探索 onsemi FDB28N30TM：高性能 N 溝道 MOSFET 的卓越之選

在電子工程領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導體場效應(yīng)晶體管）是功率電子應(yīng)用中不可或缺的關(guān)鍵元件。今天，我們將深入探討 onsemi 公司的 FDB28N30TM，這是一款基于平面條紋和 DMOS 技術(shù)的 300V、28A 的 N 溝道 UniFET MOSFET，它在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用中展現(xiàn)出卓越的性能。

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產(chǎn)品概述

UniFET MOSFET 是 onsemi 旗下的高壓 MOSFET 系列，旨在降低導通電阻，提供更出色的開關(guān)性能和更高的雪崩能量強度。FDB28N30TM 特別適用于功率因數(shù)校正（PFC）、平板顯示（FPD）電視電源、ATX 電源和電子燈鎮(zhèn)流器等開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。

關(guān)鍵特性

低導通電阻

在 (V{GS}=10V)、(I{D}=14A) 的典型條件下，(R_{DS(on)}) 僅為 108mΩ，這意味著在導通狀態(tài)下，MOSFET 的功率損耗更低，能夠提高電源轉(zhuǎn)換效率。

低柵極電荷

典型的柵極電荷 (Q_{g}=39nC)，較低的柵極電荷可以減少開關(guān)過程中的能量損耗，加快開關(guān)速度，提高整個系統(tǒng)的效率。

低反向傳輸電容

典型的反向傳輸電容 (C_{rss}=35pF)，這有助于降低開關(guān)過程中的米勒效應(yīng)，進一步提高開關(guān)性能。

雪崩測試

該器件經(jīng)過 100% 雪崩測試，具有較高的雪崩能量強度（(E_{AS}=588mJ) 單脈沖雪崩能量），能夠在惡劣的工作條件下保持穩(wěn)定可靠的性能。

環(huán)保合規(guī)

FDB28N30TM 是無鉛產(chǎn)品，符合 RoHS 標準，滿足環(huán)保要求。

應(yīng)用領(lǐng)域

• 不間斷電源（UPS）：在 UPS 系統(tǒng)中，F(xiàn)DB28N30TM 的高性能和可靠性能夠確保在市電中斷時，為關(guān)鍵設(shè)備提供穩(wěn)定的電力供應(yīng)。
• AC - DC 電源：在 AC - DC 電源轉(zhuǎn)換中，它可以有效降低功率損耗，提高電源效率。

產(chǎn)品參數(shù)

最大額定值

該 MOSFET 的最大額定值涵蓋了多個方面，如漏源電壓 (V{DSS}) 為 300V，柵源電壓 (V{GSS}) 為 ±30V，連續(xù)漏極電流在 (T{C}=25^{circ}C) 時為 28A，在 (T{C}=100^{circ}C) 時為 19A 等。需要注意的是，超過這些最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。

熱特性

熱特性對于 MOSFET 的性能和可靠性至關(guān)重要。FDB28N30TM 的最大結(jié)到外殼熱阻 (R{theta JC}) 為 0.5°C/W，結(jié)到環(huán)境熱阻 (R{theta JA}) 在不同的銅箔面積下有所不同，1 平方英寸 2 盎司銅箔時為 40°C/W，最小銅箔面積時為 62.5°C/W。

電氣特性

• 關(guān)斷特性：漏源擊穿電壓 (B{V DSS}) 在 (I{D}=250mu A)、(V{GS}=0V)、(T{J}=25^{circ}C) 時為 300V，其溫度系數(shù)為 0.4V/°C。
• 導通特性：柵極閾值電壓 (V{GS(th)}) 在 (V{GS}=V{DS})、(I{D}=250mu A) 時為 3.0 - 5.0V，靜態(tài)漏源導通電阻 (R{DS(on)}) 在 (V{GS}=10V)、(I_{D}=14A) 時典型值為 0.108Ω，最大值為 0.129Ω。
• 動態(tài)特性：輸入電容 (C{iss})、輸出電容 (C{oss})、反向傳輸電容 (C_{rss}) 等參數(shù)在特定測試條件下有明確的數(shù)值，這些參數(shù)影響著 MOSFET 的開關(guān)速度和性能。
• 開關(guān)特性：包括開通延遲時間 (t{d(on)})、開通上升時間 (t{r})、關(guān)斷延遲時間 (t{d(off)}) 和關(guān)斷下降時間 (t{f}) 等，這些時間參數(shù)對于評估 MOSFET 的開關(guān)性能至關(guān)重要。
• 漏源二極管特性：最大連續(xù)漏源二極管正向電流 (I{S}) 為 28A，最大脈沖漏源二極管正向電流 (I{SM}) 為 112A，漏源二極管正向電壓 (V{SD}) 在 (V{GS}=0V)、(I_{SD}=28A) 時為 1.4V 等。

典型性能曲線

文檔中提供了多個典型性能曲線，如導通區(qū)域特性、傳輸特性、導通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導通電阻隨溫度的變化、最大安全工作區(qū)、最大漏極電流隨外殼溫度的變化以及瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些曲線直觀地展示了 FDB28N30TM 在不同工作條件下的性能表現(xiàn)，為工程師在設(shè)計電路時提供了重要的參考依據(jù)。

封裝與訂購信息

FDB28N30TM 采用 D2PAK - 3（TO - 263，3 - 引腳）封裝，每盤 800 個。同時，文檔還提供了封裝尺寸、推薦安裝腳印和標記圖等詳細信息。

總結(jié)

onsemi 的 FDB28N30TM MOSFET 憑借其低導通電阻、低柵極電荷、低反向傳輸電容、高雪崩能量強度等卓越特性，成為開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的理想選擇。在實際設(shè)計中，工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，結(jié)合其最大額定值、熱特性、電氣特性和典型性能曲線等參數(shù)，合理選擇和使用該器件，以確保系統(tǒng)的性能和可靠性。你在使用類似 MOSFET 時遇到過哪些挑戰(zhàn)呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。