東芝周二晚些時候表示，它已開始采用其首個UFS 3.0存儲解決方案。該器件面向移動應用，有望提供與PC高端SSD相媲美的性能。

東芝的UFS 3.0存儲陣容將包括128 GB，256 GB和512 GB的內存，這些內存最初將首先針對今年晚些時候推出的高端智能手機。最初，東芝將對128 GB設備進行采樣，而更高容量的驅動器將在2019年3月之后提供。所有新產品都基于東芝的96層BiCS4 3D TLC NAND存儲器以及內部開發的UFS 3.0控制器。

制造商沒有透露其UFS 3.0部件的性能，但僅表示其互連層在兩個全雙工通道上支持每通道高達11.6 Gbps（HS-Gear4）的數據速率以及QoS功能，以實現通過監控和培訓通信渠道進行更可靠的連接，這是規范的具有強制性速度的特征。UFS 3.0驅動器的最高性能約為2.9 GB / s，但東芝目前唯一公開的有關其UFS 3.0產品的信息是其旗艦512 GB設備的順序讀寫速度分別與Toshiba的上一代UFS 2.1產品相比大約高出70％和80％。至于電壓，它們是UFS 3.0標準的典型值：VCC為1.2 V，VCCQ2為1.8 V，VCC為2.5 V / 3.3 V.

UFS 3.0除了提高理論傳輸速率，而且溫度從-25℃至85℃擴展為- 40℃至105℃，并針對高溫下電子流失，增加了數據刷新操作，通過重寫數據延長高溫下數據保存時間，還增加了溫度提醒、報警功能，以符合汽車、監控、工業等領域對寬溫的要求。

新的UFS產品符合JEDEC UFS V3.0標準，單通道理論帶寬提升到11.6Gbps，傳輸速度是UFS 2.1的2倍，雙通道最高達23.2Gbps，用于滿足高端智能型手機，5G手機對更高傳輸速度的要求。

除了東芝是第一家開始對UFS 3.0存儲進行采樣的NAND制造商之外，該公司預計今年市場上將出現第一款將使用該驅動器的商用智能手機（因此可享受超快速存儲解決方案的優勢）。最終，UFS 3.0產品將用于其他性能要求苛刻的應用，例如AR / VR耳機。