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探索DS1135:3合1高速硅延遲線的卓越性能

h1654155282.3538 ? 2026-03-23 15:00 ? 次閱讀
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探索DS1135:3合1高速硅延遲線的卓越性能

在電子設計領域,延遲線是實現精確時序控制的關鍵組件。今天,我們來深入了解Maxim Integrated推出的DS1135 3合1高速硅延遲線,看看它如何在眾多應用中發揮重要作用。

文件下載:DS1135.pdf

一、DS1135的特性亮點

1. 全硅定時電路

DS1135采用全硅定時電路,這使得它在不同的溫度和電壓條件下都能保持穩定和精確。這種設計保證了信號處理的可靠性,減少了因環境因素導致的誤差。

2. 三個獨立緩沖延遲

該器件在單個封裝中集成了三個獨立的邏輯緩沖延遲,為設計提供了更大的靈活性。每個輸出都能獨立工作,滿足復雜系統中不同的時序需求。

3. 精確的邊沿精度

它具備精確的前沿和后沿精度,能夠很好地保留輸入信號的對稱性。這對于需要高精度信號處理的應用來說至關重要,比如通信系統和高速數據傳輸。

4. 良好的焊接兼容性

DS1135支持氣相、紅外和波峰焊接,并且提供卷帶包裝,方便大規模生產和組裝。同時,它有商業和工業溫度范圍可供選擇,適應不同的工作環境。

5. 5V工作電壓

DS1135通常在5V電壓下工作(如果需要3V工作電壓,可以參考DS1135L),是DS1013和DS1035的推薦替代產品。

二、引腳分配與描述

DS1135采用8引腳SO(150密耳)封裝,引腳分配如下: 引腳 名稱 描述
IN1 - IN3 輸入信號 用于接收輸入信號
OUT1 - OUT3 輸出信號 提供延遲后的輸出信號
VCC +5V電源 為器件提供電源
GND 接地 作為參考地

三、延遲參數

DS1135有多種延遲值可供選擇,不同型號的延遲參數如下表所示: 型號 每個輸出的延遲 (ns) 初始公差 (Note 1) 溫度和電壓范圍內的公差 (Note 2)
0°C 至 +70°C
溫度和電壓范圍內的公差 (Note 2)
-40°C 至 +85°C
DS1135Z - 6+ 6/6/6 ±1.0ns ±1.0ns ±1.5ns
DS1135Z - 8+ 8/8/8 ±1.0ns ±1.0ns ±1.5ns
DS1135Z - 10+ 10/10/10 ±1.0ns ±1.0ns ±1.5ns
DS1135Z - 12+ 12/12/12 ±1.0ns ±1.0ns ±1.5ns
DS1135Z - 15+ 15/15/15 ±1.0ns ±1.5ns ±2ns
DS1135Z - 20+ 20/20/20 ±1.0ns ±1.5ns ±2ns
DS1135Z - 25+ 25/25/25 ±1.5ns ±1.5ns ±2ns
DS1135Z - 30+ 30/30/30 ±1.5ns ±1.5ns ±2ns

注:

  1. 標稱條件為 +25°C 和 VCC = +5.0V。
  2. 電壓范圍為 4.75V 至 5.25V。
  3. 延遲精度適用于前沿和后沿。

四、測試設置

為了準確測量DS1135的時序參數,使用了特定的硬件配置。輸入波形由軟件控制的精密脈沖發生器產生,時間延遲通過連接到輸出的時間間隔計數器(20ps分辨率)進行測量。DS1135的輸出抽頭通過VHF開關控制單元選擇并連接到間隔計數器,所有測量都通過計算機通過IEEE 488總線對每個儀器進行全自動控制。

五、電氣特性

1. 絕對最大額定值

  • 任何引腳相對于地的電壓范圍:-1.0V 至 +6.0V
  • 短路輸出電流:50mA(持續1秒)
  • 工作溫度:-40°C 至 +85°C
  • 存儲溫度:-55°C 至 +125°C
  • 引腳溫度(焊接,10秒):+300°C
  • 焊接溫度(回流):+260°C

需要注意的是,這只是應力額定值,在這些或本規格操作部分所示條件之外的任何其他條件下,并不意味著器件能正常工作。長時間暴露在絕對最大額定值條件下可能會影響可靠性。

2. 直流電氣特性

在 (V{CC}= +5V ± 5%) , (T{A} = -40^{circ}C) 至 +85°C(除非另有說明)的條件下,各項參數如下: 參數 符號 最小值 典型值 最大值 單位 備注
電源電壓 VCC 4.75 5.00 5.25 V
有源電流 ICC VCC = 5.25V,周期 = 1μs 時為 35 mA
高電平輸入電壓 VIH 2.2 +0.5 VCC V
低電平輸入電壓 VIL -0.5 0.8 V
輸入泄漏電流 IL -1.0 +1.0 μA 0V ≤ VI ≤ VCC
高電平輸出電流 ICC -1.0 mA VOH = 4V,VCC = 4.75V
低電平輸出電流 ICC 12 mA VCC = 4.75V,VOL = 0.5V

3. 交流電氣特性

同樣在 (V{CC}= +5V ± 5%) , (T{A} = -40^{circ}C) 至 +85°C(除非另有說明)的條件下: 參數 符號 最小值 典型值 最大值 單位 備注
周期 tPERIOD 2(tw1) ns
輸入脈沖寬度 twI 100% of Tap Delay ns
輸入到輸出延遲 tPLH、tPHL 見 Table 1 ns
輸出上升或下降時間 toF、tOR 2.0 2.5 ns
上電時間 tpu 100 ms

4. 電容特性

在 (T_{A} = +25^{circ}C)(除非另有說明)的條件下,輸入電容 CIN 為 10 pF。

六、測試條件

  • 環境溫度:25°C ± 3°C
  • 電源電壓(VCC):5.0V ± 0.1V
  • 輸入脈沖:高電平 3.0V ± 0.1V,低電平 0.0V ± 0.1V
  • 源阻抗:最大 50Ω
  • 上升和下降時間:最大 3.0ns(在 0.6V 和 2.4V 之間測量)
  • 脈沖寬度:500ns
  • 脈沖周期:1μs
  • 輸出負載電容:15pF
  • 輸出:每個輸出加載一個 74F04 輸入門的等效負載 數據在上升和下降沿的 1.5V 電平處測量。需要注意的是,上述條件僅用于測試,并不限制器件在其他數據手冊條件下的使用。

七、術語解釋

  • 周期(Period):第一個脈沖的前沿與下一個脈沖的前沿之間的時間間隔。
  • tWI(脈沖寬度):脈沖在前沿的 1.5V 點與后沿的 1.5V 點之間的時間間隔,或者后沿的 1.5V 點與前沿的 1.5V 點之間的時間間隔。
  • tRISE(輸入上升時間):輸入脈沖前沿 20% 點到 80% 點之間的時間間隔。
  • tFALL(輸入下降時間):輸入脈沖后沿 80% 點到 20% 點之間的時間間隔。
  • tPLH(上升延遲時間):輸入脈沖前沿的 1.5V 點與輸出脈沖前沿的 1.5V 點之間的時間間隔。
  • tPHL(下降延遲時間):輸入脈沖下降沿的 1.5V 點與輸出脈沖下降沿的 1.5V 點之間的時間間隔。

八、訂購信息

DS1135提供多種延遲時間選擇,包括 6ns、8ns、10ns、12ns、15ns、20ns、25ns 和 30ns。封裝類型為 Z = SOIC(150 - MIL)。如需最新的封裝外形信息和焊盤圖案(焊盤尺寸),可訪問 www.maximintegrated.com/packages。需要注意的是,封裝代碼中的 “+”、“#” 或 “-” 僅表示 RoHS 狀態。

九、修訂歷史

修訂日期 描述 更改頁面
8/12 移除了 DIP 和 uSOP 封裝;更新了絕對最大額定值部分;添加了封裝信息部分 1,2,4,6

DS1135憑借其卓越的性能和豐富的特性,為電子工程師在設計中提供了可靠的時序控制解決方案。在實際應用中,我們需要根據具體需求選擇合適的延遲值和封裝類型,同時要注意各項電氣特性和測試條件,以確保器件的正常工作。大家在使用DS1135的過程中遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區分享交流。

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