Onsemi FDT4N50NZU MOSFET：高性能與可靠性的完美結(jié)合

在電子工程師的日常設(shè)計工作中，MOSFET 是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天，我們就來深入探討 Onsemi 的 FDT4N50NZU 這款 MOSFET，看看它有哪些獨特之處，能為我們的設(shè)計帶來怎樣的優(yōu)勢。

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一、Onsemi 公司簡介

Onsemi（安森美半導(dǎo)體）是一家在半導(dǎo)體領(lǐng)域具有重要影響力的公司。它擁有眾多專利、商標等知識產(chǎn)權(quán)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域。不過需要注意的是，其產(chǎn)品不適合用于生命支持系統(tǒng)、FDA 3 類醫(yī)療設(shè)備等特定應(yīng)用場景。如果購買或使用其產(chǎn)品用于非授權(quán)應(yīng)用，買家需承擔(dān)相應(yīng)責(zé)任。

二、FDT4N50NZU MOSFET 概述

FDT4N50NZU 屬于 UniFET II MOSFET 系列，這是基于先進的平面條紋和 DMOS 技術(shù)的高壓 MOSFET 家族。它具有以下顯著特點：

低導(dǎo)通電阻：在平面 MOSFET 中，該系列具有最小的導(dǎo)通電阻，典型值 (R_{DS(on)} = 2.42 Omega) ，這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下能有效降低功率損耗。
出色的開關(guān)性能：具備優(yōu)越的開關(guān)特性，能夠快速地進行導(dǎo)通和關(guān)斷操作，提高電路的工作效率。
高雪崩能量強度：經(jīng)過 100% 雪崩測試，能夠承受較高的雪崩能量，增強了器件的可靠性和穩(wěn)定性。
ESD 保護：內(nèi)部集成了柵 - 源 ESD 二極管，可承受超過 2 kV 的 HBM 浪涌應(yīng)力，有效保護器件免受靜電損壞。
優(yōu)秀的體二極管反向恢復(fù)性能：其 trr 小于 50 nsec，反向 dv/dt 抗擾度為 20 V/nsec，而普通平面 MOSFET 分別為 200 nsec 和 4.5 V/nsec。這使得它在一些對 MOSFET 體二極管性能要求較高的應(yīng)用中，可以減少額外元件的使用，提高系統(tǒng)的可靠性。

三、產(chǎn)品參數(shù)

（一）絕對最大額定值

在 (T_{C}=25^{circ} C) 條件下，各項參數(shù)如下：	參數(shù)	數(shù)值
漏源電壓 (V_{DSS})	500	V
柵源電壓 (V_{GSS})	±25	V
連續(xù)漏極電流（(T{C}=25^{circ} C) ） (I{D})	2	A
連續(xù)漏極電流（(T{C}=100^{circ} C) ） (I{D})	1.2	A
脈沖漏極電流 (I_{DM})	6	A
單脈沖雪崩能量 (E_{AS})	46	mJ
雪崩電流 (I_{AS})	2	A
重復(fù)雪崩能量 (E_{AR})	2	mJ
峰值二極管恢復(fù) dv/dt (dv/dt)	20	V/ns
功率耗散（(T{C}=25^{circ} C) ） (P{D})	2	W
25 °C 以上降額系數(shù)	0.02	W/ °C
工作和存儲溫度范圍 (T{J}, T{STG})	-55 至 +150	°C
焊接時最大引腳溫度（距外殼 1/8 ″ 處，5 秒） (T_{L})	300	°C

（二）電氣特性

參數(shù)	測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
漏源擊穿電壓 (B_{V DSS})	(V{GS} = 0 V)，(I{D} = 250mu A)，(T_{J} = 25^{circ}C)	500	-	-	V
擊穿電壓溫度系數(shù) (B{V DSS} / T{J})	(I_{D} = 1 mA)，參考 25 °C	0.55	-	-	V/°C
零柵壓漏極電流 (I_{DSS})	(V{DS} = 500 V)，(V{GS} = 0 V)	-	-	1	(mu A)
(V{DS} = 400 V)，(T{C} = 125^{circ}C)	-	-	4.6	(mu A)
柵 - 體泄漏電流 (I_{GSS})	(V{GS} = ±25 V)，(V{DS} = 0 V)	-	-	±10	(mu A)
柵閾值電壓 (V_{GS(th)})	(V{GS}=V{DS})，(I_{D}=250 mu A)	3.5	-	5.5	V
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 (R_{DS(on)})	(V{GS}=10 V)，(I{D}=1 A)	-	2.42	3	(Omega)
正向跨導(dǎo) (g_{Fs})	(V{DS}=20V)，(I{D}=1A)	-	1	-	S
輸入電容 (C_{iss})	(V{DS} = 25 V)，(V{GS} = 0 V)，(f = 1 MHz)	-	476	-	pF
輸出電容 (C_{oss})	-	-	43	pF
反向傳輸電容 (C_{rss})	-	-	2.7	pF
10 V 下的總柵電荷 (Q_{g(tot)})	(V{DS} = 400 V)，(I{D} = 3 A)，(V_{GS} = 10 V)	-	9.1	-	nC
柵 - 源柵電荷 (Q_{gs})	-	2.9	-	nC
柵 - 漏 “米勒” 電荷 (Q_{gd})	-	3.3	-	nC
導(dǎo)通延遲時間 (t_{d(on)})	(V{DD}=250 V)，(I{D}=3 A)，(V{GS}=10 V)，(R{g}=25 Omega)	-	16	-	ns
導(dǎo)通上升時間 (t_{r})	-	16	-	ns
關(guān)斷延遲時間 (t_{d(off)})	-	34	-	ns
關(guān)斷下降時間 (t_{f})	-	15	-	ns
最大連續(xù)源 - 漏二極管正向電流 (I_{S})	-	-	-	2	A
最大脈沖源 - 漏二極管正向電流 (I_{SM})	-	-	-	6	A
源 - 漏二極管正向電壓 (V_{SD})	(V{GS} = 0 V)，(I{SD} = 1 A)	-	1.2	-	V
反向恢復(fù)時間 (t_{rr})	(V{DD}=400 V)，(I{SD}=3 A)，(dI_{F} / dt = 100 A/μs)	-	24	-	ns
反向恢復(fù)電荷 (Q_{rr})	-	18	-	nC

四、應(yīng)用領(lǐng)域

FDT4N50NZU 適用于多種電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用，包括：

計算/顯示電源：如計算機電源、顯示器電源等，其低導(dǎo)通電阻和良好的開關(guān)性能有助于提高電源效率。
工業(yè)電源：在工業(yè)設(shè)備的電源系統(tǒng)中，該 MOSFET 能夠穩(wěn)定可靠地工作，滿足工業(yè)環(huán)境的要求。
消費電源：例如各類消費電子產(chǎn)品的電源模塊，能為產(chǎn)品提供高效、穩(wěn)定的電源供應(yīng)。

五、封裝信息

FDT4N50NZU 采用 SOT - 223（TO - 261）封裝，具體尺寸如下：	尺寸	最小值（mm）	標稱值（mm）
A	1.50	1.63	1.75
A1	0.02	0.06	0.10
b	0.60	0.75	0.89
b1	2.90	3.06	3.20
C	0.24	0.29	0.35
D	6.30	6.50	6.70
E	3.30	3.50	3.70
e	2.30 BSC	-	-
L	0.20	-	-
L1	1.50	1.75	2.00
He	6.70	7.00	7.30
θ	0°	-	10°

六、總結(jié)

Onsemi 的 FDT4N50NZU MOSFET 以其先進的技術(shù)、優(yōu)秀的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，為電子工程師提供了一個可靠的選擇。在實際設(shè)計中，我們需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，綜合考慮其各項參數(shù)，確保設(shè)計的電路能夠穩(wěn)定、高效地運行。大家在使用這款 MOSFET 時，有沒有遇到過什么特別的問題或者有什么獨特的應(yīng)用經(jīng)驗?zāi)兀繗g迎在評論區(qū)分享交流。

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