動態

• 發布了文章 2026-01-26 18:03

  橢偏儀在Al?O?光波導材料中的應用：基于200mmCMOS工藝的低損耗集成技術

  

  集成光子學的發展推動著信息處理與傳感技術的革新，但其廣泛應用受制于一個核心矛盾：不同應用場景需要工作在特定波長的光，而主流光子材料平臺難以在紫外至可見光全波段同時實現低損耗與CMOS工藝兼容。具體而言，硅材料在紫外波段損耗高、透明窗口有限；新興的氮化硅平臺在藍光與紫外區域的損耗也顯著上升。然而，量子信息處理（如離子阱量子比特操控）和高端傳感（如紫外拉曼光譜）

  CMOS 光波 材料

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• 發布了文章 2026-01-23 18:02

  臺階儀在PET復合膜中的應用：非晶ZnO膜厚測量與界面效應表征

  

  在材料科學研究中，特別是涉及低維材料與氧化物復合的薄膜體系，界面的微觀結構與形貌直接影響其宏觀光電性能。精確表征薄膜的厚度與表面形貌是連接制備工藝與性能分析的基礎環節。Flexfilm探針式臺階儀可以實現表面微觀特征的精準表征與關鍵參數的定量測量，精確測定樣品的表面臺階高度與膜厚，為材料質量把控和生產效率提升提供數據支撐。本研究采用真空熱蒸發技術在柔性PET

  測量 膜厚

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• 發布了文章 2026-01-21 18:11

  橢偏儀在AR光學薄膜制備中的應用：高折射率與膜厚測量

  

  隨著增強現實（AR）技術在消費電子、醫療及工業等領域的快速發展，市場對高性能光學元件的需求日益迫切。高折射率光學組件是實現設備輕薄化、擴大視場、提升沉浸感的關鍵。金屬氧化物雖具有高折射率、高透過率和良好的穩定性，是理想材料，但其傳統制造方法——如氣相沉積工藝復雜、成本高昂，溶膠-凝膠法則需高溫處理，易導致基板不匹配、表面缺陷等問題，嚴重制約了AR光學元件的規

  Ar 測量 薄膜

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• 發布了文章 2026-01-19 18:01

  臺階儀在QLED的應用：分子前體溶液法制備的金屬硫化物薄膜形貌與厚度表征

  

  量子點發光二極管（QLED）作為新一代顯示與照明技術，其性能高度依賴于電子傳輸層（ETL）與空穴注入層（HIL）的材料特性。傳統有機材料及某些過渡金屬氧化物（如ZnO、MoO?）由于電阻率高、空穴濃度低等限制，性能提升有限。金屬硫化物具有組成多樣、帶隙可調、導電性良好等優勢，在光電器件中展現出巨大潛力。Flexfilm探針式臺階儀可以實現表面微觀特征的精準表

  QLED 薄膜

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• 發布了文章 2026-01-16 18:04

  光刻膠液體吸收行為的橢圓偏振對比研究

  

  在浸沒式光刻技術中，為提升分辨率而在鏡頭與晶圓間引入液體介質（如去離子水或高折射率液體），卻引發了光刻膠與液體間復雜的物理化學相互作用，成為制約工藝穩定性的關鍵問題。光刻膠在接觸水后會發生吸水膨脹，導致厚度顯著增加（約7%）并伴隨折射率下降（約-0.4%），且吸水行為受膠體年齡與后處理工藝影響，在表面呈現非均勻分布。此外，液體還可能萃取光刻膠中的光酸產生劑等

  光刻膠 晶圓

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• 發布了文章 2026-01-14 18:05

  臺階儀在平板顯示的應用：銀導電薄膜的厚度與粗糙度檢測與優化

  

  有機發光二極管（OLED）因其優異的光電性能受到廣泛關注，但其陰極材料制備仍依賴成本高、工藝復雜的真空蒸鍍技術。為此，本研究探索溶液法制備銀納米顆粒基致密導電薄膜，以應用于OLED陰極及其他電子器件。Flexfilm探針式臺階儀可以實現表面微觀特征的精準表征與關鍵參數的定量測量，精確測定樣品的表面臺階高度與膜厚，為材料質量把控和生產效率提升提供數據支撐。系統

  檢測 薄膜

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• 發布了文章 2026-01-12 18:03

  光譜橢偏儀在二維材料光學表征中的應用綜述

  

  二維材料因其獨特的電子與光學性質成為前沿研究熱點。準確表征其光學響應，尤其是復介電函數，對理解其物理機制與器件應用至關重要。傳統光學方法受限于信號強度與靈敏度，而光譜橢偏儀通過探測偏振態變化，能夠實現超薄材料的高精度光學常數提取，已成為該領域不可或缺的工具。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非接觸對薄膜的厚度與折射率的高精度表征，廣泛應用于薄膜材料、半導體和表

  二維材料 光學 光譜

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• 發布了文章 2026-01-09 18:03

  臺階儀在納米薄膜工藝監控：基于三臺階標準的高精度厚度與沉積速率測定

  

  納米尺度測量通常依賴具有納米特征的標準樣品進行儀器校準。目前常見標準樣品多為單臺階結構，由于儀器非線性，需使用不同高度值進行多次校準。多臺階標準樣品可減少探針重復定位，提升校準效率。原子力顯微鏡與臺階儀是納米結構測量的常用設備，后者具有更大掃描范圍且對樣品污染不敏感，但噪聲較大且易受環境振動影響。光譜橢偏儀等方法可用于測量薄膜沉積速率，但其結果受材料特性與模

  光譜 測量 薄膜

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• 發布了文章 2026-01-07 18:03

  橢偏儀在MEMS的應用：Er/Sc-AlN薄膜的厚度和光學常數精確表征

  

  隨著5G通信技術的快速發展，智能手機對射頻前端濾波器的需求急劇增加，聲表面波（SAW）濾波器因其高聲速、高機電耦合系數和低溫漂特性成為研究熱點。傳統LiTaO?等單晶材料存在成本高、聲速低、溫漂大等問題，而基于AlN的壓電薄膜SAW濾波器具有成本低、易于集成、性能可調等優勢，逐漸成為主流選擇。然而，純AlN薄膜的壓電常數（d33）和機電耦合系數（kt）較低，

  mems 光學 薄膜

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• 發布了文章 2026-01-05 18:05

  臺階儀在半導體的應用|精確測量刻蝕深度和表面圖案化

  

  摩擦納米發電機作為一種環境機械能收集技術，在材料選擇、結構設計及表面工程等方面持續優化。表面改性通過調控粗糙度與表面電荷，已成為提升摩擦電輸出的重要手段。目前，激光輻照、等離子體刻蝕等方法已在聚合物材料中取得成效，但在金屬-半導體體系，尤其是半導體表面圖案化方面的研究仍較有限。GaN作為第三代寬禁帶半導體，具備優異的化學穩定性與高電子遷移率，適用于摩擦電層。

  半導體 測量

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