Onsemi NTMT090N65S3HF MOSFET：高效電源解決方案

在電子設計領域，MOSFET 作為關鍵的功率器件，其性能直接影響著電源系統的效率和穩定性。今天，我們就來深入探討 Onsemi 的 NTMT090N65S3HF MOSFET，看看它在電源設計中能帶來怎樣的優勢。

產品概述

NTMT090N65S3HF 是 Onsemi 推出的一款 N 溝道功率 MOSFET，屬于 SUPERFET III 系列。該系列采用了先進的電荷平衡技術，實現了低導通電阻和低柵極電荷，能有效降低傳導損耗，提升開關性能，并能承受高 dv/dt 速率。這使得它非常適合用于各種需要小型化和高效率的電源系統。

同時，SUPERFET III FRFET MOSFET 優化了體二極管的反向恢復性能，可減少額外組件的使用，提高系統可靠性。它采用 TDFN4 封裝，這是一種超薄表面貼裝封裝，高度僅 1mm，尺寸為 8x8mm，具有較低的寄生源電感，以及分離的功率和驅動源，能提供出色的開關性能，并且達到了防潮等級 1（MSL 1）。

關鍵參數與特性

絕對最大額定值

參數	數值	單位
漏源電壓（Vpss）	650	V
柵源電壓（VGSS）	±30	V
連續漏極電流（Tc = 25°C）	36	A
連續漏極電流（Tc = 100°C）	22.8	A
脈沖漏極電流	90	A
單脈沖雪崩能量	440	mJ
雪崩電流	4.6	A
重復雪崩能量	2.72	mJ
MOSFET dv/dt	100	V/ns
峰值二極管恢復 dv/dt	50	V/ns
功率耗散（Tc = 25°C）	272	W
25°C 以上降額	2.176	W/°C
工作和存儲溫度范圍	-55 至 +150	°C
焊接時最大引腳溫度（距外殼 1/8"，5s）	300	°C

電氣特性

關斷特性：漏源擊穿電壓（BVDSS）在 TJ = 25°C 時為 650V，TJ = 150°C 時為 700V；零柵壓漏極電流（IDSS）在不同條件下有相應規定。
導通特性：柵源閾值電壓（VGS(th)）典型值為 5.0V，導通電阻（RDS(on)）典型值為 75mΩ，最大值為 90mΩ。
動態特性：輸入電容（Ciss）為 2930pF，有效輸出電容（Coss(eff.)）為 569pF，總柵極電荷（Qg(tot)）在 10V 時為 66nC 等。
開關特性：開啟延遲時間（td(on)）為 31ns，上升時間（tr）為 19ns，關斷延遲時間（td(off)）為 75ns，下降時間（tf）為 3.1ns。
源 - 漏二極管特性：最大連續源 - 漏二極管正向電流（IS）為 36A，最大脈沖源 - 漏二極管正向電流（ISM）為 90A，源 - 漏二極管正向電壓（VSD）在 ISD = 18A 時為 1.3V。

其他特性

超低柵極電荷（典型值 (Q_{g}=66 nC)），有助于降低開關損耗。
低有效輸出電容（典型值 (C_{oss(eff.) }=569 pF)），提高開關速度。
100% 雪崩測試，保證了器件的可靠性。
無鉛且符合 RoHS 標準，環保性能良好。

應用領域

NTMT090N65S3HF 適用于多種電源應用場景，包括：

電信/服務器電源：滿足高效、穩定的電源需求。
工業電源：為工業設備提供可靠的電力支持。
UPS/太陽能：在不間斷電源和太陽能系統中發揮重要作用。
照明/充電器/適配器：實現小型化和高效率的電源設計。

封裝與訂購信息

該 MOSFET 采用 TDFN4 8x8 封裝，型號為 CASE 520AB。訂購信息如下：	部件編號	頂部標記	封裝	卷軸尺寸	膠帶寬度	運輸方式
NTMT090N65S3HF	NTMT090N65S3HF	TDFN4	13”	13.3mm	3000 / 帶盤

總結

Onsemi 的 NTMT090N65S3HF MOSFET 憑借其先進的技術、出色的性能和廣泛的應用領域，為電子工程師提供了一個優秀的電源設計解決方案。在實際應用中，我們需要根據具體的設計需求，合理選擇和使用該器件，以充分發揮其優勢。同時，也要注意其絕對最大額定值，避免因超出限制而損壞器件。大家在使用這款 MOSFET 時，有沒有遇到過什么特別的問題或者有什么獨特的應用經驗呢？歡迎在評論區分享。

聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。舉報投訴