FDB024N08BL7 N溝道PowerTrench? MOSFET：特性、參數與應用解析

飛兆半導體（Fairchild）如今已成為安森美半導體（ON Semiconductor）的一部分。在半導體整合過程中，部分飛兆可訂購的零件編號需進行更改，以滿足安森美半導體的系統要求，例如飛兆零件編號中的下劃線（_）將改為短橫線（-）。今天，我們就來詳細了解一款飛兆的產品——FDB024N08BL7 N溝道PowerTrench? MOSFET。

文件下載：FDB024N08BL7CN-D.pdf

一、產品概述

FDB024N08BL7是一款采用飛兆半導體先進的PowerTrench?工藝生產的N溝道MOSFET。該工藝專為最大限度地降低導通電阻并保持卓越開關性能而定制。它具有80V的漏極 - 源極電壓，連續漏極電流在不同條件下有不同表現，如在TC = 25°C（硅限制）時為229A，在TC = 100°C（硅限制）時為162A ，在TC = 25°C（封裝限制）時為120A 。

二、最大額定值與熱性能

1. 最大額定值

注：連續電流是基于最高可允許的結溫計算所得，封裝限制電流為120A。

2. 熱性能

熱性能對于MOSFET的穩定工作至關重要，工程師在設計電路時，需要根據這些熱阻參數來考慮散熱方案，以確保MOSFET在合適的溫度范圍內工作。

三、特性亮點

1. 低導通電阻：RDS(on) = 1.7 m?（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 100 A ，低導通電阻可以有效降低功率損耗，提高電路效率。
2. *低FOM RDS(on) QG**：這一特性有助于減少開關損耗，提升整體性能。
3. 低反向恢復電荷：Qrr = 112 nC，軟反向恢復體二極管，可實現高效同步整流。
4. 快速開關速度：能夠滿足高速開關應用的需求。
5. 符合環保標準：符合RoHS標準，并且通過JEDEC JESD22 - A113F和IPC/JEDEC J - STD - 020D.1認證。

四、應用領域

1. 同步整流：用于ATX/服務器/電信PSU的同步整流，可提高電源的效率和性能。
2. 電池保護電路：在電池保護電路中發揮重要作用，保障電池的安全使用。
3. 電機驅動和不間斷電源：為電機驅動和不間斷電源提供穩定可靠的開關控制。

五、電氣特性

1. 關斷特性

包括漏極 - 源極擊穿電壓BVDSS、擊穿電壓溫度系數?BVDSS/?TJ、零柵極電壓漏極電流IDSS、柵極 - 體漏電流IGSS等參數。這些參數反映了MOSFET在關斷狀態下的性能，對于電路的可靠性設計非常重要。

2. 導通特性

如柵極閾值電壓VGS(th)、漏極至源極靜態導通電阻RDS(on)、正向跨導gFS等。這些參數決定了MOSFET在導通狀態下的性能，工程師需要根據具體應用需求來選擇合適的參數。

3. 動態特性

包括輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Crss等。這些電容參數會影響MOSFET的開關速度和動態性能。

4. 開關特性

如導通延遲時間td(on)、導通上升時間tr、關斷延遲時間td(off)、關斷下降時間tf等。這些時間參數直接影響MOSFET的開關速度和效率。

5. 漏極 - 源極二極管特性

包括漏極 - 源極二極管最大正向連續電流IS、最大正向脈沖電流ISM、正向電壓VSD、反向恢復時間trr、反向恢復電荷Qrr等。這些參數對于二極管的性能和應用至關重要。

六、典型性能特征

文檔中給出了多個典型性能特征圖，如導通區域特性、傳輸特性、導通電阻變化與漏極電流和柵極電壓的關系、體二極管正向電壓變化與源極電流和溫度的關系等。這些圖表直觀地展示了MOSFET在不同條件下的性能表現，工程師可以根據這些圖表來評估MOSFET在實際應用中的性能。

七、機械尺寸與封裝

該MOSFET采用TO - 263 (D2PAK)，模塑，7引腳，表面貼裝封裝。封裝圖紙可能會在沒有任何通知的情況下做出改動，如有疑問，可聯系飛兆半導體代表核實或獲得最新版本。

八、注意事項

安森美半導體保留對產品進行更改的權利，并且不承擔因產品應用或使用而產生的任何責任。同時，該產品不適合用于生命支持系統或FDA Class 3醫療設備等關鍵應用。如果購買或使用該產品用于非預期或未經授權的應用，買家需承擔相應的責任。

在實際設計中，工程師們需要根據具體的應用場景和需求，綜合考慮FDB024N08BL7的各項參數和特性，以確保電路的性能和可靠性。大家在使用這款MOSFET的過程中，有沒有遇到過什么問題或者有什么獨特的應用經驗呢？歡迎在評論區分享。