新興的寬禁帶(WBG)碳化硅和氮化鎵功率器件越來越廣泛地應用在電力電子產品中來提升效率和功率密度. 培訓內容介紹了WBG功率器件特性, 及應用. 并且詳細的分析了開關性能,損耗計算以及測試,仿真技巧.
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
ti
+關注
關注
114文章
8068瀏覽量
219253 -
仿真
+關注
關注
54文章
4483瀏覽量
138279 -
功率
+關注
關注
14文章
2120瀏覽量
75584
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
L6377智能功率開關:工業應用的可靠解決方案
L6377智能功率開關:工業應用的可靠解決方案 在工業電子領域,對于高側開關應用的需求日益增長,對器件的性能和可靠性也提出了更高的要求。L6
LMG3410R070RWHR 高性能 GaN 功率器件
LMG3410R070RWHR高性能GaN功率器件產品型號:LMG3410R070RWHR產品品牌:TI/德州儀器產品封裝:VQFN32產品功能:高性能GaN
電源功率器件篇:線路寄生電感對開關器件的影響
開關器件作為數字電源的核心部件,其性能直接影響整個電源系統的效率、穩定性和可靠性。隨著開關頻率從傳統的 kHz 級躍升至 MHz 級,以及碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等第三代半導
發表于 07-02 11:22
使用碳化硅 MOSFET 降低高壓開關模式電源系統的損耗
,而使用像碳化硅 (SiC) 這樣的基于寬帶隙 (WBG) 技術的功率器件就可以滿足這些要求,而且這種技術還在不斷改進。 為什么選擇 SiC? 與硅 (Si) 相比,SiC 等 WBG
什么是功率器件?特性是什么?包含哪些?
、整流及逆變等功能。其典型特征為處理功率通常大于1W,在高壓、大電流工況下保持穩定性能。 一、主要分類 ? 按器件結構劃分 ? ? 二極管 ?:如整流二極管、快恢復二極管,用于單向導電與電壓鉗位; ? 晶體管 ?:含雙極結型晶體
功率器件開關功耗測試詳細步驟 HD3示波器輕松搞定MOSFET開關損耗測試
功率器件(MOSFET/IGBT) 是開關電源最核心的器件同時也是最容易損壞的器件之一。在開關電
發表于 05-14 09:03
?1471次閱讀
開關電源拓撲結構介紹
一 、緒論開關電源電路拓撲是指功率器件和電磁元件連接在電路中的方式,而磁性元件設計、閉環補償電路以及所有其他電路元件的設計都依賴于拓撲。 拓撲可分為:開關型和非
發表于 05-12 16:04
基于氮化鎵的碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅動器
對于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言,優化的柵極驅動尤為重要。此類轉換器的快速開關需仔細考量寄生參數、過沖/欠沖現象以及
浮思特 | 從硅基到寬禁帶:逆變器功率器件的代際跨越與選型策略
主導著逆變器設計領域。然而,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件的出現正在重塑行業格局。這些器件具有更高效率、更大功率
寬帶隙WBG功率晶體管的性能測試與挑戰
功率電子技術的快速發展,得益于寬帶隙(WBG)半導體材料的進步,尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統硅材料相比,這些材料具有更高的擊穿電壓、更好的熱導率和更快的開關速度。這些特性使得
概倫電子功率器件及電源芯片設計分析驗證工具PTM介紹
PTM是一款應用于功率器件和電源芯片的設計分析套件,支持高精度提取Rdson、驗證器件的開關行為,以此提高IC產品的可靠性和壽命,已獲得頂級IDM和設計公司的認可和采用。
WBG功率器件的開關性能介紹
評論