這兩天的手機圈都被三星Galaxy Fold刷屏了，作為第一款可量產(chǎn)上市的折疊屏手機，Galaxy Fold的強悍毋庸置疑，4.6英寸+7.3英寸內(nèi)外雙屏、驍龍855移動平臺、前后6顆攝像頭，除了價格昂貴以外絕對爽口。

實際上，三星Galaxy Fold還有一項容易被我們忽視的賣點，那就是全球首發(fā)UFS3.0閃存芯片。

在手機領(lǐng)域，雖然SoC越來越強，內(nèi)存和存儲空間越來越大，攝像頭都能拍月亮了，但就存儲性能而言，其卻始終是綜合表現(xiàn)的最大短板。

目前手機圈流行的閃存主要以eMMC5.1、UFS2.1單通道，以及UFS2.1雙通道為主，我們可以通過AndroBench和魯大師對其性能一下跑分對比。

eMMC5.1的性能最低，它經(jīng)常與驍龍4系、驍龍6系、驍龍7系、麒麟6系、麒麟7系、聯(lián)發(fā)科Helio P系列搭配，主要定位在2000元價位以內(nèi)的主流市場。其在AndroBench中的持續(xù)讀寫速度分別為281MB/s和214MB/s。

eMMC5.1閃存性能

UFS2.1根據(jù)通道數(shù)量的不同，性能存在很大的差距。其中，單通道UFS2.1主要和驍龍7系結(jié)合，定位中高端，在AndroBench中的持續(xù)讀寫速度分別為500MB/s和201MB/s。

UFS2.1單通道閃存性能

雙通道UFS2.1主要和驍龍8系、麒麟9系結(jié)合，定位高端，在AndroBench中的持續(xù)讀寫速度分別為822MB/s和242MB/s。

UFS2.1雙通道閃存性能

作為最頂級的UFS3.0，在2019年Q1才剛剛量產(chǎn)，是驍龍855的夢幻裝備，在AndroBench中的持續(xù)讀寫速度可分別達到1507MB/s和396MB/s，較雙通道UFS2.1提升了80%以上！

UFS3.0閃存性能

UFS3.0閃存性能

細(xì)心的童鞋不難發(fā)現(xiàn)，貌似eMMC5.1h和UFS2.1在持續(xù)寫入速度上的差距不大，是不是代表它們寫入數(shù)據(jù)時的實際表現(xiàn)相近？答案自然是否定的，隨機讀寫（4K）性能才是和實際操作最密切相關(guān)的指標(biāo)，eMMC5.1和UFS相比差的可不是一點半點。

魯大師

順序讀取

順序?qū)懭?/p>

隨機讀取

隨機寫入

SQLite Insert

SQLite Update

SQLite Delete

匯總表格

總的來說，UFS3.0的綜合性能，特別是持續(xù)讀寫速度有著秒殺UFS2.1前輩的表現(xiàn)，只是在隨機讀寫和SQLite性能上，卻依舊和雙通道的UFS2.1持平，有些小遺憾。

最后，咱們再來科普一下eMMC和UFS閃存的基礎(chǔ)知識吧：

eMMC：

Embedded Multi Media Card，它是在NAND閃存芯片的基礎(chǔ)上，額外集成了主控制器，并將二者“打包”封裝封成一顆BGA芯片，從而減少了對PCB主板的空間占用，也是移動設(shè)備中普及度最高的存儲單元。eMMC的性能會隨著總線接口的升級而提升，而目前最新的標(biāo)準(zhǔn)就是eMMC 5.1。

UFS：

Univeral Flash Storage，我們可以將它視為eMMC的進階版，是由多個閃存芯片、主控、緩存組成的陣列式存儲模塊。UFS彌補了eMMC僅支持半雙工運行（讀寫必須分開執(zhí)行）的缺陷，可以實現(xiàn)全雙工運行，所以性能得以翻番。

UFS2.x

UFS早前被細(xì)分為UFS 2.0和UFS 2.1，它們在讀寫速度上的強制標(biāo)準(zhǔn)都為HS-G2（High speed GEAR2），可選HS-G3標(biāo)準(zhǔn)。而兩套標(biāo)準(zhǔn)又都能運行在1Lane（單通道）或2Lane（雙通道）模式上，一款手機能取得多少讀寫速度，就取決于UFS閃存標(biāo)準(zhǔn)和通道數(shù)，以及處理器對UFS閃存的總線接口支持情況。

UFS3.0

UFS 3.0引入了HS-G4規(guī)范，單通道帶寬提升到11.6Gbps，是HS-G3（UFS 2.1）性能的2倍。而由于UFS支持雙通道雙向讀寫，所以UFS 3.0的接口帶寬最高可達23.2Gbps，也就是2.9GB/s。此外，UFS 3.0支持的分區(qū)增多（UFS 2.1是8個），糾錯性能提升且支持最新的NAND Flash閃存介質(zhì)。