MAX4959/MAX4960:高電壓過壓保護與電池切換解決方案
在電子設備的設計中,過壓保護和電池切換功能至關重要,它們能確保設備在復雜的電源環境下穩定運行。Maxim Integrated推出的MAX4959/MAX4960芯片,為低電壓系統提供了高達+28V的過壓保護以及電池切換功能,下面我們來詳細了解一下這款芯片。
文件下載:MAX4959ELB+T.pdf
一、產品概述
MAX4959/MAX4960過壓保護控制器可保護低電壓系統免受高達+28V的高壓故障影響。當輸入電壓超過過壓鎖定(OVLO)閾值時,這些設備會關閉外部pFET,防止受保護組件受損。欠壓鎖定(UVLO)閾值則會使外部pFET保持關閉狀態,直到輸入電壓升至正確水平。此外,當插入不正確的低功率適配器時,還有額外的安全功能會鎖定pFET。
該芯片還能控制外部電池切換pFET(P2),在交流適配器拔掉時切換到電池供電。欠壓和過壓跳閘電平可通過外部電阻進行調整。輸入通過一個1μF陶瓷電容接地旁路時,可抵御±15kV HBM ESD。所有設備均采用小型10引腳(2mm x 2mm)μDFN封裝,工作溫度范圍為 -40°C至 +85°C。
二、應用領域
MAX4959/MAX4960適用于多種電子設備,如筆記本電腦、便攜式電腦、攝像機和超移動PC等。這些設備通常需要可靠的電源保護和電池切換功能,以確保在不同電源條件下穩定運行。
三、產品特性
- 過壓保護:高達+28V的過壓保護,±2.5%的精確外部可調OVLO/UVLO閾值,能有效應對各種過壓情況。
- 電池切換:具備電池切換pFET控制功能,可在適配器拔掉時自動切換到電池供電,保證設備持續運行。
- 電源適配器保護:防止不正確的電源適配器對設備造成損害,提高系統的穩定性。
- 低功耗:典型供電電流僅為100μA,有助于降低設備的功耗。
- 輸入去抖和消隱時間:25ms的輸入去抖定時器和25ms的消隱時間,可有效過濾干擾信號,提高系統的可靠性。
- 小型封裝:采用10引腳(2mm x 2mm)μDFN封裝,節省電路板空間。
四、電氣特性
輸入電壓范圍
輸入電壓范圍為4V至28V,可適應不同的電源環境。
過壓和欠壓閾值
過壓可調跳閘范圍為6V至28V,欠壓可調跳閘范圍為5V至28V,可根據實際需求進行調整。
參考電壓
過壓比較參考電壓(OV REF)和欠壓比較參考電壓(UV REF)在VIN上升沿和下降沿分別為1.18V至1.276V。
漏電流
OVS和UVS輸入漏電流范圍為 -100nA至 +100nA,確保芯片的穩定性。
跳閘滯后
過壓和欠壓跳閘滯后均為1%,可避免頻繁跳閘。
電源電流
IN電源電流在VIN = +19V,VOVS < OV REF和VUVS > UV REF時,典型值為100μA,最大值為300μA;VDD電源電流在VDD = +5V,VIN = 0V時,最大值為10μA。
開關電阻
GATE1和GATE2的開漏MOS導通電阻在特定條件下最大值為1kΩ。
定時參數
去抖時間為10ms至40ms,GATE1和GATE2從CB引腳的斷言延遲典型值為50ns,消隱時間為10ms至40ms。
五、引腳描述
| 引腳 | 名稱 | 功能 |
|---|---|---|
| 1 | GATE1 | pFET柵極驅動輸出,開漏。在正常工作時,GATE1被驅動為低電平,外部pFET P1導通;在過壓或欠壓故障時,GATE1變為高電平,P1關閉。 |
| 2, 9 | N.C. | 無連接。可連接到地或保持未連接狀態。 |
| — | SOURCE1 | pFET源極輸出。內部有一個電阻連接在SOURCE1和GATE1之間。 |
| 3 | IN | 電壓輸入。既是電源輸入,也是過壓/欠壓檢測輸入。需通過一個1μF陶瓷電容接地旁路,以獲得±15kV的ESD保護。 |
| 4 | UVS | 欠壓閾值設置輸入。連接到一個從IN到GND的外部電阻分壓器,用于設置欠壓鎖定閾值。 |
| 5 | OVS | 過壓閾值設置輸入。連接到一個從IN到GND的外部電阻分壓器,用于設置過壓鎖定閾值。 |
| 6 | VDD | 內部電源輸出。需通過一個最小0.1μF的電容接地旁路,為內部上電復位電路供電。 |
| 7 | CB | 電池切換控制輸入。當CB為高電平時,GATE1為高電平(P1關閉),GATE2為低電平(P2導通);當CB為低電平時,GATE1由內部邏輯控制,GATE2為高阻抗(P2關閉)。 |
| 8 | GND | 接地 |
| 10 | GATE2 | pFET柵極驅動輸出,開漏。當CB為高電平時,GATE2為低電平(P2導通);當CB為低電平時,GATE2為高阻抗(P2關閉)。 |
六、詳細工作原理
欠壓鎖定(UVLO)
MAX4959/MAX4960的欠壓鎖定閾值可在+5V至+28V范圍內調節。當VIN小于VUVLO時,設備會等待一個消隱時間tBLANK,以判斷故障是否仍然存在。如果在tBLANK結束時故障不存在,P1保持導通;如果VIN小于VUVLO的時間超過消隱時間,設備會關閉P1,直到VIN < 0.75V時P1才會再次導通。
過壓鎖定(OVLO)
過壓鎖定閾值可在+6V至+28V范圍內調節。當VIN大于VOVLO時,設備會立即關閉P1。當VIN下降到VOVLO以下時,經過去抖時間后P1會再次導通。
不同電源情況分析
- 高電壓適配器(VIN > VOVLO):如果插入電壓高于VOVLO的適配器,MAX4959/MAX4960處于過壓保護狀態,P1保持關閉或立即關閉。過壓保護沒有消隱時間,但當IN電壓下降到VOVLO以下但高于VUVLO時,去抖時間起作用。此時,CB引腳不控制P1。
- 正確適配器(VUVLO < VIN < VOVLO):插入適配器后,設備會經過一個20ms(典型值)的去抖時間,確保IN電壓在VUVLO和VOVLO之間后才會導通P1。在這種狀態下,CB引腳控制P1和P2。
- 低功率適配器或干擾情況:如果適配器電壓正確但功率不足,MAX4959/MAX4960會保護pFET P1免受振蕩影響。插入適配器時,P1初始為關閉狀態,電壓正常。經過去抖時間后P1導通,低功率適配器電壓會被拉低到VUVLO以下。設備會等待10ms的消隱時間,確保不是臨時干擾。如果故障仍然存在,會鎖定P1,直到適配器拔掉(VIN < 0.75V)并重新插入。
- 適配器未插入(VIN < VUVLO):當輸入電壓VIN下降到4.4V以下時,P1會自動關閉,直到適配器拔掉(VIN < 0.75V)并重新插入才會再次導通。適配器未插入時,P1通過柵源電阻保持關閉狀態,CB引腳控制電池切換pFET P2。
七、應用設計要點
MOSFET配置與選擇
MAX4959/MAX4960可與單個MOSFET配置使用,以低成本方式調節電壓。為降低導通電阻,外部MOSFET可采用多個pFET并聯。大多數情況下,VGS為4.5V時RDS(ON)指定的MOSFET效果良好,且MOSFET的VDS ≥ 30V可承受MAX4959/MAX4960的+28V輸入范圍。
過壓/欠壓窗口電阻選擇
MAX4959/MAX4960包含欠壓和過壓比較器,用于窗口檢測。通過外部電阻分壓器設置OVLO和UVLO閾值。電阻值R1、R2和R3的計算方法如下:
- 選擇RTOTAL(R1 + R2 + R3)的值,由于芯片輸入阻抗很高,RTOTAL可達5MΩ。
- 根據RTOTAL和所需的VOVLO跳閘點計算R3:[R 3=frac{OV{REF } × R{TOTAL }}{V_{OVLO }}]
- 根據RTOTAL、R3和所需的VUVLO跳閘點計算R2:[R 2=left[frac{U V{REF } × R{TOTAL }}{V_{UVLO }}right]-R 3]
- 根據RTOTAL、R2和R3計算R1:[R 1= RTOTAL - R 2-R 3]
需注意,外部設置的OVLO和UVLO閾值之比不得超過4。
VDD電容選擇
VDD由線性穩壓器調節至+5V。由于最小外部可調UVLO跳閘閾值為+5V,VDD范圍為+5V至+28V。VDD電容必須足夠大,以在VIN降至0V時為設備提供外部可設置時間tHOLD的電源。電容值計算公式為:[C=(IVDD × tHOLD) /(VDD - VDDUVLO)]
最壞情況下,當VIN = +5V,VDD = VIN - 0.8V = +4.2V,IVDD = 10μA(最大值),tHOLD為20ms時,C = (10μA × 20ms) / (4.2V - 2.2V) = 100nF。電容必須大于100nF以確保內部穩壓器穩定,且需具有低ESR和低泄漏電流,如陶瓷電容。
IN旁路考慮
大多數應用中,需通過一個1μF陶瓷電容將IN接地旁路。如果電源因長引線長度具有顯著電感,需注意防止LC諧振電路引起的過沖,并在必要時提供保護,以防止VIN超過+30V的絕對最大額定值。如果存在負電壓問題,可從IN到GND連接一個肖特基二極管以鉗位負輸入電壓。
ESD測試條件
當IN通過一個1μF陶瓷電容接地旁路時,MAX4959/MAX4960可抵御±15kV人體模型ESD。
八、總結
MAX4959/MAX4960為電子設備的電源保護和電池切換提供了可靠的解決方案。其豐富的功能和靈活的配置選項,使其適用于多種應用場景。在設計過程中,工程師需根據具體需求合理選擇MOSFET、電阻和電容等元件,以確保系統的穩定性和可靠性。你在使用類似芯片時遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區分享你的經驗。
-
過壓保護
+關注
關注
3文章
353瀏覽量
33900
發布評論請先 登錄
MAX4959/MAX4960:高電壓過壓保護與電池切換解決方案
評論