聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
ti
+關注
關注
114文章
8068瀏覽量
219223 -
電壓
+關注
關注
45文章
5773瀏覽量
121841 -
MOSEFT
+關注
關注
0文章
37瀏覽量
4953
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
MAX15025:高速MOSFET柵極驅動器的卓越之選
MAX15024/MAX15025:高速MOSFET柵極驅動器的卓越之選 在電子工程師的日常設計中,選擇合適的MOSFET柵極
EiceDRIVER? APD 2ED2410-EM:高性能汽車MOSFET柵極驅動器解析
EiceDRIVER? APD 2ED2410-EM:高性能汽車MOSFET柵極驅動器解析 在汽車電子領域,對于可靠且高效的MOSFET柵極
MOSFET柵極閾值電壓Vth
(1)Vth是指當源極與漏極之間有指定電流時,柵極使用的電壓;
(2)Vth具有負溫度系數,選擇參數時需要考慮。
(3)不同電子系統選取MOSFET管的閾值電壓Vth并不相同,需要根據系統的驅動
發表于 12-16 06:02
為什么MOSFET柵極前面要加一個100Ω電阻
是MOS管柵極存在的寄生電容。一般為了加快MOS管導通和截止的速度,降低其導通和截止過程中的產生損耗,柵極上的等效電阻是應該越小越好,最好為0。
但我們卻經常會看到關于MOSFET的電
發表于 12-02 06:00
MOSFET柵極電壓異常或失控的原因與對策
在功率電子系統中,MOSFET以其高開關速度和低導通損耗而被廣泛應用于電源管理、馬達驅動及DC-DC轉換等領域。然而,FAE在現場調試和失效分析中發現,柵極電壓異常或失控是造成MOSFET
?DRV8300 100V三相BLDC柵極驅動器技術文檔總結
DRV8300是100V三半橋柵極驅動器,能夠驅動高側和低側N溝道功率MOSFET。該DRV8300D使用集成自舉二極管和用于高側 MOSFET
?DRV8300-Q1 三相BLDC柵極驅動器技術文檔總結
DRV8300 -Q1 是 100V 三半橋柵極驅動器,能夠驅動高側和低側 N 溝道功率 MOSFET。DRV8300 -Q1 使用集成自舉二極管和用于高側
?DRV8300U 三相BLDC柵極驅動器技術文檔總結
DRV8300U是100V三半橋柵極驅動器,能夠驅動高側和低側N溝道功率MOSFET。該DRV8300UD使用集成的自舉二極管和用于高側MOSFET
?DRV8351-SEP 汽車級三相BLDC柵極驅動器技術文檔總結
DRV8351-SEP是一款三相半橋柵極驅動器,能夠驅動高側和低側N溝道功率MOSFET。DRV8351-SEPD 使用集成自舉二極管和用于高端 M
MOSFET柵極應用電路分析匯總(驅動、加速、保護、自舉等等)
同時抑制EMI干擾。5:保護柵極,防止異常高壓條件下柵極擊穿。6:增加驅動能力,在較小的信號下,可以驅動MOSFET。
純分享貼,有需要可以
發表于 05-06 17:13
集成雙極晶體管的MOSFET驅動電路以及外圍器件選型設計講解
前言
在MOSFET驅動電路中,經常會遇到使用集成雙極晶體管BJT作為柵極驅動器的情況。這種設計在PWM控制或電機驅動中非常常見,尤其是在需
發表于 03-11 11:14
MOSFET柵極驅動產生振蕩的原因及如何解決
評論