FDB0170N607L N-Channel PowerTrench? MOSFET：高性能工業應用利器

在電子工程領域，MOSFET作為重要的功率器件，廣泛應用于各種工業場景。今天，我們就來深入了解一下FDB0170N607L這款N-Channel PowerTrench? MOSFET，看看它有哪些獨特的性能和應用優勢。

文件下載：FDB0170N607L-D.pdf

一、公司背景與產品變更說明

Fairchild Semiconductor現已成為ON Semiconductor的一部分。由于系統要求，部分Fairchild可訂購的零件編號需要更改，特別是Fairchild零件編號中的下劃線（_）將更改為破折號（-）。大家可以通過ON Semiconductor的網站（www.onsemi.com）來驗證更新后的器件編號。

二、產品概述

FDB0170N607L是一款N-Channel MOSFET，采用了Fairchild Semiconductor先進的PowerTrench?工藝。該工藝專門針對工業應用進行了優化，在保持出色的耐用性和開關性能的同時，最大限度地降低了導通電阻。

（一）關鍵參數

• 電壓與電流：耐壓60V，連續漏極電流在(T_C = 25^{circ}C)時可達300A，(T_C = 100^{circ}C)時為210A，脈沖電流可達1620A。
• 導通電阻：在(V_{GS}=10V)，(ID = 39A)時，最大(r{DS(on)} = 1.4mΩ)。

（二）產品特性

1. 快速開關速度：能夠實現快速的導通和關斷，減少開關損耗，提高系統效率。
2. 低柵極電荷：降低了驅動電路的功耗，提高了開關速度和響應性能。
3. 高性能溝槽技術：實現了極低的(R_{DS(on)})，減少了導通損耗，提高了功率轉換效率。
4. 高功率和電流處理能力：能夠承受較大的功率和電流，適用于高功率應用場景。

三、應用領域

該MOSFET具有廣泛的應用領域，包括但不限于以下幾個方面：

1. 工業電機驅動：為電機提供高效的功率控制，實現精確的速度和轉矩調節。
2. 工業電源：在電源轉換中發揮重要作用，提高電源的效率和穩定性。
3. 工業自動化：用于自動化設備的功率控制，確保設備的可靠運行。
4. 電池供電工具：延長電池的使用時間，提高工具的性能。
5. 電池保護：防止電池過充、過放和短路，保護電池的安全。
6. 太陽能逆變器：將太陽能轉換為電能，提高太陽能發電系統的效率。
7. UPS和能量逆變器：在不間斷電源和能量轉換中提供可靠的功率支持。
8. 能量存儲：用于能量存儲系統，實現能量的高效存儲和釋放。
9. 負載開關：實現對負載的快速開關控制，提高系統的靈活性。

四、電氣特性

（一）截止特性

• 漏源擊穿電壓（(B_{VDS})）：在(ID = 250μA)，(V{GS} = 0V)時，為60V。
• 擊穿電壓溫度系數（(Delta B_{VDS}/Delta T_J)）：在(I_D = 250μA)，參考溫度為(25^{circ}C)時，為13mV/°C。
• 零柵壓漏極電流（(I_{DSS})）：在(V{DS} = 48V)，(V{GS} = 0V)時，為μA（文檔未明確具體數值）。
• 柵源泄漏電流（(I_{GSS})）：在(V{GS} = ±20V)，(V{DS} = 0V)時，為±100nA。

（二）導通特性

• 柵源閾值電壓（(V_{GS(th)})）：在(VS = V{PS})，(I_D = 250A)時，最小值為2V，典型值為3V，最大值為4V。
• 柵源閾值電壓溫度系數（(Delta V_{GS(th)}/Delta T_J)）：在(I_D = 250A)，參考溫度為(25^{circ}C)時，為 -13mV/°C。
• 靜態漏源導通電阻（(R_{DS(on)})）：在(V_{GS} = 10V)，(ID = 39A)時，典型值為1.1mΩ，最大值為1.4mΩ；在(V{GS} = 10V)，(I_D = 39A)，(T_J = 150^{circ}C)時，典型值為1.9mΩ，最大值為3.5mΩ。
• 正向跨導（(g_{FS})）：在(V_{DS} = 10V)，(I_D = 39A)時，典型值為159S。

（三）動態特性

• 輸入電容（(C_{iss})）：范圍為13750 - 19250pF。
• 輸出電容（(C_{oss})）：在(V{DS} = 30V)，(V{GS} = 0V)，(f = 1MHz)時，范圍為3235 - 4530pF。
• 反向傳輸電容（(C_{rss})）：范圍為240 - 340pF。
• 柵極電阻（(R_g)）：為2.5Ω。

（四）開關特性

• 導通延遲時間（(t_{d(on)})）：范圍為61 - 97ns。
• 上升時間（(t_r)）：范圍為64 - 103ns。
• 關斷延遲時間（(t_{d(off)})）：范圍為83 - 133ns。
• 下降時間（(t_f)）：范圍為37 - 60ns。
• 總柵極電荷（(Q_g)）：在(V{GS} = 0V)到10V時，范圍為173 - 243nC；在(V{GS} = 0V)到5V時，范圍為89 - 125nC。
• 柵源柵極電荷（(Q_{gs})）：為61nC。
• 柵漏“米勒”電荷（(Q_{gd})）：為26nC。

（五）漏源二極管特性

• 最大連續漏源二極管正向電流：為300A。
• 最大脈沖漏源二極管正向電流：為1620A。
• 源漏二極管正向電壓：在(V_{GS} = 0V)，(I_S = 39A)時，為0.8V。
• 反向恢復時間（(t_r)）：在(I = 39A)，(di/dt = 100A/s)時，范圍為90 - 144ns。
• 反向恢復電荷（(Q)）：范圍為95 - 152nC。

五、熱特性

（一）熱阻

• 結到殼熱阻（(R_{θJC})）：為0.6°C/W。
• 結到環境熱阻（(R_{θJA})）：在1in2的2oz銅焊盤上為40°C/W；在最小的2oz銅焊盤上為62.5°C/W。

（二）熱響應曲線

文檔中還給出了結到殼的瞬態熱響應曲線，這對于工程師在設計散熱系統時非常重要，可以幫助他們更好地了解器件在不同工作條件下的溫度變化情況。

六、封裝與訂購信息

該MOSFET采用D2-PAK (TO263) 封裝，器件標記為FDB0170N607L，卷盤尺寸為330mm，膠帶寬度為24mm，每卷數量為800個。

七、注意事項

1. 由于ON Semiconductor的產品管理系統無法處理帶有下劃線（_）的零件命名，所以Fairchild零件編號中的下劃線將被替換為破折號（-），使用時需注意核對更新后的器件編號。
2. 文檔中的“典型”參數在不同應用中可能會有所變化，實際性能也可能隨時間而變化，因此所有工作參數（包括“典型值”）都必須由客戶的技術專家針對每個客戶應用進行驗證。
3. ON Semiconductor的產品不設計、不打算也未獲授權用于生命支持系統、FDA Class 3醫療設備或具有相同或類似分類的外國醫療設備，以及任何用于人體植入的設備。如果買家將產品用于此類非預期或未經授權的應用，買家應承擔相應的責任。

FDB0170N607L N-Channel PowerTrench? MOSFET憑借其出色的性能和廣泛的應用領域，為工業電子設計提供了一個可靠的選擇。在實際應用中，工程師們需要根據具體的設計需求，結合器件的電氣特性和熱特性，合理選擇和使用該器件，以確保系統的性能和可靠性。大家在使用過程中，有沒有遇到過類似MOSFET的應用挑戰呢？歡迎在評論區分享你的經驗和見解。