憶芯科技NVMeSSD主控新款STAR1000P了解一下，4月可完成量產版本
繼2017年底重磅發(fā)布了首款面向高端消費級和入門企業(yè)級固態(tài)存儲（SSD）市場的NVMe SSD主控STAR1000后，近日北京憶芯科技有限公司（簡稱“憶芯”）在上海安莎國際會議中心再次重磅發(fā)布了又一款NVMe SSD主控——STAR1000P。
憶芯科技CEO沈飛
據憶芯科技CEO沈飛介紹，“STAR1000P正是研發(fā)始于2017年10月9日，其中包含了40名硬件工程師，經過286個日夜，提交310萬行設計驗證代碼，解決了552個JIRA和66項專利。終于在2018年7月16日正式流片，并于2019年1月22日發(fā)布，將會在今年4月份完成量產版本。”
從性能上來看，憶芯科技STAR1000P的順序讀取速度達到3.6 GB/秒，順序寫入速度達到3.2GB/秒，比上一代主控STAR1000的順序讀寫速度最高提升50%。同時，STAR1000P的隨機讀寫速度達到每秒750K IOPS（讀）/600K IOPS（寫），比STAR1000高出120%。STAR1000P支持PCIe Gen3x4、支持NVMe 1.3協(xié)議、8個flash通道，支持最高32 TB容量的存儲。其設計采用新思DesignWare? ARC HS38處理器多核結構，利用ARC可擴展架構與自定義指令集，提高硬件調度效率。
值得一提的是，在發(fā)布會現(xiàn)場，據Synopsys工程部門副總裁 Yankin Tanurhan博士介紹，憶芯是首個將Synopsys ARC處理器引入存儲領域的公司，而基于ARC處理器架構，使其能夠快速的設計迭代了新一代的芯片產品。
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