Onsemi FCP260N60E/FCPF260N60E MOSFET：高性能與易設計的完美結合
Onsemi FCP260N60E/FCPF260N60E MOSFET：高性能與易設計的完美結合
作為電子工程師，在設計電路時，選擇合適的MOSFET至關重要。今天，我們就來深入了解一下Onsemi推出的FCP260N60E和FCPF260N60E這兩款N溝道SUPERFET II MOSFET，看看它們有哪些獨特之處。
文件下載：FCPF260N60E-D.PDF
產品概述
SUPERFET II MOSFET是Onsemi全新的高壓超結（SJ）MOSFET系列，采用了電荷平衡技術，具備出色的低導通電阻和低柵極電荷性能。這種技術能夠有效降低傳導損耗，提供卓越的開關性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。
FCP260N60E和FCPF260N60E屬于SUPERFET II MOSFET的易驅動系列，相較于普通的SUPERFET II MOSFET系列，它們的上升和下降時間稍慢。其型號后綴的“E”就代表了這一特點，該系列有助于解決電磁干擾（EMI）問題，使設計更加容易實現。而如果在應用中需要更快的開關速度，且開關損耗必須降至最低，那么可以考慮普通的SUPERFET II MOSFET系列。
關鍵特性
低導通電阻
典型的導通電阻 (R_{DS(on)} = 220 mOmega)，能夠有效降低功率損耗，提高電路效率。
超低柵極電荷
典型的柵極電荷 (Q_{g} = 48 nC)，有助于減少開關損耗，提高開關速度。
低有效輸出電容
典型的有效輸出電容 (C_{oss(eff.) } = 129 pF)，降低了開關過程中的能量損耗。
100%雪崩測試
經過100%雪崩測試，保證了器件在雪崩狀態下的可靠性。
集成柵極電阻
集成的柵極電阻有助于穩定柵極信號，提高電路的穩定性。
RoHS合規
符合RoHS標準，環保可靠。
應用領域
這兩款MOSFET適用于多種應用場景，包括：
電氣參數
最大額定值
| 符號 | 參數 | FCP260N60E | FCPF260N60E | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| (V_{DSS}) | 漏源電壓 | 600 | V | |
| (V_{GSS}) | 柵源電壓（DC） | ± 20 | V | |
| (V_{GSS}) | 柵源電壓（AC，f > 1 Hz） | ± 30 | V | |
| (I_{D}) | 漏極電流（連續，(T_{C} = 25 °C)） | 15 | 15* | A |
| (I_{D}) | 漏極電流（連續，(T_{C} = 100 °C)） | 9.5 | 9.5* | A |
| (I_{DM}) | 漏極脈沖電流 | 45 | 45* | A |
| (E_{AS}) | 單脈沖雪崩能量 | 292.5 | mJ | |
| (I_{AR}) | 雪崩電流 | 3.0 | A | |
| (E_{AR}) | 重復雪崩能量 | 1.56 | mJ | |
| (dv/dt) | MOSFET dv/dt | 100 | V/ns | |
| 峰值二極管恢復dv/dt | 20 | V/ns | ||
| (P_{D}) | 功率耗散（(T_{C} = 25 °C)） | 156 | 36 | W |
| (P_{D}) | 25 °C以上降額 | 1.25 | 0.29 | W/°C |
| (T{J}, T{STG}) | 工作和存儲溫度范圍 | -55 to +150 | °C | |
| (T_{L}) | 焊接時最大引腳溫度（距外殼1/8”，5秒） | 300 | °C |
需要注意的是，超過最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。
電氣特性
在 (T_{C} = 25 °C) 的條件下，這些MOSFET的電氣特性如下：
- 關斷特性：
- 漏源擊穿電壓 (B{VDS})：在 (V{GS} = 0 V)，(I{D} = 10 mA)，(T{J} = 25°C) 時為 600 V；在 (T_{J} = 150°C) 時為 650 V。
- 零柵壓漏極電流 (I{DSS})：在 (V{DS} = 600 V)，(V{GS} = 0 V) 時為 1 μA；在 (V{DS} = 480 V)，(T_{C} = 125°C) 時為 2.6 μA。
- 柵體泄漏電流 (I{GSS})：在 (V{GS} = ±20 V)，(V_{DS} = 0 V) 時為 ±100 nA。
- 導通特性：
- 柵極閾值電壓 (V{GS(th)})：在 (V{GS} = V{DS})，(I{D} = 250 μA) 時為 2.5 - 3.5 V。
- 靜態漏源導通電阻 (R{DS(on)})：在 (V{GS} = 10 V)，(I_{D} = 7.5 A) 時為 0.22 - 0.26 Ω。
- 正向跨導 (g{FS})：在 (V{DS} = 20 V)，(I_{D} = 7.5 A) 時為 15.5 S。
- 動態特性：
- 輸入電容 (C{iss})：在 (V{DS} = 25 V)，(V_{GS} = 0 V)，(f = 1 MHz) 時為 1880 - 2500 pF。
- 輸出電容 (C{oss})：在 (V{DS} = 25 V)，(V{GS} = 0 V)，(f = 1 MHz) 時為 1330 - 1770 pF；在 (V{DS} = 380 V)，(V_{GS} = 0 V)，(f = 1 MHz) 時為 32 pF。
- 反向傳輸電容 (C{rss})：在 (V{DS} = 25 V)，(V_{GS} = 0 V)，(f = 1 MHz) 時為 85 - 130 pF。
- 有效輸出電容 (C{oss(eff.)})：在 (V{DS} = 0 V) 到 480 V，(V_{GS} = 0 V) 時為 129 pF。
- 總柵極電荷 (Q{g(tot)})：在 (V{DS} = 380 V)，(I{D} = 7.5 A)，(V{GS} = 10 V) 時為 48 - 62 nC。
- 柵源柵極電荷 (Q_{gs})：為 7.4 nC。
- 柵漏“米勒”電荷 (Q_{gd})：為 17 nC。
- 等效串聯電阻 (ESR)：在 (f = 1 MHz) 時為 5.8 Ω。
- 開關特性：
- 導通延遲時間 (t{d(on)})：在 (V{DD} = 380 V)，(I{D} = 7.5 A)，(V{GS} = 10 V)，(R_{G} = 4.7 Ω) 時為 20 - 50 ns。
- 導通上升時間 (t_{r})：為 11 - 32 ns。
- 關斷延遲時間 (t_{d(off)})：為 89 - 188 ns。
- 關斷下降時間 (t_{f})：為 13 - 36 ns。
- 漏源二極管特性：
- 最大連續漏源二極管正向電流 (I_{S})：為 15 A。
- 最大脈沖漏源二極管正向電流 (I_{SM})：為 45 A。
- 漏源二極管正向電壓 (V{SD})：在 (V{GS} = 0 V)，(I_{SD} = 7.5 A) 時為 1.2 V。
- 反向恢復時間 (t{rr})：在 (V{GS} = 0 V)，(I{SD} = 7.5 A)，(dI{F}/dt = 100 A/μs) 時為 270 ns。
- 反向恢復電荷 (Q_{rr})：為 3.6 μC。
典型性能曲線
文檔中還給出了一系列典型性能曲線，包括導通區域特性、傳輸特性、導通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導通電阻隨溫度的變化、最大安全工作區、最大漏極電流隨殼溫的變化、(E_{oss}) 隨漏源電壓的變化以及瞬態熱響應曲線等。這些曲線有助于工程師更好地了解器件在不同條件下的性能表現，從而進行更合理的設計。
封裝信息
FCP260N60E采用TO - 220封裝，每管800個；FCPF260N60E采用TO - 220F封裝，每管1000個。文檔中還給出了這兩種封裝的機械尺寸和詳細說明，方便工程師進行PCB設計。
總結
Onsemi的FCP260N60E和FCPF260N60E MOSFET憑借其出色的性能和易驅動的特點，為電子工程師提供了一個可靠的選擇。在設計電路時，我們可以根據具體的應用需求，結合這些器件的特性和參數，進行合理的選型和設計。同時，要注意遵循器件的最大額定值，確保電路的可靠性和穩定性。大家在實際應用中有沒有遇到過類似MOSFET的使用問題呢？歡迎在評論區分享交流。
發布評論請先 登錄
工商網監
評論