探索DS1135:3合1高速硅延遲線的卓越性能
在電子設計領域,延遲線是實現精確時序控制的關鍵組件。今天,我們來深入了解Maxim Integrated推出的DS1135 3合1高速硅延遲線,看看它如何在眾多應用中發揮重要作用。
文件下載:DS1135.pdf
一、DS1135的特性亮點
1. 全硅定時電路
DS1135采用全硅定時電路,這使得它在不同的溫度和電壓條件下都能保持穩定和精確。這種設計保證了信號處理的可靠性,減少了因環境因素導致的誤差。
2. 三個獨立緩沖延遲
該器件在單個封裝中集成了三個獨立的邏輯緩沖延遲,為設計提供了更大的靈活性。每個輸出都能獨立工作,滿足復雜系統中不同的時序需求。
3. 精確的邊沿精度
它具備精確的前沿和后沿精度,能夠很好地保留輸入信號的對稱性。這對于需要高精度信號處理的應用來說至關重要,比如通信系統和高速數據傳輸。
4. 良好的焊接兼容性
DS1135支持氣相、紅外和波峰焊接,并且提供卷帶包裝,方便大規模生產和組裝。同時,它有商業和工業溫度范圍可供選擇,適應不同的工作環境。
5. 5V工作電壓
DS1135通常在5V電壓下工作(如果需要3V工作電壓,可以參考DS1135L),是DS1013和DS1035的推薦替代產品。
二、引腳分配與描述
| DS1135采用8引腳SO(150密耳)封裝,引腳分配如下: | 引腳 | 名稱 | 描述 |
|---|---|---|---|
| IN1 - IN3 | 輸入信號 | 用于接收輸入信號 | |
| OUT1 - OUT3 | 輸出信號 | 提供延遲后的輸出信號 | |
| VCC | +5V電源 | 為器件提供電源 | |
| GND | 接地 | 作為參考地 |
三、延遲參數
| DS1135有多種延遲值可供選擇,不同型號的延遲參數如下表所示: | 型號 | 每個輸出的延遲 (ns) | 初始公差 (Note 1) | 溫度和電壓范圍內的公差 (Note 2) 0°C 至 +70°C |
溫度和電壓范圍內的公差 (Note 2) -40°C 至 +85°C |
|---|---|---|---|---|---|
| DS1135Z - 6+ | 6/6/6 | ±1.0ns | ±1.0ns | ±1.5ns | |
| DS1135Z - 8+ | 8/8/8 | ±1.0ns | ±1.0ns | ±1.5ns | |
| DS1135Z - 10+ | 10/10/10 | ±1.0ns | ±1.0ns | ±1.5ns | |
| DS1135Z - 12+ | 12/12/12 | ±1.0ns | ±1.0ns | ±1.5ns | |
| DS1135Z - 15+ | 15/15/15 | ±1.0ns | ±1.5ns | ±2ns | |
| DS1135Z - 20+ | 20/20/20 | ±1.0ns | ±1.5ns | ±2ns | |
| DS1135Z - 25+ | 25/25/25 | ±1.5ns | ±1.5ns | ±2ns | |
| DS1135Z - 30+ | 30/30/30 | ±1.5ns | ±1.5ns | ±2ns |
注:
- 標稱條件為 +25°C 和 VCC = +5.0V。
- 電壓范圍為 4.75V 至 5.25V。
- 延遲精度適用于前沿和后沿。
四、測試設置
為了準確測量DS1135的時序參數,使用了特定的硬件配置。輸入波形由軟件控制的精密脈沖發生器產生,時間延遲通過連接到輸出的時間間隔計數器(20ps分辨率)進行測量。DS1135的輸出抽頭通過VHF開關控制單元選擇并連接到間隔計數器,所有測量都通過計算機通過IEEE 488總線對每個儀器進行全自動控制。
五、電氣特性
1. 絕對最大額定值
- 任何引腳相對于地的電壓范圍:-1.0V 至 +6.0V
- 短路輸出電流:50mA(持續1秒)
- 工作溫度:-40°C 至 +85°C
- 存儲溫度:-55°C 至 +125°C
- 引腳溫度(焊接,10秒):+300°C
- 焊接溫度(回流):+260°C
需要注意的是,這只是應力額定值,在這些或本規格操作部分所示條件之外的任何其他條件下,并不意味著器件能正常工作。長時間暴露在絕對最大額定值條件下可能會影響可靠性。
2. 直流電氣特性
| 在 (V{CC}= +5V ± 5%) , (T{A} = -40^{circ}C) 至 +85°C(除非另有說明)的條件下,各項參數如下: | 參數 | 符號 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | 備注 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 電源電壓 | VCC | 4.75 | 5.00 | 5.25 | V | ||
| 有源電流 | ICC | VCC = 5.25V,周期 = 1μs 時為 35 mA | |||||
| 高電平輸入電壓 | VIH | 2.2 | +0.5 VCC | V | |||
| 低電平輸入電壓 | VIL | -0.5 | 0.8 | V | |||
| 輸入泄漏電流 | IL | -1.0 | +1.0 | μA | 0V ≤ VI ≤ VCC | ||
| 高電平輸出電流 | ICC | -1.0 | mA | VOH = 4V,VCC = 4.75V | |||
| 低電平輸出電流 | ICC | 12 | mA | VCC = 4.75V,VOL = 0.5V |
3. 交流電氣特性
| 同樣在 (V{CC}= +5V ± 5%) , (T{A} = -40^{circ}C) 至 +85°C(除非另有說明)的條件下: | 參數 | 符號 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | 備注 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 周期 | tPERIOD | 2(tw1) | ns | ||||
| 輸入脈沖寬度 | twI | 100% of Tap Delay | ns | ||||
| 輸入到輸出延遲 | tPLH、tPHL | 見 Table 1 | ns | ||||
| 輸出上升或下降時間 | toF、tOR | 2.0 | 2.5 | ns | |||
| 上電時間 | tpu | 100 | ms |
4. 電容特性
在 (T_{A} = +25^{circ}C)(除非另有說明)的條件下,輸入電容 CIN 為 10 pF。
六、測試條件
- 環境溫度:25°C ± 3°C
- 電源電壓(VCC):5.0V ± 0.1V
- 輸入脈沖:高電平 3.0V ± 0.1V,低電平 0.0V ± 0.1V
- 源阻抗:最大 50Ω
- 上升和下降時間:最大 3.0ns(在 0.6V 和 2.4V 之間測量)
- 脈沖寬度:500ns
- 脈沖周期:1μs
- 輸出負載電容:15pF
- 輸出:每個輸出加載一個 74F04 輸入門的等效負載 數據在上升和下降沿的 1.5V 電平處測量。需要注意的是,上述條件僅用于測試,并不限制器件在其他數據手冊條件下的使用。
七、術語解釋
- 周期(Period):第一個脈沖的前沿與下一個脈沖的前沿之間的時間間隔。
- tWI(脈沖寬度):脈沖在前沿的 1.5V 點與后沿的 1.5V 點之間的時間間隔,或者后沿的 1.5V 點與前沿的 1.5V 點之間的時間間隔。
- tRISE(輸入上升時間):輸入脈沖前沿 20% 點到 80% 點之間的時間間隔。
- tFALL(輸入下降時間):輸入脈沖后沿 80% 點到 20% 點之間的時間間隔。
- tPLH(上升延遲時間):輸入脈沖前沿的 1.5V 點與輸出脈沖前沿的 1.5V 點之間的時間間隔。
- tPHL(下降延遲時間):輸入脈沖下降沿的 1.5V 點與輸出脈沖下降沿的 1.5V 點之間的時間間隔。
八、訂購信息
DS1135提供多種延遲時間選擇,包括 6ns、8ns、10ns、12ns、15ns、20ns、25ns 和 30ns。封裝類型為 Z = SOIC(150 - MIL)。如需最新的封裝外形信息和焊盤圖案(焊盤尺寸),可訪問 www.maximintegrated.com/packages。需要注意的是,封裝代碼中的 “+”、“#” 或 “-” 僅表示 RoHS 狀態。
九、修訂歷史
| 修訂日期 | 描述 | 更改頁面 |
|---|---|---|
| 8/12 | 移除了 DIP 和 uSOP 封裝;更新了絕對最大額定值部分;添加了封裝信息部分 | 1,2,4,6 |
DS1135憑借其卓越的性能和豐富的特性,為電子工程師在設計中提供了可靠的時序控制解決方案。在實際應用中,我們需要根據具體需求選擇合適的延遲值和封裝類型,同時要注意各項電氣特性和測試條件,以確保器件的正常工作。大家在使用DS1135的過程中遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區分享交流。
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