SK海力士在中國無錫舉行了C2F儀式。C2F是C2現有的d-RAM生產線的擴展版本，SK海力士已決定在過去2016年擴大生產線，以解決由于缺乏空間技術移民的生產問題。無錫市委市政府領導、SK Hynix CEO李錫熙、韓國駐上海總領事崔泳杉等人出席了竣工儀式。

SK海力士于2004年與中國江蘇省無錫市簽訂合同，在當地建立制造工廠，并于2006年完成生產線（C2），開始生產DRAM。C2是公司首款300mm FAB工廠，在SK海力士DRAM業務發展中發揮了重要作用。但隨著技術的擴展，工藝技術難度增加，設備變得越來越大，導致潔凈室空間不足。因此，SK海力士于2017年6月至2019年4月投資建廠，以確保增加生產空間。

C2F是一個單層FAB廠房，建筑面積58000平方米，建筑規模與現有的C2 FAB廠房相似。SK海力士已完成了部分C2F潔凈室的建設，安裝設備后將開始生產DRAM，也會根據市場情況靈活確定額外潔凈室建設和設備安裝的時間。

無錫FAB工廠負責人Kang Young Soo表示，通過完成C2F廠房的建設，將能確保SK海力士無錫FAB的中長期競爭力。通過將C2F和C2作為一個FAB運營，我們將最大限度地提高無錫FAB工廠的生產和運營效率。”

SK Hynix無錫二廠達產之后，月產能將達到18萬片12英寸晶圓，年銷售額預計為83億美元，這將是全球單體投資規模最大、月產能最大、技術最先進的10納米級DRAM產品生產基地，可將SK Hynix在中國DRAM市場上的份額從目前的35%提升到45%的水平。

三星專注于提高核心技術，已宣布在平澤廠規模量產12GB LPDDR4X，2019下半年將增加3倍的供應量，還率先進入1znm技術，下半年量產8Gb DDR4，生產率可提高20%以上。美光也將在2019下半年持續增加1ynm產量，同時送樣下一代1znm新技術產品。

面對競爭對手的頻頻動作，尤其是三星率先進入1znm DRAM工藝，給SK海力士帶來了不少的壓力，SK海力士1ynm DRAM將在2019年開始供貨，成功開發出的1ynm 16Gb DDR5，傳輸速率比上一代的3200Mbps快約60％，計劃將于2020年大規模量產。

SK海力士DRAM生產基地除了中國無錫工廠，韓國利川也是重要的生產基地，而且正在新建M16工廠，可能將用于生產DRAM，或者跟M14一樣是生產NAND Flash和DRAM的混合工廠，將視未來需求而定。

SK Hynix無錫二廠宣布開工正是DRAM內存價格高漲的時候，不過時至今日DRAM內存價格江河日下，18萬片/月的產能對內存市場的供應來說影響可不小，盡管現在還不會立即達到目標產能，但是無錫工廠的產能大增對全球DRAM內存價格可能是雪上加霜，導致DRAM內存價格持續下滑。

由于智能型手機、PC、數據中心等市場需求放緩，使得DRAM市場供過于求，從2018年開始DRAM市場價格也一直在下滑。

雖然SK海力士C2F廠增加產能對于目前供過于求的DRAM市場不利，恐對市場價格再次沖擊，但面對三星、美光等競爭對手，提高DRAM在市場上的競爭力是必要的。眾人皆知三星、SK海力士、美光是DRAM市場主要芯片供應商，面對低迷的DRAM市況，理應采取措施應對。其中為了平衡DRAM市場供需，美光還決定減產Wafer產出量。當然，對消費者來說，DRAM內存降價就不是什么壞事了，8GB內存單條跌倒200元是很多人都在期待的好事。