onsemi NTMT100N60S5H MOSFET：高效開關性能的理想之選

在電子工程領域，MOSFET作為關鍵的功率器件，其性能直接影響著電子系統的效率和穩定性。今天，我們來深入了解一下安森美（onsemi）的NTMT100N60S5H MOSFET，看看它能為我們的設計帶來哪些優勢。

文件下載：NTMT100N60S5H-D.PDF

產品概述

NTMT100N60S5H是一款N溝道的功率MOSFET，屬于SUPERFET V MOSFET FAST系列。該系列旨在通過極低的開關損耗，在硬開關應用中最大限度地提高系統效率。它采用了Power88封裝，這是一種超薄的表面貼裝封裝（SMD），通過提供開爾文源配置和較低的寄生源電感，實現了出色的開關性能。

產品特性

高耐壓與低電阻

• 耐壓能力：在結溫 (T{J}=150^{circ}C) 時，可承受650V的電壓；在 (T{J}=25^{circ}C) 時，漏源擊穿電壓 (V_{(BR)DSS}) 最小為600V。
• 低導通電阻：典型的 (R{DS(on)}) 為80mΩ（(V{GS}=10V)，(I{D}=13.5A)，(T{J}=25^{circ}C)），最大為100mΩ，有助于降低導通損耗，提高系統效率。

可靠性保障

• 雪崩測試：經過100%雪崩測試，確保在極端條件下的可靠性。
• 環保標準：符合無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑（BFR）要求，并且滿足RoHS標準，符合環保設計理念。

應用領域

• 電信/服務器電源：在電信和服務器電源系統中，對電源的效率和穩定性要求極高。NTMT100N60S5H的低開關損耗和高耐壓特性，能夠有效提高電源的轉換效率，確保系統穩定運行。
• 電動汽車充電器/不間斷電源（UPS）/太陽能/工業電源：這些應用場景通常需要處理高功率和高電壓，NTMT100N60S5H的高性能能夠滿足這些需求，為系統提供可靠的功率支持。

電氣特性

絕對最大額定值

電氣參數

• 關斷特性：漏源擊穿電壓 (V{(BR)DSS}) 為600V（(V{GS}=0V)，(I{D}=1mA)，(T{J}=25^{circ}C)），零柵壓漏極電流 (I{DSS}) 最大為1μA（(V{GS}=0V)，(V{DS}=600V)，(T{J}=25^{circ}C)），柵源泄漏電流 (I{GSS}) 最大為±100nA（(V{GS}=±30V)，(V_{DS}=0V)）。
• 導通特性：漏源導通電阻 (R{DS(on)}) 典型值為80mΩ（(V{GS}=10V)，(I{D}=13.5A)，(T{J}=25^{circ}C)），柵極閾值電壓 (V{GS(th)}) 為2.7 - 4.3V（(V{GS}=V{DS})，(I{D}=2.7mA)，(T{J}=25^{circ}C)），正向跨導 (g{FS}) 典型值為26.8S（(V{DS}=20V)，(I{D}=13.5A)）。
• 電荷、電容與柵極電阻：輸入電容 (C{ISS}) 典型值為2616pF（(V{DS}=400V)，(V{GS}=0V)，(f = 250kHz)），輸出電容 (C{OSS}) 典型值為39.8pF，總柵極電荷 (Q{G(TOT)}) 典型值為46.6nC（(V{DD}=400V)，(I{D}=13.5A)，(V{GS}=10V)），柵極電阻 (R_{G}) 典型值為1.16Ω（(f = 1MHz)）。
• 開關特性：開啟延遲時間 (t{d(ON)}) 為21.6ns（(V{GS}=0/10V)，(V{DD}=400V)，(I{D}=13.5A)，(R{G}=4.7)），上升時間 (t{r}) 為5.81ns，關斷延遲時間 (t{d(OFF)}) 為61.1ns，下降時間 (t{f}) 為2.64ns。
• 源漏二極管特性：正向二極管電壓 (V{SD}) 最大為1.2V（(V{GS}=0V)，(I{SD}=13.5A)，(T{J}=25^{circ}C)），反向恢復時間 (t{RR}) 最大為362ns（(V{GS}=0V)，(I{SD}=13.5A)，(dI/dt = 100A/s)，(V{DD}=400V)），反向恢復電荷 (Q_{RR}) 為5331nC。

封裝與訂購信息

該產品采用PQFN4 8x8, 2P CASE 520AB封裝，每盤3000個，采用帶盤包裝。對于帶盤規格的詳細信息，可參考安森美的Tape and Reel Packaging Specification Brochure, BRD8011/D。

總結

NTMT100N60S5H MOSFET憑借其高耐壓、低導通電阻、出色的開關性能和可靠性，為電信、服務器電源、電動汽車充電器等領域的設計提供了優秀的解決方案。在實際應用中，我們需要根據具體的設計需求，合理選擇和使用該器件，以充分發揮其性能優勢。你在使用MOSFET時，有沒有遇到過一些特殊的設計挑戰呢？歡迎在評論區分享你的經驗。