深入解析onsemi NTTFD018N08LC雙N溝道MOSFET

在電子設計領域，MOSFET作為關鍵的功率開關器件，其性能直接影響著電路的效率和穩定性。今天我們就來詳細探討一下onsemi推出的NTTFD018N08LC雙N溝道MOSFET。

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一、產品概述

NTTFD018N08LC是一款集成了兩個專門的N溝道MOSFET的雙封裝器件。其內部連接了開關節點，這一設計極大地方便了同步降壓轉換器的布局和布線。控制MOSFET（Q2）和同步MOSFET（Q1）經過精心設計，能夠提供最佳的功率效率。

二、產品特性

低導通電阻

Q1和Q2在不同的柵源電壓和漏極電流條件下，都具有較低的導通電阻。例如，在$V{GS}=10V$，$I{D}=7.8A$時，最大$r{DS(on)}$為18mΩ；在$V{GS}=4.5V$，$I{D}=6.2A$時，最大$r{DS(on)}$為29mΩ。低導通電阻有助于降低導通損耗，提高功率轉換效率。

低電感封裝

該產品采用低電感封裝，能夠有效縮短上升/下降時間，從而降低開關損耗。這對于高頻開關應用來說尤為重要，可以減少能量損耗，提高系統的整體效率。

RoHS合規

符合RoHS標準，意味著該產品在環保方面符合相關要求，減少了對環境的影響，同時也滿足了一些對環保有嚴格要求的應用場景。

三、典型應用

48V輸入初級半橋

在48V輸入的初級半橋電路中，NTTFD018N08LC能夠發揮其低導通電阻和低開關損耗的優勢，提高電路的效率和穩定性。

通信領域

在通信設備中，對電源的效率和穩定性要求較高。該MOSFET可以用于通信設備的電源模塊，為設備提供穩定可靠的電源供應。

通用負載點應用

適用于各種通用負載點應用，為不同的負載提供合適的功率支持。

四、電氣參數

最大額定值

電氣特性

關斷特性

• $B{V{DSS}}$：在$I{D}=250mu A$，$V{GS}=0V$時，Q1的$B{V{DSS}}$為80V。
• 零柵壓漏極電流：在$V{DS}=64V$，$V{GS}=0V$時，最大值為1μA。
• $I_{GSS}$：最大值為±100μA。

導通特性

• $V{GS(th)}$（柵源閾值電壓）：在$V{GS}=V{DS}$，$I{D}=44A$時，Q1和Q2的典型值為1.5V，最小值為1.0V，最大值為2.5V。
• $r{DS(on)}$（漏源導通電阻）：在$V{GS}=10V$，$I{D}=7.8A$時，典型值為15mΩ，最大值為18mΩ；在$V{GS}=4.5V$，$I_{D}=6.2A$時，典型值為22mΩ，最大值為29mΩ。

動態特性

• 輸入電容$C{ISS}$：Q1和Q2在$V{DS}=40V$，$V_{GS}=0V$，$f = 1MHz$時，典型值為856pF。
• 輸出電容$C_{OSS}$：Q1和Q2在上述條件下，典型值為230pF。
• 反向傳輸電容$C_{RSS}$：Q1和Q2的典型值為10pF。
• 柵極電阻$R{G}$：Q1和Q2在$T{A}=25^{circ}C$時，典型值為0.5Ω。

開關特性

• 開啟延遲時間$t{d(ON)}$：在$V{DD}=40V$，$V{GS}=4.5V$，$I{D}=6.2A$，$R_{GEN}=6Ω$時，Q1和Q2的典型值為9.4ns。
• 上升時間$t_{r}$：典型值為5.8ns。
• 關斷延遲時間$t_{D(OFF)}$：典型值為14.6ns。
• 下降時間$t_{f}$：典型值為5.5ns。
• 總柵極電荷$Q{g}$：在$V{GS}=0V$到10V時，Q1和Q2的典型值為12.4nC；在$V_{GS}=0V$到4.5V時，典型值為6.0nC。

漏源二極管特性

• 源漏二極管正向電壓$V{SD}$：在$V{GS}=0V$，$I_{S}=7.8A$時，典型值為0.82V，最大值為1.5V。
• 反向恢復時間$t{rr}$：在$I{F}=7.8A$，$di/dt = 300A/s$時，典型值為13.3ns；在$I_{F}=7.8A$，$di/dt = 1000A/s$時，典型值為10.3ns。
• 反向恢復電荷$Q_{rr}$：在上述條件下，分別為18.1nC和51nC。

五、熱特性

熱特性對于MOSFET的性能和可靠性至關重要。合適的熱阻能夠確保MOSFET在工作過程中產生的熱量及時散發出去，避免因過熱而損壞。

六、封裝與標識

封裝

采用Power Clip 33對稱（WQFN12）封裝，這種封裝具有良好的電氣和熱性能，適合高密度集成應用。

標識

標識為D018 AYWWZZ，其中D018為特定器件代碼，A為組裝工廠代碼，Y為數字年份代碼，WW為工作周代碼，ZZ為組裝批次代碼。

七、總結

onsemi的NTTFD018N08LC雙N溝道MOSFET具有低導通電阻、低電感封裝、RoHS合規等優點，適用于多種應用場景。在設計電路時，電子工程師需要根據具體的應用需求，合理選擇MOSFET的參數，并注意其熱特性和最大額定值，以確保電路的穩定性和可靠性。大家在實際應用中，是否遇到過MOSFET的散熱問題呢？又是如何解決的呢？歡迎在評論區分享你的經驗。