當(dāng)你使用3.3V的單片機(jī)的時候，電平轉(zhuǎn)換就在所難免了，經(jīng)常會遇到3.3轉(zhuǎn)5V或者5V轉(zhuǎn)3.3V的情況，這里介紹一個簡單的電路，他可以實(shí)現(xiàn)兩個電平的相互轉(zhuǎn)換（注意是相互哦，雙向的，不是單向的?。?。電路十分簡單，僅由3個電阻加一個MOS管構(gòu)成，電路圖如下：

上圖中，S1，S2為兩個信號端，VCC_S1和VCC_S2為這兩個信號的高電平電壓。另外限制條件為：

1，VCC_S1《=VCC_S2.

2，S1的低電平門限大于0.7V左右（視NMOS內(nèi)的二極管壓降而定）。

3，Vgs《=VCC_S1.

4，Vds《=VCC_S2

對于3.3V和5V/12V等電路的相互轉(zhuǎn)換，NMOS管選擇AP2306即可。原理比較簡單，大家自行分析吧！ 此電路我已在多處應(yīng)用，效果很好。

電路原理類似這種：

電路說明如下：

電平轉(zhuǎn)換器的操作

在電平轉(zhuǎn)換器的操作中要考慮下面的三種狀態(tài)：

1 沒有器件下拉總線線路?！暗碗妷骸辈糠值目偩€線路通過上拉電阻Rp 上拉至3.3V。 MOS-FET 管的門極和源極都是3.3V， 所以它的VGS 低于閥值電壓，MOS-FET 管不導(dǎo)通。這就允許“高電壓”部分的總線線路通過它的上拉電阻Rp 拉到5V。 此時兩部分的總線線路都是高電平，只是電壓電平不同。

2 一個3.3V 器件下拉總線線路到低電平。MOS-FET 管的源極也變成低電平，而門極是3.3V。 VGS上升高于閥值，MOS-FET 管開始導(dǎo)通。然后“高電壓”部分的總線線路通過導(dǎo)通的MOS-FET管被3.3V 器件下拉到低電平。此時，兩部分的總線線路都是低電平，而且電壓電平相同。

3 一個5V 的器件下拉總線線路到低電平。MOS-FET 管的漏極基底二極管“低電壓”部分被下拉直到VGS 超過閥值，MOS-FET 管開始導(dǎo)通?！暗碗妷骸辈糠值目偩€線路通過導(dǎo)通的MOS-FET 管被5V 的器件進(jìn)一步下拉到低電平。此時，兩部分的總線線路都是低電平，而且電壓電平相同。

這三種狀態(tài)顯示了邏輯電平在總線系統(tǒng)的兩個方向上傳輸，與驅(qū)動的部分無關(guān)。狀態(tài)1 執(zhí)行了電平轉(zhuǎn)換功能。狀態(tài)2 和3 按照I2C 總線規(guī)范的要求在兩部分的總線線路之間實(shí)現(xiàn)“線與”的功能。

除了3.3V VDD1 和5V VDD2 的電源電壓外，還可以是例如：2V VDD1 和10V VDD2。 在正常操作中，VDD2必須等于或高于VDD1（ 在開關(guān)電源時允許VDD2 低于VDD1）。