5月8日，晶圓代工廠(chǎng)中芯國(guó)際發(fā)布其2019年第一季度業(yè)績(jī)報(bào)告。一季度中芯國(guó)際營(yíng)收、凈利均有所下滑，但宣布12nm工藝開(kāi)發(fā)進(jìn)入客戶(hù)導(dǎo)入階段。

數(shù)據(jù)顯示，中芯國(guó)際一季度實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售額6.69億美元，環(huán)比下降15.1%、同比下降19.5%，中芯國(guó)際表示主要由于一季度晶圓付運(yùn)量減少及產(chǎn)品組合改變所致；實(shí)現(xiàn)毛利1.22億美元，環(huán)比下降9.0%、同比下降44.6%，毛利率為18.2%；實(shí)現(xiàn)公司擁有人應(yīng)占利潤(rùn)1227.2萬(wàn)美元，環(huán)比下降53.7%，同比下降58.2%。

一季度中芯國(guó)際在產(chǎn)能方面有所提升，月產(chǎn)能由2018年第四季的451325片8吋等值晶圓增加至2019年第一季的466575片8吋等值晶圓，中芯國(guó)際表示主要由于2019年第一季北京300mm晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能擴(kuò)充所致。

中芯國(guó)際聯(lián)席首席執(zhí)行官趙海軍在報(bào)告中表示，一季度為今年?duì)I收低谷，產(chǎn)業(yè)庫(kù)存周期調(diào)整結(jié)束，中芯努力耕耘的新成熟工藝平臺(tái)也準(zhǔn)備就緒，模擬與電源管理芯片、CMOS射頻與物聯(lián)網(wǎng)芯片等新應(yīng)用帶動(dòng)業(yè)績(jī)成長(zhǎng)。

值得注意的是，中芯國(guó)際聯(lián)席首席執(zhí)行官梁孟松透露，中芯國(guó)際FinFET研發(fā)進(jìn)展順利，12nm工藝開(kāi)發(fā)進(jìn)入客戶(hù)導(dǎo)入階段，下一代FinFET研發(fā)在過(guò)去積累的基礎(chǔ)上進(jìn)度喜人，上海中芯南方FinFET工廠(chǎng)順利建造完成，開(kāi)始進(jìn)入產(chǎn)能布建。

展望今年第二季度，中芯國(guó)際預(yù)計(jì)季度收入增加17%至19%，毛利率介于18%至20%的范圍內(nèi)。