DDR的拓撲結構有哪些

　　DDR簡介

　　（1）DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態隨機存儲器。嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫，即同步動態隨機存取存儲器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。

　　（2）SDRAM在一個時鐘周期內只傳輸一次數據，它是在時鐘的上升期進行數據傳輸;而DDR內存則是一個時鐘周期內傳輸兩次次數據，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數據，因此稱為雙倍速率同步動態隨機存儲器。DDR內存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達到更高的數據傳輸率。

　　（3）與SDRAM相比：DDR運用了更先進的同步電路，使指定地址、數據的輸送和輸出主要步驟既獨立執行，又保持與CPU完全同步;DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延時鎖定回路提供一個數據濾波信號)技術，當數據有效時，存儲控制器可使用這個數據濾波信號來精確定位數據，每16次輸出一次，并重新同步來自不同存儲器模塊的數據。DDR本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數據，因而其速度是標準SDRAM的兩倍。從外形體積上DDR與SDRAM相比差別并不大，他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳，比SDRAM多出了16個針腳，主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等信號。DDR內存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標準，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標準。

　　(4)目前市面上常用的DDR內存包括DDR（即DDR1）、DDR2、DDR3內存。DDR內存采用了雙倍并發，即雙倍速內存，同核心頻率下，速度是SDRAM內存的2倍；DDR2內存采用了四倍并發，即四倍速內存，同核心頻率下，速度是DDR內存的2倍，SDRAM內存的4倍；DDR3內存采用了八倍并發，即八倍速內存，同核心頻率下，速度是DDR2內存的2倍，DDR內存的4倍，SDRAM內存的8倍。舉例而言，如核心頻率為133MHz的SDRAM內存，其實際工作頻率也是133MHz；而核心頻率為133MHz的DDR內存，其實際工作頻率為133MHz X2=266MHz，即DDR 266MHz內存；而核心頻率為133MHz的DDR2內存，其實際工作頻率為133MHz X4=533MHz，即DDR2 533MHz內存；而核心頻率為133MHz的DDR3內存，其實際工作頻率為133MHz X8=1066MHz，即DDR3 1066MHz內存。

　　我們在處理DDR部分的時候都會進行一個拓撲的選擇，一般DDR有T點和Fly-by兩種拓撲結構，那么這兩種拓撲結構的應用場景和區別有哪些呢？

　　T點拓撲結構：CPU出來的信號線經過一個過孔后分別向兩邊進行連接,分叉點一般在信號的中心位置

　　Fly-by拓撲結構：通常是信號從芯片出來之后先經過第一個信號點如何再經過第二個信號點依次連接下去，直至結束

　　站在我們布線及等長的角度下來說：一般還是建議采用Fly-by拓撲結構，T點在等長時候不太好處理，那么我們在板子空間充足的情況下盡量是考慮T點拓撲結構，這樣信號線的長度也會更短，能更好的保證信號的質量，一般我們在四片及四片一下DDR的時候采用T點和Fly-by都是可以的，如果超過四片DDR建議還是采用Fly-by拓撲結構，或者采用T點DDR頂底貼進行一個處理，頂底貼的兩片DDR采用T點連接，連接之后再把線拉到DDR的對稱中心處進行T點連接。

　　站在我們的時序要求角度來說：我們要看DDR是否支持讀寫平衡，如果不支持讀寫平衡的情況下 ，那么我們就不可以采用Fly-by拓撲結構，采用T點結構的好處在于時序信號能同時到達，而采用Fly-by拓撲結構時，支持讀寫平衡的DDR即使在你不能同時到達的情況下，也可以再內部進行一個調整。