晶圓代工龍頭臺積電制程推進再下一城，除5奈米已順利試產并計劃明年量產外，量產一年后將再推出效能及功耗表現更好的5+奈米，直接拉大與競爭對手的技術差距。

臺積電上半年遇到半導體生產鏈庫存調整，導致第一季營運表現不盡理想，但第二季以來7奈米投片量明顯回升，等于為下半年營收大幅成長打好基礎。

由于競爭同業無法在7奈米制程上提供足夠產能及更好的良率，臺積電幾乎拿下7奈米市場全部晶圓代工訂單，而且今年還預計會有超過100款新芯片完成設計定案（tape-out）。

臺積電7+奈米第二季進入量產，并為華為海思生產研發代號為Pheonix的新款Kirin 985手機芯片。由于EUV是未來先進制程微影技術主流，臺積電現階段EUV設備光源輸出功率280W，預計年底將提升至300W，明年再升至350W。光源輸出功率提升也帶動設備稼動時間比率（uptime），由去年的70％提高至今年的85％，明年應可達到90％水平。

雖然7奈米制程仍依循摩爾定律推進，但臺積電已發現芯片尺寸上出現兩極化發展，應用于行動裝置的7奈米芯片尺寸縮小至100平方公厘以下，而高效能運算（HPC）的7奈米芯片尺寸卻大于300平方公厘。|中國半導體論壇微信公眾號|臺積電也開始針對大尺寸芯片追蹤芯片缺陷密度，這有助于加快走完5奈米及更先進制程學習曲線。

臺積電日前宣布將推出6奈米制程，主要采用與7奈米兼容的設計規則及硅智財模型，但會比7+奈米多一層EUV光罩，芯片密度則會提升18％。6奈米推出的時間較晚，明年第一季才開始進入風險試產，而且是在明年5奈米量產之后才進入量產，主要是讓還不想進入5奈米技術的客戶，可以提供低風險的設計微縮，并讓7奈米芯片采用者有一個降低成本的選項。

臺積電針對5奈米打造的Fab 18第一期已完成裝置并順利試產，預期明年第二季拉高產能并進入量產。與7奈米制程相較，5奈米芯片密度增加80％，在同一運算效能下可降低15％功耗，在同一功耗下可提升30％運算效能。

臺積電在5奈米導入極低臨界電壓（ELVT）晶體管設計，在ELVT運算下仍可提升25％運算效能。臺積電也將在5奈米量產后一年推出5+奈米，與5奈米制程相較在同一功耗下可再提升7％運算效能，或在同一運算效能下可再降低15％功耗。5+奈米將在2020年第一季開始試產，2021年進入量產。