FQD8P10 / FQU8P10 P-Channel QFET? MOSFET：特性與應用解析

一、公司背景與產品編號變更

Fairchild已成為ON Semiconductor的一部分。由于系統要求，Fairchild部分可訂購的產品編號需變更，原編號中的下劃線“_”將替換為破折號“-”。大家可訪問ON Semiconductor官網（www.onsemi.com）核實更新后的設備編號。

文件下載：FQU8P10-D.pdf

二、FQD8P10 / FQU8P10 MOSFET產品概述

（一）產品描述

FQD8P10 / FQU8P10是P-Channel QFET? MOSFET，采用Fairchild Semiconductor專有的平面條紋和DMOS技術制造。該先進技術旨在降低導通電阻，提供卓越的開關性能和高雪崩能量強度。此產品適用于開關模式電源、音頻放大器、直流電機控制和可變開關電源等應用。

（二）產品特性

1. 電氣性能
   • 電流與電壓：-6.6 A，-100 V，在VGS = -10 V、ID = -3.3 A時，RDS(on) 最大為530 mΩ。
   • 低柵極電荷：典型值為12 nC。
   • 低Crss：典型值為30 pF。
   • 100%雪崩測試：保證了產品在雪崩情況下的可靠性。
2. 熱特性
   • 結到外殼的熱阻（RθJC）最大為2.84 °C/W。
   • 結到環境的熱阻（RθJA）：最小2盎司銅焊盤時最大為110 °C/W；1平方英寸2盎司銅焊盤時最大為50 °C/W。

（三）絕對最大額定值

（四）封裝標記與訂購信息

（五）電氣特性

1. 關斷特性
   • 漏源擊穿電壓（BVDSS）：VGS = 0 V，ID = -250 μA時為 -100 V。
   • 擊穿電壓溫度系數（ΔBVDSS / ΔTJ）：ID = -250 μA，參考25°C時為 -0.1 V/°C。
   • 零柵壓漏極電流（IDSS）：VDS = -100 V，VGS = 0 V時最大為 -1 μA；VDS = -80 V，TC = 125°C時最大為 -10 μA。
   • 柵體泄漏電流（IGSSF、IGSSR）：正向和反向最大為100 nA。
2. 導通特性
   • 柵極閾值電壓（VGS(th)）：VDS = VGS，ID = -250 μA時為 -2.0 至 -4.0 V。
   • 靜態漏源導通電阻（RDS(on)）：VGS = -10 V，ID = -3.3 A時典型值為0.41 Ω，最大值為0.53 Ω。
   • 正向跨導（gFS）：VDS = -40 V，ID = -3.3 A時典型值為4.1 S。
3. 動態特性
   • 輸入電容（Ciss）：VDS = -25 V，VGS = 0 V，f = 1.0 MHz時為360 - 470 pF。
   • 輸出電容（Coss）：為120 - 155 pF。
   • 反向傳輸電容（Crss）：為30 - 40 pF。
4. 開關特性
   • 開啟延遲時間（td(on)）：VDD = -50 V，ID = -8.0 A，RG = 25 Ω時為11 - 30 ns。
   • 開啟上升時間（tr）：為110 - 230 ns。
   • 關斷延遲時間（td(off)）：為20 - 50 ns。
   • 關斷下降時間（tf）：為35 - 80 ns。
   • 總柵極電荷（Qg）：VDS = -80 V，ID = -8.0 A，VGS = -10 V時為12 - 15 nC。
   • 柵源電荷（Qgs）：典型值為3.0 nC。
   • 柵漏電荷（Qgd）：典型值為6.4 nC。
5. 漏源二極管特性和最大額定值
   • 最大連續漏源二極管正向電流（IS）：最大為 -6.6 A。
   • 最大脈沖漏源二極管正向電流（ISM）：最大為 -26.4 A。
   • 漏源二極管正向電壓（VSD）：VGS = 0 V，IS = -6.6 A時最大為 -4.0 V。
   • 反向恢復時間（trr）：VGS = 0 V，IS = -8.0 A，dIF / dt = 100 A/μs時為98 ns。
   • 反向恢復電荷（Qrr）：典型值為0.35 μC。

（六）典型特性

文檔中還給出了多個典型特性曲線，包括導通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源極電流和溫度的變化、傳輸特性、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導通電阻隨溫度的變化、最大安全工作區、最大漏極電流隨外殼溫度的變化以及瞬態熱響應曲線等。這些曲線有助于工程師更深入地了解產品在不同條件下的性能表現。

（七）測試電路與波形

文檔提供了柵極電荷測試電路及波形、電阻開關測試電路及波形、無鉗位電感開關測試電路及波形和峰值二極管恢復dv/dt測試電路及波形，為工程師進行產品測試和驗證提供了參考。

（八）機械尺寸

給出了TO252（D - PAK）和TO251（I - PAK）兩種封裝的機械尺寸圖，同時提醒用戶圖紙可能會隨時更改，可訪問Fairchild Semiconductor的在線包裝區域獲取最新的封裝圖紙。

三、商標與相關政策

（一）商標

Fairchild Semiconductor擁有眾多商標，如AccuPower?、AX - CAP?等。部分商標是經授權使用的。

（二）免責聲明

Fairchild Semiconductor保留對產品進行改進的權利，不承擔因產品應用或使用而產生的任何責任，也不授予專利權利許可。

（三）生命支持政策

Fairchild的產品未經書面批準，不得用于生命支持設備或系統的關鍵組件。

（四）防偽政策

Fairchild采取措施保護自身和客戶免受假冒零件的影響，鼓勵客戶從Fairchild或授權經銷商處購買產品。

（五）產品狀態定義

文檔給出了產品狀態的定義，包括提前信息（Formative / In Design）、初步（First Production）、無需標識（Full Production）和過時（Not In Production）等不同狀態及其含義。

四、總結與思考

FQD8P10 / FQU8P10 P - Channel QFET? MOSFET憑借其低導通電阻、良好的開關性能和高雪崩能量強度等特性，在開關模式電源、音頻放大器等領域具有廣泛的應用前景。工程師在使用該產品時，需仔細參考文檔中的各項參數和特性曲線，結合實際應用場景進行設計和驗證。同時，要注意產品編號的變更以及相關的商標、政策等信息。大家在實際應用中是否遇到過類似產品的問題呢？歡迎在評論區分享交流。