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• 發布了文章 2025-12-31 18:04

  橢偏儀在半導體的應用|不同厚度m-AlN與GaN薄膜的結構與光學性質

  

  Ⅲ族氮化物半導體是紫外至可見光發光器件的關鍵材料。傳統c面取向材料因極化電場導致量子限制斯塔克效應，降低發光效率。采用半極性（如m面）生長可有效抑制該效應，尤其(11-22)取向在實現高銦摻入InGaN量子阱方面優勢顯著。然而，半極性薄膜在異質外延中面臨晶體質量差、應力各向異性等挑戰。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非接觸對薄膜的厚度與折射率的高精度表征，廣

  GaN 半導體 薄膜

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• 發布了文章 2025-12-29 18:03

  臺階儀在光電材料中的應用：基于AZO薄膜厚度均勻性表征的AACVD工藝優化

  

  鋁摻雜氧化鋅（AZO）作為一種高性能透明導電氧化物，在光電子和能源器件中具有廣泛應用前景。目前，基于氣溶膠輔助化學氣相沉積（AACVD）技術制備AZO薄膜的研究多采用氮氣等惰性氣體作為載氣，而對具有氧化活性的氧氣作為載氣的系統性研究明顯缺乏，這限制了對沉積氣氛與薄膜性能間關聯機制的深入理解。Flexfilm探針式臺階儀可以實現表面微觀特征的精準表征與關鍵參數

  光電材料 薄膜

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• 發布了文章 2025-12-26 18:02

  橢偏儀在半導體的應用|不同厚度c-AlN外延薄膜的結構和光學性質

  

  隨著半導體器件向高溫、高頻、高功率方向發展，氮化鋁（AlN）等寬禁帶半導體材料的外延質量至關重要。薄膜的厚度、界面粗糙度、光學常數及帶隙溫度依賴性直接影響器件性能。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非接觸對薄膜的厚度與折射率的高精度表征，廣泛應用于薄膜材料、半導體和表面科學等領域。本文基于光譜橢偏技術，結合X射線衍射、拉曼光譜等方法，系統研究了c面藍寶石襯底上

  半導體 薄膜

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• 發布了文章 2025-12-24 18:04

  晶圓多層膜的階高標準：實現20–500nm無金屬、亞納米級臺階精度

  

  在集成電路檢測中，高光學對比度的晶圓級階高標準對提升自動圖像識別的精度至關重要。傳統基于單層Si-SiO?薄膜的階高標準在低臺階高度下對比度不足，通常需借助金屬鍍層增強信號，但這會引入污染風險。Flexfilm探針式臺階儀可以實現表面微觀特征的精準表征與關鍵參數的定量測量，精確測定樣品的表面臺階高度與膜厚，為材料質量把控和生產效率提升提供數據支撐。本研究提出

  晶圓 測量

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• 發布了文章 2025-12-22 18:04

  光學膜厚測量技術對比：光譜反射法vs橢偏法

  

  在現代高科技產業如半導體和新能源領域，厚度低于一微米的薄膜被廣泛應用，其厚度精確測量是確保器件性能和質量控制的核心挑戰。面對超薄、多層、高精度和非破壞性的測量需求，傳統的接觸式或破壞性方法已難以勝任。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非接觸對薄膜的厚度與折射率的高精度表征，廣泛應用于薄膜材料、半導體和表面科學等領域。為解決這一難題，以光譜反射法(SR)和光譜橢

  光學 光譜 測量

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• 發布了文章 2025-12-19 18:04

  表面粗糙度測量技術選型：臺階儀與光學輪廓儀對比分析

  

  表面粗糙度作為材料表面的微觀幾何特征，深刻影響著摩擦、密封、熱傳遞、腐蝕及生物相容性等重要功能性能，其精確評估是實現工業質量控制和性能優化的基礎。然而，現有的測量技術體系面臨著兩難選擇：傳統的接觸式方法（如觸針輪廓術）雖被廣泛采用，但存在劃傷樣品、無法用于軟質材料的風險；而各種非接觸光學等方法雖避免了損傷，卻往往受限于設備成本高、操作復雜或對特定表面條件敏感

  測量 表面輪廓儀

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• 發布了文章 2025-12-17 18:02

  橢偏儀微區成像光譜測量：精準表征二維ReS?/ReSe?面內雙折射率Δn≈0.22

  

  二維過渡金屬硫族化合物ReS?和ReSe?因其晶體結構中的“錸鏈”而具備顯著的面內光學各向異性，在偏振敏感光電器件中展現出重要潛力。然而，其微米級樣品在可見光波段沿不同晶軸的關鍵光學參數（如折射率、消光系數）尚缺乏系統的定量表征，傳統光譜橢偏儀因空間分辨率不足而難以實現微區精確測量。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非接觸對薄膜的厚度與折射率的高精度表征，廣泛

  測量 薄膜

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• 發布了文章 2025-12-15 18:03

  臺階儀在刻蝕工藝RIE中的應用：關鍵參數精確調控與表面粗糙度控制

  

  InP-on-Si（IMOS）作為一種新興的光子集成平臺，因其能夠將高性能有源與無源光子器件異質集成在硅基電路之上而備受關注。然而，隨著波導尺寸的急劇縮小，光場與波導表面的相互作用顯著增強，導致刻蝕工藝引入的側壁與底面粗糙度成為制約傳播損耗的主要因素。同時，為實現緊湊的光路設計與低偏振串擾，要求刻蝕剖面具有近乎垂直的側壁形貌。同時，為實現緊湊的光路設計與低偏

  刻蝕工藝 測量儀器

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• 發布了文章 2025-12-12 18:03

  橢偏儀在薄膜光學表征中的應用：實現25.5%EQE的穩定電致發光二極管

  

  膠體量子阱（CQWs）因其發光波長可調、譜線窄、光致發光量子產率高及穩定性優異，被視為新一代發光材料。其準二維結構產生強烈的垂直量子限域效應，同時保持面內激子離域特性，從而形成取向化的躍遷偶極矩，顯著增強了光輸出耦合能力，理論上外量子效率可接近40%。然而，要實現具有主導水平偶極取向的CQW薄膜的大面積可控制備，目前仍是巨大挑戰。Flexfilm全光譜橢偏儀

  光學 發光二極管 薄膜

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• 發布了文章 2025-12-10 18:04

  MEMS制造中的臺階測量：原理、技術及其在工藝監控中的關鍵作用

  

  隨著微機電系統（MEMS）器件向微型化、高深寬比發展，其內部微細臺階結構的精確測量成為保障器件性能的關鍵環節。然而，現有測量手段面臨兩難選擇：非接觸式方法（如光學干涉、原子力顯微鏡）往往設備昂貴、操作復雜或對樣品有特定限制；而傳統接觸式臺階儀雖簡單可靠，但其探針測量力較大，易劃傷MEMS中常見的軟質材料（如硅片），Flexfilm探針式臺階儀可以實現表面微觀

  mems 測量 監控

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