由于現行射頻前端器件制造商因手機通訊器件的功能需求，逐漸以GaAs晶圓作為器件的制造材料，加上隨著5G建設逐步展開，射頻器件使用量較4G時代倍增，預料將帶動GaAs射頻器件市場于2020年起進入新一波成長期。

拓墣產業研究院指出，由于射頻前端器件特性，包含耐高電壓、耐高溫與高頻使用等，在4G與5G時代有高度需求，傳統如HBT和CMOS的Si器件已無法滿足，廠商便逐漸將目光轉移至GaAs化合物半導體。而GaAs化合物半導體憑借本身電子遷移率較Si器件快速，且具有抗干擾、低噪聲與耐高電壓等特性，因此特別適合應用于無線通訊中的高頻傳輸領域。

由于4G時代的手機通訊頻率使用范圍已進展至1.8～2.7GHz，傳統3G的Si射頻前端器件已不夠使用，加上5G通市場正步入高速成長期，其使用頻段也將更廣泛(包含3～5GHz、20～30GHz)，因此無論是4G或5G通訊應用，現行射頻器件都將逐漸被GaAs取代。

若以目前市場發展來看，2018年下半年受到手機銷量下滑、中美貿易戰影響，沖擊GaAs通訊器件IDM廠營收表現，預估2019年IDM廠總營收將下滑至58.35億美元，年減8.9%。

然而，隨著5G通訊持續發展，射頻前端器件使用數量將明顯提升，如功率放大器(PA)使用量，由3G時代的2顆、4G的5-7顆，提升至5G時代的16顆，將帶動2020年整體營收成長，預估GaAs射頻前端器件總營收將達64.92億美元，年增11.3%。

整體而言，隨著各國持續投入建設5G基站等基礎設施，預估在2021、2022年將達到高峰，加上射頻前端器件使用數量較4G時代翻倍，將可望帶動IDM大廠Skyworks(思佳訊)、Qorvo(威訊)新一波營收成長動能，而臺廠射頻代工制造業穩懋、宏捷科及環宇等，也將隨著IDM廠擴產而取得訂單，逐漸擺脫營收衰退的陰霾。