深入解析 FDB024N04AL7 N 溝道 PowerTrench? MOSFET
一、引言
飛兆半導體(Fairchild)現已并入安森美半導體(ON Semiconductor)。在半導體行業不斷發展的今天,電子工程師們需要深入了解各類器件的性能和特性,以滿足不同設計需求。今天,我們聚焦于 FDB024N04AL7 N 溝道 PowerTrench? MOSFET 這款產品,詳細探討其各項特性、參數及應用場景。
文件下載:FDB024N04AL7CN-D.pdf
二、產品背景與名稱變更
由于飛兆半導體與安森美半導體的整合,部分飛兆可訂購的產品編號需要更改以符合安森美半導體的系統要求。特別是產品編號中的下劃線(_)將被改為破折號(-),大家可通過安森美半導體網站(www.onsemi.com)來驗證更新后的器件編號。
三、FDB024N04AL7 特性
3.1 低導通電阻
典型值 (R{DS(on)}=2.0 mΩ)(@ (V{GS}=10 V),(I_{D}=80 A)),這種低導通電阻特性降低了功率損耗,提高了效率,在高功率應用中表現出色。大家想想,在一個需要大電流輸出的電路里,低導通電阻能減少多少發熱和能量損耗呢?
3.2 開關性能優越
具有快速開關速度和低柵極電荷。這使得它在高頻應用中能夠快速響應,降低開關損耗,提高系統的整體性能。例如在高頻的電源轉換電路中,快速開關速度能使電路更高效地工作。
3.3 高性能溝道技術
可實現極低的 (R_{DS(on)}),同時具備高功率和高電流處理能力。這意味著它能夠承受較大的功率和電流,適用于對功率要求較高的場合。
3.4 環保標準
符合 RoHS 標準,這符合當前環保的要求,也為產品的應用范圍提供了更廣泛的可能性。
四、產品描述
FDB024N04AL7 采用飛兆半導體先進的 PowerTrench 工藝生產。該工藝專為最大限度地降低導通電阻并保持卓越開關性能而定制,在保證低電阻的同時,還能有良好的開關響應,為電子工程師的設計提供了有力的支持。
五、應用領域
5.1 同步整流
用于 ATX/ 服務器/ 電信 PSU 的同步整流,能有效提高電源的效率和穩定性。在服務器電源中,高效的同步整流可以降低功耗,延長服務器的使用壽命。
5.2 電池保護電路
可以對電池進行有效的保護,防止過充、過放等情況的發生,保障電池的安全和性能。
5.3 電機驅動和不間斷電源
在電機驅動中,能夠提供穩定的功率輸出;在不間斷電源中,確保在市電中斷時能迅速切換,為設備提供穩定的電力支持。
六、參數詳解
6.1 最大額定值
| 符號 | 參數 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| (V_{DSS}) | 漏極 - 源極電壓 | 40 | V |
| (V_{GSS}) | 柵極 - 源極電壓 | +20 | V |
| (I_{D}) | 漏極電流(連續,(T_{C}=25^{circ} C),硅限制) | 219* | A |
| (I_{D}) | 漏極電流(連續,(T_{C}=100^{circ} C),硅限制) | 155* | A |
| (I_{D}) | 漏極電流(連續,(T_{C}=25^{circ} C),封裝限制) | 100 | A |
| (I_{DM}) | 漏極電流(脈沖) | 876 | A |
| (E_{AS}) | 單脈沖雪崩能量 | 864 | mJ |
| (dv/dt) | 二極管恢復 (dv/dt) 峰值 | 6.0 | V/ns |
| (P_{D}) | 功耗((T_{C}= 25^{circ} C)) | 214 | W |
| (P_{D}) | 高于 25°C 的功耗系數 | 1.43 | W/°C |
| (T{J},T{STG}) | 工作和存儲溫度范圍 | -55 至 +175 | (^{circ}C) |
| (T_{L}) | 用于焊接的最高引腳溫度(距離外殼 1/8",持續 5 秒) | 300 | (^{circ}C) |
注:連續電流是基于最高可允許的結溫計算所得,封裝限制電流為 120 A。
6.2 熱性能
| 符號 | 參數 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| (R_{θJC}) | 結點 - 殼體的熱阻 | 0.7 | (^{circ}C/W) |
| (R_{θJA}) | 結至環境熱阻 | 62.5 | (^{circ}C/W) |
6.3 電氣特性
包括關斷特性、導通特性、動態特性、開關特性、漏極 - 源極二極管特性等。這些特性在不同的測試條件下都有明確的參數范圍,為工程師在設計電路時提供了詳細的參考。例如,在導通特性中,柵極閾值電壓 (V{GS(th)}) 在 (V{GS} = V{DS}),(I{D} = 250 μA) 時,最小值為 1.0 V,典型值為 3.0 V。
七、典型性能特征
文檔中給出了多個典型性能特征的圖表,如導通區域特性、傳輸特性、導通電阻變化與漏極電流和柵極電壓的關系等。這些圖表直觀地展示了器件在不同條件下的性能表現,工程師可以根據圖表來預測器件在實際應用中的性能,從而優化電路設計。
八、結語
FDB024N04AL7 N 溝道 PowerTrench? MOSFET 憑借其優異的特性和廣泛的應用領域,成為電子工程師在設計中值得考慮的選擇。我們在使用時,要充分了解其參數和性能,結合實際應用需求進行合理設計。同時,也要關注安森美半導體關于產品編號變更等相關信息,以確保設計的準確性和可靠性。大家在使用這款器件時,有沒有遇到過什么有趣的問題或者獨特的應用場景呢?歡迎在評論區分享。
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