場效應晶體管（FETs）是電子世界的基本組成單元。人們生活中使用的電腦、手機等電子設備都由場效應晶體管組成。為了進一步提高場效應晶體管的運行速度和微型化程度，并保證器件高性能的同時降低其能耗，研究人員付出了巨大的努力。但是，當溝道長度不斷縮短至幾納米時，硅基晶體管器件的性能開始顯著下降，顯然已經進入了研究的瓶頸期。

二維半導體包括過渡金屬二硫屬化合物（TMDs）和黑磷等，具有豐富的價帶結構和可調的厚度，展現出作為下一代溝道材料的巨大潛力。與傳統的硅半導體相比，二維半導體在物理性質、電學性質和光學性質上具有巨大的優勢。目前為止，有很多關于多種二維半導體的合成與應用等方面的報道。但是，影響二維半導體場效應晶體管性能的主要因素——界面需要得到更多的關注。

近日，哈爾濱工業大學的胡平安教授團隊在綜述性論文”Interfacial Engineering for Fabricating High‐Performance Field‐Effect Transistors Based on 2D Materials”中系統地總結了二維半導體場效應晶體管的構筑技術和方法。該綜述總結了關于電極與半導體接觸和介電層與半導體的界面的優化策略，介紹了二維半導體場效應晶體管在柔性晶體管、生物傳感器和集成電路等方面的應用。最后，作者對二維半導體器件的發展方向進行了總結和展望，包括如何制備理想的界面接觸、合成高質量高產量的二維半導體及其異質結構等。