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個(gè)重要方面： 降低損耗 最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇 有效的散熱 通過
2020-10-20 15:01:151461 功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價(jià)值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個(gè)重要方面：降低損耗，最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇，有效的散熱，通過機(jī)電
2020-11-19 15:14:0011 基于系統(tǒng)效率和功率密度發(fā)展趨勢(shì)示意圖，我們可以清晰的看出，在最近的十年間系統(tǒng)的效率和功率密度有了巨大的提升，尤其以服務(wù)器和通信電源為顯著。這一巨大的提升是如何實(shí)現(xiàn)的呢？它主要是通過嘗試新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
2021-03-12 09:46:343467 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度.doc》資料免費(fèi)下載
2023-12-06 14:39:00308 功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價(jià)值不容忽視。
為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個(gè)重要方面：
降低損耗
最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇
有效
2022-01-14 17:10:262448 在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關(guān)頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更高功率密度，軟開關(guān)和變壓器漏感能量回收變得不可或缺。
2022-03-31 09:26:453366 
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2022-05-31 09:47:063204 
提高功率密度的路線圖從降低傳導(dǎo)動(dòng)態(tài)損耗開始。與碳化硅相比，氮化鎵可以顯著降低動(dòng)態(tài)損耗，因此可以降低整體損耗。因此，這是未來實(shí)現(xiàn)高功率密度的一種方法。
2022-07-26 10:18:461154 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《240W高功率密度高效LLC電源.zip》資料免費(fèi)下載
2022-08-09 14:21:5468 功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡(jiǎn)介
2022-10-31 08:23:243 一般電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)以質(zhì)量功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià)，電機(jī)本體以有效比功率指標(biāo)評(píng)價(jià)，逆變器以體積功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià)；一般乘用車動(dòng)力系統(tǒng)以功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià)，而商用車動(dòng)力系統(tǒng)以扭矩密度指標(biāo)評(píng)價(jià)。
2022-10-31 10:11:216554 用氮化鎵重新考慮功率密度
2022-11-01 08:27:301 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）電源模塊功率密度越來越高是行業(yè)趨勢(shì)，每一次技術(shù)的進(jìn)步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，電源模塊的尺寸會(huì)越來越小。功率密度不斷提高的好處
2022-12-26 07:15:022251 功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2023-02-06 14:24:203472 
對(duì)于電源管理應(yīng)用程序而言，功率密度的定義似乎非常簡(jiǎn)單：它指的是轉(zhuǎn)換器的額定（或標(biāo)稱）輸出功率除以轉(zhuǎn)換器所占體積，如圖1所示。
2023-03-23 09:27:491978 
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 隨著科技發(fā)展和環(huán)境保護(hù)的要求，電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率變得越來越重要。圖騰柱PFC作為提高大功率單相輸入電源的效率和功率密度的重要拓?fù)湟彩艿搅嗽S多人的關(guān)注。那么利用圖騰柱PFC如何在
2023-04-13 00:30:041447 
在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時(shí)也會(huì)帶來巨大的性能提升。比如，在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時(shí)，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢(shì)，能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:272254 
800 V 架構(gòu)降低了損耗，該行業(yè)還需要尺寸縮小但輸出功率增加的逆變器，實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)超硅（Si）基技術(shù)（如 IGBT）能力的功率密度。
2023-05-20 16:00:232401 
氮化鎵（GaN）是用于在干擾器中構(gòu)建RF功率放大器（PA）的主要技術(shù)。GaN 具有獨(dú)特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場(chǎng)比其他射頻半導(dǎo)體技術(shù)高 20 倍。這不僅是GaN的高溫可靠性的原因，也是功率密度能力的原因。因此，GaN使干擾設(shè)備能夠滿足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:092071 
為什么提高功率密度是轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員的重要目標(biāo)？不論是數(shù)據(jù)中心服務(wù)器等能源密集型系統(tǒng)，還是道路上越來越智能的車輛，為其供電的電源轉(zhuǎn)換電路需要能夠在更小的空間內(nèi)處理更大的功率。真的就是那么簡(jiǎn)單。
2023-07-08 11:14:001409 IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導(dǎo)致的熱應(yīng)力，良好的熱管理對(duì)于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。新能源汽車電機(jī)控制器是典型的高功率密度部件，且功率密度隨著對(duì)新能源汽車性能需求的提高仍在
2023-08-23 09:33:233280 
封裝的功率密度上限。目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域：1200VP7模塊首發(fā)型號(hào)有以下兩個(gè)：相比于以前的IGBT4或IGBT5產(chǎn)品，新的IGBT7產(chǎn)品進(jìn)一步拓展了PrimePACK封
2023-09-14 08:16:101726 
和功率密度方面有了很大的提高，但效率已成為一個(gè)有待解決的重要問題。另外，早期應(yīng)用的故障率遠(yuǎn)高于預(yù)期。高壓LED 照明面臨的主要挑戰(zhàn)是繼續(xù)提高功率密度和效率，并提升可靠性和經(jīng)濟(jì)性，以滿足未來應(yīng)用需求。本文將介紹寬帶隙 （GaN） 技術(shù)，以及該技
2023-10-03 14:26:001305 
主體結(jié)構(gòu)采用SPM的結(jié)構(gòu)，極槽布置布置采用：12極18槽，最高轉(zhuǎn)速20000rpm，功率密度52.43kW/L，磁鋼型蛤采用：N50，硅鋼材料采用：Arnon 5
2023-10-08 10:48:511469 
未來對(duì)電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進(jìn)一步提高。輸出功率應(yīng)適應(yīng)不同終端客戶的不同項(xiàng)目。同時(shí)，變流器仍需具有成本競(jìng)爭(zhēng)力。本文展示了新型4.5kV功率模塊如何在鐵路、中壓驅(qū)動(dòng)或電力系統(tǒng)等應(yīng)用中滿足這些變流器要求。
2023-10-17 10:50:311820 
提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:382051 
通過GaN電機(jī)系統(tǒng)提高機(jī)器人的效率和功率密度
2023-11-29 15:16:271263 
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:281096 
采用IGBT7高功率密度變頻器的設(shè)計(jì)實(shí)例
2023-12-05 15:06:062056 
功率半導(dǎo)體冷知識(shí)：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:451652 
在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和優(yōu)化中，功率密度是一個(gè)不容忽視的指標(biāo)。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:072526 
AP9523高功率密度5V/2.5A模塊電源方案
2023-12-25 13:36:421807 
? 在處理激光光學(xué)時(shí)，功率和能量密度是需要理解的兩個(gè)重要概念。這兩個(gè)術(shù)語(yǔ)經(jīng)?；Q使用，但含義不同。表1定義了與激光光學(xué)相關(guān)的功率密度、能量密度和其他相關(guān)術(shù)語(yǔ)。 表1：用于描述激光束和其他電磁輻射
2024-03-05 06:30:223778 
）是一種功率電子器件，具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降和快速開關(guān)特性。IGBT焊機(jī)利用IGBT器件的這些特性，通過精確控制電流和電壓，實(shí)現(xiàn)對(duì)焊接過程的高效控制。 二、IGBT焊機(jī)驅(qū)動(dòng)波形的重要性 焊接質(zhì)量 ：驅(qū)動(dòng)波形直接影響焊接電流的穩(wěn)定性和一致性，從而影響焊
2024-07-25 10:37:073072 第七代工業(yè)IGBT模塊已成功開發(fā)用于650V和1200V級(jí)，以滿足高效率、高功率密度和高可靠性等重要電力電子系統(tǒng)要求。與低損耗第七代芯片組結(jié)合的SLC技術(shù)在熱循環(huán)能力、無“泵出故障”封裝和低熱阻
2024-08-01 10:58:011505 
Transistor）是一種絕緣柵雙極型晶體管，具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開關(guān)速度等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT焊機(jī)是一種利用IGBT作為主要功率器件的焊接設(shè)備，具有高效、節(jié)能、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)。 二、IGBT焊機(jī)驅(qū)動(dòng)電壓的作用 IGBT焊機(jī)的驅(qū)動(dòng)電壓是指控制IGBT開關(guān)狀態(tài)的電壓信號(hào)。驅(qū)動(dòng)電壓的高低、
2024-08-07 15:58:123436 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPS25981-提高功率密度.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-08-26 09:34:041 新品D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列，是采用額定電壓為1200V的IGBT7S7芯片，器件采用D2PAK
2024-11-14 01:03:501615 本文是德州儀器（Texas Instruments）發(fā)布的關(guān)于有源鉗位反激控制器（UCC28780）的應(yīng)用簡(jiǎn)報(bào)，介紹了其在提高功率密度方面的優(yōu)勢(shì)，主要內(nèi)容包括： *附件：源鉗位反激控制器
2024-12-17 16:42:361605 
電感器，能夠顯著提高功率密度，使其與最先進(jìn)的替代品相媲美，同時(shí)保持巨大的性能優(yōu)勢(shì)。多相耦合電感器在繞組之間具有反向耦合，能夠在每個(gè)相的電流中實(shí)現(xiàn)電流紋波的消除。這一優(yōu)
2024-12-23 14:07:421371 
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