探索 onsemi NTH4LN040N65S3H 650V N 溝道功率 MOSFET

在電子工程領(lǐng)域，功率 MOSFET 是電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)中至關(guān)重要的元件。今天要為大家詳細(xì)介紹 onsemi 推出的 NTH4LN040N65S3H，一款 650V、40mΩ、62A 的 N 溝道 SUPERFET III 快速功率 MOSFET。

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產(chǎn)品概述

SUPERFET III MOSFET 是 onsemi 全新的高壓超結(jié)（SJ）MOSFET 系列，采用了電荷平衡技術(shù)，具備出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。這種先進(jìn)技術(shù)旨在最大限度地減少傳導(dǎo)損耗，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能，并能承受極高的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET 快速系列非常適合用于各種追求小型化和更高效率的電源系統(tǒng)。

產(chǎn)品特性

電氣性能優(yōu)越

• 耐壓能力強(qiáng)：在 (TJ = 150^{circ}C) 時(shí)，耐壓可達(dá) 700V；典型的漏源擊穿電壓 (BV{DSS}) 在 (V_{GS}=0V)，(I_D = 1 mA)，(T = 25^{circ}C) 條件下為 650V，在 (T = 150^{circ}C) 時(shí)可達(dá) 700V。
• 低導(dǎo)通電阻：典型的靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 (R{DS(on)} = 32 mOmega)（(V{GS} = 10V)，(I_D = 31 A)），最大為 40mΩ，能有效降低傳導(dǎo)損耗。
• 低柵極電荷：典型的總柵極電荷 (Q{g}=132 nC)（(V{DS} = 400 V)，(ID = 31 A)，(V{GS} = 10 V)），有助于減少開(kāi)關(guān)損耗，提高開(kāi)關(guān)速度。
• 低輸出電容：典型的有效輸出電容 (C_{oss(eff.) }=1267 pF)，能降低開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量損耗。

可靠性高

• 雪崩測(cè)試：該器件經(jīng)過(guò) 100% 雪崩測(cè)試，單脈沖雪崩能量 (E{AS}) 可達(dá) 675 mJ，雪崩電流 (I{AS}) 為 8.2 A，重復(fù)雪崩能量 (E_{AR}) 為 3.79 mJ，能承受較大的沖擊電流。
• 符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)：這些器件無(wú)鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。

應(yīng)用領(lǐng)域

• 電信/服務(wù)器電源：在電信和服務(wù)器電源中，需要高效、可靠的功率器件來(lái)保證電源的穩(wěn)定性和效率。NTH4LN040N65S3H 的低導(dǎo)通電阻和低開(kāi)關(guān)損耗特性，能有效提高電源的轉(zhuǎn)換效率，減少發(fā)熱，延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命。
• 工業(yè)電源：工業(yè)電源通常需要承受較大的負(fù)載變化和惡劣的工作環(huán)境。該 MOSFET 的高耐壓和高可靠性，使其能夠在工業(yè)電源中穩(wěn)定工作，為工業(yè)設(shè)備提供可靠的電力支持。
• UPS/太陽(yáng)能：在不間斷電源（UPS）和太陽(yáng)能電源系統(tǒng)中，對(duì)功率器件的效率和可靠性要求極高。NTH4LN040N65S3H 能夠滿足這些要求，提高電源系統(tǒng)的整體性能。

絕對(duì)最大額定值

熱特性與封裝信息

熱特性

熱特性對(duì)于功率器件的性能和可靠性至關(guān)重要。雖然文檔中未詳細(xì)給出熱阻 (R_{BA}) 的具體數(shù)值，但在實(shí)際設(shè)計(jì)中，需要根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景和散熱條件，合理設(shè)計(jì)散熱方案，確保 MOSFET 的結(jié)溫在安全范圍內(nèi)。

封裝與訂購(gòu)信息

該 MOSFET 采用 TO - 247 L4 窄引腳封裝，包裝方式為管裝，每管 30 個(gè)單元。具體的訂購(gòu)和發(fā)貨信息可參考數(shù)據(jù)手冊(cè)的第 2 頁(yè)。

典型特性曲線

數(shù)據(jù)手冊(cè)中提供了一系列典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源極電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解該 MOSFET 在不同工作條件下的性能，為電路設(shè)計(jì)提供重要參考。

總結(jié)

onsemi 的 NTH4LN040N65S3H 650V N 溝道功率 MOSFET 憑借其出色的電氣性能、高可靠性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的理想選擇。在實(shí)際應(yīng)用中，工程師需要根據(jù)具體的設(shè)計(jì)要求，合理選擇器件，并注意其絕對(duì)最大額定值和熱特性，以確保電路的穩(wěn)定性和可靠性。大家在使用這款 MOSFET 時(shí)，有沒(méi)有遇到過(guò)什么特別的問(wèn)題或者有獨(dú)特的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)?zāi)兀繗g迎在評(píng)論區(qū)分享交流。