FCD850N80Z / FCU850N80Z — N-溝道 SuperFET? II MOSFET 深度解析

在電子工程領域，MOSFET 作為關鍵的功率開關器件，其性能的優劣直接影響著整個電路的表現。今天，我們就來深入探討一下飛兆半導體的 FCD850N80Z / FCU850N80Z N - 溝道 SuperFET? II MOSFET。

文件下載：FCU850N80ZCN-D.pdf

一、公司背景與產品編號變更說明

飛兆半導體現已成為安森美半導體（ON Semiconductor）的一部分。由于系統要求，部分飛兆可訂購的產品編號需要更改，原編號中的下劃線（_）將改為破折號（-）。大家可通過安森美半導體網站（www.onsemi.com）核實更新后的器件編號。

二、產品特性

低導通電阻與低柵極電荷

典型值 RDS(on) = 710 mΩ，超低柵極電荷（典型值 Qg = 22 nC），這使得該 MOSFET 在導通時的功率損耗大幅降低，同時也能實現快速的開關動作，提高了電路的效率和響應速度。

低 Eoss 與有效輸出電容

低 Eoss（典型值 2.3 uJ@400 V）和低有效輸出電容（典型值 Coss(eff.) = 106 pF），有助于減少開關過程中的能量損耗，進一步提升電路性能。

其他特性

100% 經過雪崩測試，保證了產品在惡劣環境下的可靠性；符合 RoHS 標準，滿足環保要求；增強的 ESD 能力，有效防止靜電對器件的損壞。

三、應用領域

該 MOSFET 適用于多種功率開關應用，如 AC - DC 電源、LED 照明等。在音頻、筆記本適配器、ATX 電源和工業電源應用中也能發揮出色的性能。大家在實際設計中，是否考慮過這些應用場景下該 MOSFET 的具體優勢呢？

四、最大絕對額定值與熱性能

最大絕對額定值

在 TC = 25°C 條件下（除非另有說明），漏極 - 源極電壓 VDSS 為 800 V，柵極 - 源極電壓 VGSS 直流為 ±20 V，交流（f > 1 Hz）為 ±30 V。漏極電流 ID 連續（TC = 25°C）為 6 A，連續（TC = 100°C）為 3.8 A，脈沖電流 IDM 為 18 A。這些參數為我們在設計電路時提供了重要的參考，確保器件在安全的工作范圍內運行。

熱性能

結至外殼熱阻最大值 RθJC 為 1.65 °C/W，結至環境熱阻最大值 RθJA 為 100 °C/W。了解熱性能參數對于散熱設計至關重要，大家在設計過程中是否有遇到過因為散熱問題影響器件性能的情況呢？

五、電氣特性

關斷與導通特性

漏極 - 源極擊穿電壓 BVDSS 測試條件下最小值為 800 V，柵極閾值電壓 VGS(th) 在 VGS = VDS，ID = 0.6 mA 時為 2.5 - 4.5 V，漏極至源極靜態導通電阻 RDS(on) 在 VGS = 10 V，ID = 3 A 時典型值為 710 mΩ，最大值為 850 mΩ。這些特性決定了器件在開關狀態下的性能表現。

動態與開關特性

輸入電容 Ciss 在 VDS = 100 V，VGS = 0 V，f = 1 MHz 時典型值為 990 pF，最大值為 1315 pF；柵極電荷總量 Qg(tot) 在 VDS = 640 V，ID = 6 A，VGS = 10 V 時典型值為 22 nC，最大值為 29 nC。導通延遲時間 td(on)、開通上升時間 tr、關斷延遲時間 td(off) 和關斷下降時間 tf 等參數，對于評估器件的開關速度和效率非常關鍵。

漏極 - 源極二極管特性

漏極 - 源極二極管最大正向連續電流 IS 為 6 A，最大正向脈沖電流 ISM 為 18 A，正向電壓 VSD 在 VGS = 0 V，ISD = 6 A 時為 1.2 V。反向恢復時間 trr 在特定條件下為 318 ns，反向恢復電荷 Qrr 為 4.5 μC。這些特性在涉及到二極管應用的電路中起著重要作用。

六、典型性能特征

文檔中提供了多個典型性能特征圖，如導通區域特性、傳輸特性、導通電阻變化與漏極電流和柵極電壓的關系、電容特性、柵極電荷特性等。這些圖表能夠幫助我們直觀地了解器件在不同工作條件下的性能變化，為電路設計提供更準確的數據支持。大家在實際設計中，是否經常參考這些典型性能特征圖來優化電路呢？

七、機械尺寸與封裝信息

封裝標識

FCD850N80Z 采用 DPAK 封裝，頂標為 FCD850N80Z，包裝方法為卷帶，卷尺寸為 330 mm，帶寬為 16 mm，數量為 2500 顆；FCU850N80Z 采用 IPAK 封裝，頂標為 FCU850N80Z，包裝方法為塑料管，數量為 75 個。

機械尺寸圖紙

文檔提供了 TO252（D - PAK）和 TO251（I - PAK）封裝的機械尺寸圖紙。不過需要注意的是，具體參數可能會有變化，大家可以隨時訪問飛兆半導體在線封裝網頁獲取最新的封裝圖紙。在進行 PCB 布局設計時，準確的封裝尺寸信息是必不可少的，大家在這方面是否有遇到過尺寸不匹配的問題呢？

八、其他注意事項

商標與聲明

文檔中列出了飛兆半導體的多個商標。同時，飛兆半導體保留對產品作出變動的權利，且對于產品在應用中出現的問題不承擔責任。若無正式書面授權，其產品不可作為生命支持設備或系統中的關鍵器件。

防偽條款

由于半導體產品仿造行為日益嚴重，飛兆半導體鼓勵客戶直接從飛兆半導體或其授權分銷商處購買產品，以確保購買到正品，并獲得完整的保修服務。在采購過程中，大家是否有遇到過假冒零部件的情況呢？

綜上所述，FCD850N80Z / FCU850N80Z N - 溝道 SuperFET? II MOSFET 以其出色的性能和豐富的特性，為電子工程師在功率開關設計領域提供了一個優秀的選擇。在實際應用中，我們需要充分了解其各項參數和特性，結合具體的設計需求，合理選擇和使用該器件，以實現最佳的電路性能。