史德年：智能手機芯片國產(chǎn)化率百分之23.6，屏幕國產(chǎn)化率百分之67.5

2019年5月9日，第一屆中國國際智能終端產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會在宜賓召開。 中國信息通信研究院副總工程師史德年發(fā)表主題演講《智能終端發(fā)展態(tài)勢》，他在演講中提到：“我國高端手機處理器芯片設(shè)計能力已經(jīng)達到全球領(lǐng)先水平，國內(nèi)手機市場核心芯片國產(chǎn)化率達到23.6%?！背酥?，國內(nèi)智能手機的國產(chǎn)屏幕占比穩(wěn)步提升，達到67.5%。

史德年在演講中提到，智能手機核心芯片的國產(chǎn)化率，從2014年的11.9%提升至2018年的23.6%，提升了一倍，“這里主要是華為海思的麒麟芯片”；同時，智能手機屏幕的國產(chǎn)化率從2014年的26.2%提升至67.5%，提升了1.5倍。

中國將超越韓國，掌握LCD市場

從市占率來看，韓國與中國的差距似乎依舊遙遠，但與去年同期相比，情況并不樂觀。去年第一季韓國的市占率為54.8％，到今年第一季已下降近10個百分點至45.1％，相反的，中國從3.6％成長至33.9％，足足增加30多個百分點。

據(jù)市調(diào)機構(gòu)IHS Markit的資料顯示，今年第一季60英寸以上的大型電視面板市場中，韓國以45.1％市占率拿下第一，中國33.9％市占率位居第二。

中芯國際調(diào)整再出發(fā)，南方FinFET工廠產(chǎn)能布建12納米客戶導(dǎo)入

2019年5月8日，中芯國際公布2019年第一季度（2019年1月1日至3月31日）財報，營收為6.689億美元，相較2018年第四季度的7.876億美元下滑了15.1%，相較2018年第一季的8.310億美元下滑了19.5%，相較2018第一季的不含技術(shù)授權(quán)收入的銷售額7.234億美元下滑了7.5%。

從晶圓付運量來看，2019Q1季為109萬片約當8英寸晶圓，較上季的122萬片下滑了10.5%，較去年同期的108萬片增長了0.5%。本季產(chǎn)能利用率為89.2% ，上季為89.9%，去年同期為88.3%。

從約當8英寸晶圓每片售價來看，本季僅614美元，創(chuàng)下上市以來的最低價，2018年第四季售價為647美元，2018年第一季不含技術(shù)授權(quán)收入影響的售價為668美元。

原中芯國際CEO邱慈云出任上海新昇CEO！

5月5日，集微網(wǎng)從芯謀研究首席分析師顧文軍處獲悉，原中芯國際CEO邱慈云出任上海新昇CEO。

中芯北方張昕：集成電路制造業(yè)的發(fā)展趨勢

據(jù)張昕介紹，中芯北京是我們國家建造的第一個12寸的晶圓代工廠。目前它也是國內(nèi)規(guī)模最大，或者可以說是唯一盈利的12寸的代工基地。目前，中芯北京和后來成立的中芯北方的12吋晶圓代工，月產(chǎn)能可達12萬片(8inch)。

目前，中芯北方具備兩條月產(chǎn)3.5萬片的300mm生產(chǎn)線。第一條生產(chǎn)線主要生產(chǎn)40納米和28納米Polysion工藝產(chǎn)品；第二條生產(chǎn)線具備28納米HKMG工藝及更高技術(shù)水平（廠房在建中）。完全達產(chǎn)后，中芯北方將與中芯國際北京廠一起成為國內(nèi)集成電路制造的重要生產(chǎn)基地。

在這個過程中，伴隨著工藝節(jié)點的提升，設(shè)備也需要及時更新。在折舊換新的過程中，成熟的國際大廠通常只需要三到四年即可完成，但是對于中芯國際這樣一個新手玩家來說，則需要大概九年的時間。盈利，對于集成電路制造廠商來說，是一個漫長的過程。

為此，張昕為我們估算了這樣“一筆人才賬”。他認為，要維護一個可以進行規(guī)?；a(chǎn)的制造廠，需要至少三代的技術(shù)節(jié)點來維護。三代技術(shù)，接近一千個產(chǎn)品，制造廠所需要的設(shè)備就要超過一百種。為這樣一個工廠，又需要大概2000名工程師來維持。而這些工程師，有需要擁有一定的工作經(jīng)驗，短則三五年，長則十年以上。

如何頂住來自市場的競爭，這也是本土集成電路制造廠面臨的挑戰(zhàn)。這種挑戰(zhàn)，具體到中芯北京上，則體現(xiàn)為如何將六代技術(shù)與價值500億人民幣的設(shè)備，合理地、充分地用在所有技術(shù)平臺上、所有的應(yīng)用節(jié)點上。

舉例來講，在中芯傳統(tǒng)的工廠中，當工廠產(chǎn)能在5萬片時，需要一千三百名操作工，人機比是1:3，而通過數(shù)字化管理，則最終會達到1:100。

一期總投資50億元，富士康濟南高功率芯片工廠已悄然開建？

新聞稿中指出，該項目是濟南市引進的富士康高科技產(chǎn)業(yè)項目，主要為年產(chǎn)36萬片8寸硅基功率器件和12萬片6寸SiC功率器件的工業(yè)廠房。項目總占地630.6畝，一期占地318畝，一期總投資50億元，建筑面積24萬平米。

該項目將建設(shè)8寸晶圓廠功率半導(dǎo)體器件（主要生產(chǎn)MOSFET、CoolMos、IGBT器件）和6寸晶圓廠碳化硅器件的研發(fā)、生產(chǎn)基地，項目一期用地317.92畝，建筑面積約24.5萬平方米，投資50.53億元。

富能半導(dǎo)體有限公司或就是富士康與濟南約定促成落地的高功率芯片公司。根據(jù)濟南高新區(qū)管委會消息，該項目開工之后，將于10月底完成部分主體施工，明年一季度全部建成使用。

紫光集團負債2000億！

5月3日，自上交所債券信息披露平臺獲悉，紫光集團去年歸屬于母公司所有者的凈利潤為-6.31億元，同比盈轉(zhuǎn)虧，下滑159.43%。

紫光集團在收入上取得大幅增長。2018 年 1-12 月，公司營業(yè)總收入為 799.54 億元，同比增長 38.98%，主要為公司業(yè)務(wù)快速增長及合并范圍增加帶入所致。

截至 2018 年 12 月 31 日，紫光集團負債合計 2035.81 億元，同比增長 57.52%。其中，流 動負債 794.53 億元，同比增長 45.10%；非流動負債 1241.28 億元，同比增長 66.65%。

長江存儲64層NAND量產(chǎn)在即，與紫光集團角力戰(zhàn)漸起

市場傳出，長江存儲有意改變策略，越過大股東紫光集團的銷售管道，采取自產(chǎn)自銷3D NAND芯片的模式，也讓雙方暗自較勁的角力戰(zhàn)儼然成形。

長江存儲在2018年成功研發(fā) 32層3D NAND后，其武漢基地一期項目已實現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)，第1季的單月產(chǎn)能可達到5,000片，2019年目標將邁入量產(chǎn)64層3D NAND計劃。

不過目前各家國際大廠減產(chǎn)多半仍針對舊制程的64層NAND，而新一代96層的研發(fā)投入并未縮手，并預(yù)計2020年下半各家大廠將先后進入128層等級的制程，長江存儲力圖超車追趕，預(yù)計在量產(chǎn)64層NAND后，將直接跳過96層，2020年直接逼近128層堆棧3D NAND，縮短與國際大廠的技術(shù)差距。

粵芯12英寸芯片廠搬入設(shè)備100余臺，安裝調(diào)試按計劃有序進行

粵芯項目計劃今年9月實現(xiàn)量產(chǎn)。周亞偉對粵芯如期完成設(shè)備生產(chǎn)線調(diào)試和試產(chǎn)成功給予厚望。

4月11日，粵芯半導(dǎo)體進行了2019年第一季度全員工大會。陳衛(wèi)表示，年會時150人的團隊，短短三個月發(fā)展到近300人的團隊，粵芯的成長非常迅速。目前粵芯第一期項目即將建成量產(chǎn)，并在積極籌劃第二期項目。

5月6日，廣州市委常委、黃埔區(qū)委書記周亞偉等一行到粵芯12英寸芯片廠建設(shè)現(xiàn)場進行調(diào)研。

IHS：半導(dǎo)體市場將在2019年陷入十年來最嚴重的低迷狀態(tài)

5月7日，據(jù)IHS Markit應(yīng)用市場預(yù)測工具的最新數(shù)據(jù)，2019年全球半導(dǎo)體芯片行業(yè)的營收將下降7.4%。營收將從2018年的4,820億美元下降至2019年的4,462億美元。

與去年12月的預(yù)測相比，這代表著市場前景的重大變化。去年12月曾預(yù)測2019年市場將增長2.9%。但目前最新的預(yù)測--7.4%的降幅將標志著半導(dǎo)體行業(yè)進入自2009年以來最大的年度百分比降幅，而2009年當年的半導(dǎo)體芯片銷售額曾一度暴跌近11%。

2019年半導(dǎo)體市場規(guī)模將超5000億美元

根據(jù)WSTS統(tǒng)計，從2013年到2018年，全球半導(dǎo)體市場規(guī)模從3056億美元迅速提升至4688億美元，年均復(fù)合增長率達到8.93%。預(yù)計2019年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將超5000億美元。

全球最高工藝EUV 5nm臺積電碾壓三星！

三星和臺積電最近都披露了他們的5nm制程，這里我們來并比較一下這兩種制程。

我們將首先回顧一下兩家的7nm比較。（可參考：7nm-臺積電 VS 三星）

7nm

圖1 比較了三星的7LPP工藝與臺積電的7FF和7FFP工藝。

5nm

三星和臺積電已經(jīng)開始接受5nm的訂單，今年的風(fēng)險試產(chǎn)和明年的批量生產(chǎn)。我們預(yù)計兩家公司將在5納米采用更多的EUV層，三星為12層，臺積電為14層。

對話英特爾CEO司睿博：最大挑戰(zhàn)在于如何激發(fā)內(nèi)部潛力

延續(xù)“以PC為中心轉(zhuǎn)型到以數(shù)據(jù)為中心”的核心戰(zhàn)略，司睿博更關(guān)注的，是如何執(zhí)行這一戰(zhàn)略，并激發(fā)十萬多名英特爾員工的潛力。他描繪出了3000億美元的市場前景，并在不同場合多次強調(diào)要加強英特爾的“執(zhí)行力”。

執(zhí)掌英特爾您認為最大的挑戰(zhàn)是什么？

Bob Swan：對我個人來說，最大的挑戰(zhàn)在于如何充分激發(fā)英特爾內(nèi)部的潛力。我們公司集結(jié)了這個星球上最聰明的十萬七千名員工。當他們在過去50年已經(jīng)取得巨大成功的情況下，如何能夠進一步激發(fā)他們的潛能，讓他們在未來能夠發(fā)揮更大的作用。所以我認為最大的挑戰(zhàn)就是要充分地激發(fā)英特爾員工和工程師們的智慧和士氣，在他們已經(jīng)對世界產(chǎn)生了巨大影響的情況下，讓他們能夠為這個世界帶來更大的影響。

臺積電將推出6nm制程技術(shù)，大部分7nm客戶都將轉(zhuǎn)型

在本周的季度收益電話會議上，臺積電方面透露，預(yù)計其大部分7nm工藝客戶將轉(zhuǎn)型至6nm工藝節(jié)點，6nm節(jié)點使用率和產(chǎn)能都會迅速擴大。如果臺積電的預(yù)測成真，N6毫無疑問將成為臺積電下一個廣泛使用，長期服務(wù)的流程節(jié)點。

據(jù)悉，臺積電于4月16日宣布推出6nm(N6)制程技術(shù)，并預(yù)計2020年第1季度進入試產(chǎn)。

臺積電的6nm2020年才會試產(chǎn)，而號稱相比于第一代7nm晶體管密度提升45％，可帶來15％的性能提升或20％功耗下降的臺積電5nm工藝已經(jīng)順利進入試產(chǎn)階段，所以預(yù)計蘋果和華為將會跳過6nm，直接選擇更為強悍的5nm工藝。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來一波衰退期，國內(nèi)特色工藝龍頭華虹宏力會如何應(yīng)對？

根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易協(xié)會(WSTS)數(shù)據(jù)顯示，2018年全球半導(dǎo)體市場銷售額達4,687.78億美元，同比增長13.7%，相對2017年的21.6%的大幅增長有所放緩。從目前半導(dǎo)體行業(yè)主流國際機構(gòu)的預(yù)測來看，2019年全球半導(dǎo)體市場增速將進一步放緩。

據(jù)Gartner 2018 Q4預(yù)測，2019年、2020年、2021年、2022年，全球半導(dǎo)體市場銷售分別為4,890億美元、5,280億美元、5,190億美元、5,390億美元，分別增長2.5%、8.1%、-1.8%、3.8%。

韓國目標2030年全球晶圓代工市占第一

為將南韓發(fā)展成綜合半導(dǎo)體強國，南韓政府力爭到2030年在全球晶圓代工市場的占有率排名第一，同時，在半導(dǎo)體集成電路設(shè)計市場的占有率從目前的1.6%提升至10%。

研調(diào)機構(gòu)IC Insights曾于2月公布，***晶圓廠產(chǎn)能規(guī)模于2015年登上全球第一，2018年***晶圓廠產(chǎn)能占全球比重達21.8%，較2017年的21.3%再攀升0.5個百分點，并持續(xù)居全球第一，略高于南韓的21.3%（月產(chǎn)能403.3萬片）。

南韓聯(lián)合新聞通訊社報導(dǎo)，南韓政府今天在三星電子華城事業(yè)場發(fā)表旨在發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的「系統(tǒng)晶片產(chǎn)業(yè)愿景和戰(zhàn)略」，決定今后10年將在研發(fā)領(lǐng)域投入1兆韓元（約合新臺幣265.1億元），并培養(yǎng)1.7萬名專業(yè)人才，以落實前述愿景。產(chǎn)業(yè)通商資源部表示，南韓政府與半導(dǎo)體企業(yè)、研究機構(gòu)簽署諒解備忘錄，將在汽車、生物、能源、物聯(lián)網(wǎng)、機器人等系統(tǒng)晶片需求較大的領(lǐng)域建立合作平臺，將為先進技術(shù)研發(fā)每年提供300億韓元（約新臺幣7.95億元）的資金。

英特爾H10內(nèi)存來勢洶洶，三星與SK海力士接招

報導(dǎo)表示，英特爾的 H10 被稱之為下一代的內(nèi)存存儲裝置，而且采用 Intel Optane 內(nèi)存 H10 的第 8 代 Intel Core U 系列行動平臺，將于本季稍晚透過主要 OEM 廠商推出。透過這些平臺，日常用戶將能夠在多任務(wù)處理時，達到啟動文件檔案的速度提高 2 倍，或者游戲啟動速度提高 60%，以及打開媒體檔案的速度提高 90% 的效能。而隨著筆電使用的 H10 問世，未來英特爾在服務(wù)器方面的相關(guān)產(chǎn)品也將會很快地推出，而憑借著英特爾在服務(wù)器上的高市占率優(yōu)勢，未來將會影響到三星與 SK 在服務(wù)器內(nèi)存上的市占率。因此針對次此一市場，三星與海力士也將推出相類似的產(chǎn)品競爭，不讓英特爾專美于前。

因為 H10 具備著融合了 DRAM 與 NAND Flash 的優(yōu)點，那就是雖然在 DRAM 的內(nèi)存速度比過去傳統(tǒng)的內(nèi)存稍慢，卻有著價格上的優(yōu)勢，而且具有 NAND Flash 斷電后數(shù)據(jù)依舊能保存，成為另外存儲空間的優(yōu)點。而且，因為英特爾與美光多年來所開發(fā)的 3D XPoint 技術(shù)，可以將 NAND Flash 的速度提高 1,000 倍，而且延長持續(xù)使用時間的情況下，更使其適合在服務(wù)器內(nèi)所使用。因此，對于當前服務(wù)器內(nèi)存的兩大廠商──韓國三星與 SK 海力士癌說的確造成威脅，使得三星與SK海力士也宣布將推出相類似的產(chǎn)品應(yīng)戰(zhàn)。

2018全球十大模擬IC廠商出爐，TI穩(wěn)居榜首

下一個決戰(zhàn)點，邏輯芯片與存儲芯片的異構(gòu)整合

在納米制程的年代，von Neumann體制中CPU與存儲的分離已造成速度和散熱的障礙。要解決這問題，只有從這二者同時下手—最好是二者融合為一，像是in-memory computing。只可惜目前用PCM的方案改善有限，速度快了，但是還不夠快，密度提升也仍嫌不足，整個組成還是無法改變目前的存儲架構(gòu)，所以MRAM也還在英特爾的硏發(fā)雷達范圍內(nèi)。

臺積電在邏輯制程微縮的競爭中無疑是現(xiàn)任的領(lǐng)先者，但是長期的自外于獨立存儲的生產(chǎn)制造。雖然于嵌入式MRAM急起直追，而且將其應(yīng)用推展至5/7nm的LLC(Last Level Cache)，但是這和邏輯芯片與存儲芯片的異構(gòu)整合是兩回事，后者需要較髙的密度，不像嵌入式MRAM能屈就于邏輯制程的CMOS而令單元面積髙達50f2。獨立存儲中的電晶體是過去內(nèi)存微縮的競爭主軸之一，要能有獨立存儲芯片用于與邏輯芯片異構(gòu)整合，這方面的努力還有待急起直追。