群聯(lián)搶搭儲存型快閃存儲器(NAND Flash)需求爆發(fā)商機 ,今年在臺北國際電腦展( Computex)展出的高端儲存系列產品受到市場矚目,預料在進入5G后,將成為各大應領用領域新寵,也成為群聯(lián)獲利利器。
群聯(lián)董事長潘健成表示,群聯(lián)強攻高端應用儲存方案,鎖定近年熱門討論的嵌入式市場及企業(yè)應用市場等領域,相關市場進入障礙高、毛利較好。群聯(lián)也將繼續(xù)挖掘并深耕,以提升營運績效與獲利。
潘健成強調,今年布局重心著重于5G技術帶動的周邊相關應用與科技,包括電競、延展實境(XR)、區(qū)塊鏈、人工智能與物聯(lián)網(wǎng)等。
以群聯(lián)的旗艦產品PS5016-E16為例,是領先業(yè)界及消費應用市場上唯一的PCIe Gen4x4 NVMe SSD控制芯片,采用28納米制程,搭載最新96層3D NAND快閃存儲器及第四代LDPC糾錯引擎,透過專利硬件加速器,提供使用者超高效能體驗。此外,E16也預先導入獨家設計的智慧溫控機制及隱藏式IC散熱裝置,大幅降低超高速運算時所產生的熱功耗,提升使用者經(jīng)驗。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
存儲器
+關注
關注
39文章
7738瀏覽量
171653 -
群聯(lián)
+關注
關注
0文章
21瀏覽量
4864
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
【案例5.1】存儲器選型的考慮要點
的選型。以下是選型時最關鍵的兩個因素:(1)產品對存儲器容量的要求。一般由系統(tǒng)設計部門和軟件設計部門,根據(jù)產品需求,共同確定對存儲器容量的要求。本案例中的數(shù)據(jù)表將
CW32F030片上FLASH閃存存儲器物理區(qū)域的劃分
片上 FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成:主 FLASH 存儲器和啟動程序存儲器。
1、主 FLASH 存儲器,共 64KB,地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000
發(fā)表于 12-23 08:28
雙口SRAM靜態(tài)隨機存儲器存儲原理
在各類存儲設備中,SRAM(靜態(tài)隨機存儲器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應用于高性能計算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中,雙口SRAM靜態(tài)隨機存儲器憑借其獨特的雙端口設計,在高帶寬和多任務場景中表現(xiàn)尤為出色,
芯源的片上存儲器介紹
片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成:主FLASH 存儲器和啟動程序存儲器。
●● 主 FLASH 存儲器,共 64KB,地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FF
發(fā)表于 11-12 07:34
Flash閃存-RSUN2M:高性能微型 SPI 閃存,開啟智能存儲新體驗
在萬物互聯(lián)與智能終端飛速發(fā)展的時代,存儲器件的性能、可靠性與小型化成為設備創(chuàng)新的關鍵支撐。RSUNTECH重磅推出的RSUN2M串行閃存存儲器,以卓越性能、極致設計與全面保障,為各類智
單片機的儲存優(yōu)點是什么
場景。深圳市安凱星科技有限公司在單片機應用開發(fā)中,充分利用這些儲存優(yōu)點,為拓邦、朗科、安徽龍多等客戶打造了高效穩(wěn)定的解決方案。 1.集成度高,節(jié)省硬件空間 單片機將程序存儲器(ROM)、數(shù)據(jù)存
簡單認識高帶寬存儲器
)將多層 DRAM 芯片垂直堆疊,并集成專用控制器邏輯芯片,形成一個緊湊的存儲模塊。這種架構徹底打破了傳統(tǒng) DDR 內存的平面布局限制,實現(xiàn)了超高帶寬、低功耗和小體積高集成度的完美結合,成為
什么是Flash閃存以及STM32使用NAND Flash
的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲器(此處簡稱閃存)的概念。與傳統(tǒng)電腦內存不同,閃存的特點是NVM,其記錄速度也非常快。
Intel是
發(fā)表于 07-03 14:33
存儲趨勢前瞻:憶聯(lián)如何以產品創(chuàng)新重塑AI時代存儲價值版圖
趨勢做了深入闡述。憶聯(lián)作為長期深耕存儲行業(yè)的技術驅動型企業(yè),始終緊跟技術前沿,并在產品創(chuàng)新和市場布局上保持領先。 本文將結合峰會風向,分析閃存
半導體存儲器測試圖形技術解析
在半導體存儲器測試中,測試圖形(Test Pattern)是檢測故障、驗證可靠性的核心工具。根據(jù)測試序列長度與存儲單元數(shù)N的關系,測試圖形可分為N型、N2型和N3/?
憶聯(lián)如何以技術創(chuàng)新推動存儲產業(yè)變革
在AI算力爆發(fā)式增長驅動千行百業(yè)智能升級的進程中,數(shù)據(jù)存儲體系正面臨性能、容量與能效的三重考驗。在今年3月舉辦的2025中國閃存市場峰會(CFMS)上,行業(yè)專家和各大廠商進一步對存儲的
SK海力士僅選擇器存儲器(SOM)的研發(fā)歷程
人工智能與高性能計算(HPC)正以空前的速度發(fā)展,將動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和NAND閃存等傳統(tǒng)存儲技術發(fā)揮到極致。為了滿足人工智能時代日益增長的需求,業(yè)界正在探索超越傳統(tǒng)
NXP MCU RT1166如何使用JTAG/SWD工具將數(shù)據(jù)存儲到內部閃存中?
我需要使用 JTAG 將數(shù)據(jù)存儲到內部閃存中。我能夠使用 JTAG/SWD 工具 ARM J-Link 將它們存儲在 FlexSPI1 連接的外部閃
發(fā)表于 04-01 06:54
SK海力士將關閉CIS圖像傳感器部門 轉向AI存儲器領域
3 月 6 日消息,綜合韓聯(lián)社、ZDNet Korea、MK 等多家韓媒報道,SK 海力士今日在內部宣布將關閉其 CIS(CMOS 圖像傳感器)部門, 該團隊的員工將轉崗至 AI 存儲器
儲存型快閃存儲器將成為各大應領用領域新寵 群聯(lián)將獲利
評論