探索 DS1135L:3V 3 - 合 1 高速硅延遲線的魅力
在電子設(shè)計領(lǐng)域,高速且精確的延遲線是實現(xiàn)信號處理和時序控制的關(guān)鍵組件。今天,我們就來深入了解 Maxim Integrated 推出的 DS1135L 3V 3 - 合 1 高速硅延遲線,看看它有哪些獨特之處。
文件下載:DS1135L.pdf
產(chǎn)品特性亮點
全硅定時電路
DS1135L 采用全硅定時電路,這賦予了它在不同溫度和電壓條件下的穩(wěn)定性和精確性。與傳統(tǒng)的延遲線解決方案相比,全硅設(shè)計具有更高的可靠性和更低的功耗。
三個獨立緩沖延遲
該延遲線在單個封裝中集成了三個獨立的邏輯緩沖延遲,這使得它在多通道信號處理中非常實用。工程師可以根據(jù)需要獨立控制每個通道的延遲,大大提高了設(shè)計的靈活性。
精確的邊沿精度
無論是信號的上升沿還是下降沿,DS1135L 都能提供精確的延遲控制,同時還能保留輸入信號的對稱性,確保信號的完整性。
良好的焊接兼容性
支持氣相和紅外回流焊接,并且可提供卷帶包裝,這使得它在大規(guī)模生產(chǎn)中便于自動化組裝。
寬溫度范圍
在商業(yè)和工業(yè)溫度范圍內(nèi)都有明確的延遲規(guī)格,可適應(yīng) - 40°C 至 + 85°C 的工作溫度,滿足各種惡劣環(huán)境的應(yīng)用需求。
引腳分配與描述
| DS1135L 采用 150 密耳的 8 引腳 SO 封裝,引腳分配如下: | 引腳 | 描述 |
|---|---|---|
| IN1 - IN3 | 輸入信號 | |
| OUT1 - OUT3 | 輸出信號 | |
| VCC | +3V 電源 | |
| GND | 接地 |
延遲規(guī)格
| DS1135L 提供了多種標準延遲值可供選擇,不同型號的具體延遲時間和延遲公差如下表所示: | 型號 | 延遲(ns) | 初始公差(ns) | 0°C 至 +70°C 公差(ns) | -40°C 至 +85°C 公差(ns) |
|---|---|---|---|---|---|
| DS1135LZ - 10+ | 10/10/10 | ±1.0 | ±2.0 | ±3.0 | |
| DS1135LZ - 12+ | 12/12/12 | ±1.0 | ±2.0 | ±3.0 | |
| DS1135LZ - 15+ | 15/15/15 | ±1.0 | ±2.5 | ±4.0 | |
| DS1135LZ - 20+ | 20/20/20 | ±1.0 | ±2.5 | ±4.0 | |
| DS1135LZ - 25+ | 25/25/25 | ±1.5 | ±3.0 | ±5.0 | |
| DS1135LZ - 30+ | 30/30/30 | ±1.5 | ±3.0 | ±5.0 |
注:“+” 表示無鉛/符合 RoHS 標準的封裝。
電氣特性
絕對最大額定值
- 任何引腳相對于地的電壓范圍: - 1.0V 至 +6.0V
- 短路輸出電流:50mA(持續(xù) 1 秒)
- 工作溫度范圍: - 40°C 至 +85°C
- 存儲溫度范圍: - 55°C 至 +125°C
- 引腳焊接溫度(10 秒):+300°C
- 回流焊接溫度:+260°C
直流電氣特性
| 在 (V{CC}=2.7V) 至 3.6V,(T{A}=-40^{circ}C) 至 +85°C 的條件下,主要參數(shù)如下: | 參數(shù) | 符號 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 電源電壓 | VCC | 2.7 | 3.3 | 3.6 | V | |
| 工作電流 | ICC | - | - | 10( (V_{CC}=3.6V),周期 = 1μs) | mA | |
| 高電平輸入電壓 | VIH | 2.0 | - | (V_{CC}+0.5) | V | |
| 低電平輸入電壓 | VIL | -0.5 | - | 0.8 | V | |
| 輸入泄漏電流 | IL | -1.0 | - | +1.0 | μA | |
| 高電平輸出電流 | ICC | -1.0( (V{CC}=2.7V),(V{OH}=2V) ) | - | - | mA | |
| 低電平輸出電流 | ICC | - | - | 8( (V{CC}=2.7V),(V{OL}=0.4V) ) | mA |
交流電氣特性
| 同樣在 (V{CC}=2.7V) 至 3.6V,(T{A}=-40^{circ}C) 至 +85°C 的條件下: | 參數(shù) | 符號 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | 備注 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 周期 | tPERIOD | 2( (t_{WI}) ) | - | - | ns | - | |
| 輸入脈沖寬度 | tWI | - | - | - | ns | 100% 相關(guān) | |
| 延遲值(輸入 - 輸出延遲) | tPLH,tPHL | 見延遲表 | - | - | ns | - | |
| 輸出上升或下降時間 | tOF,tOR | 2.0 | 2.5 | - | ns | - | |
| 上電時間 | tPU | - | - | - | ms | 2 |
電容特性
在 (T{A}=+25^{circ}C) 時,輸入電容 (C{IN}) 最大值為 10pF。
測試條件與術(shù)語解釋
測試條件
- 環(huán)境溫度:25°C ± 3°C
- 電源電壓( (V_{CC}) ):3.3V ± 0.1V
- 輸入脈沖:高電平 3.0V ± 0.1V,低電平 0.0V ± 0.1V
- 源阻抗:最大 50Ω
- 上升和下降時間:最大 3.0ns(在 0.6V 至 2.4V 之間測量)
- 脈沖寬度:500ns
- 脈沖周期:1μs
- 輸出負載電容:15pF
- 輸出:每個輸出加載一個相當于 74F04 輸入門的負載
術(shù)語解釋
- 周期(Period):第一個脈沖上升沿與下一個脈沖上升沿之間的時間間隔。
- 脈沖寬度((t_{WI}) ):脈沖上升沿 1.5V 點與下降沿 1.5V 點之間的時間,或下降沿 1.5V 點與上升沿 1.5V 點之間的時間。
- 輸入上升時間((t_{RISE}) ):輸入脈沖上升沿 20% 點到 80% 點之間的時間。
- 輸入下降時間((t_{FALL}) ):輸入脈沖下降沿 80% 點到 20% 點之間的時間。
- 上升延遲時間((t_{PLH}) ):輸入脈沖上升沿 1.5V 點到輸出脈沖上升沿 1.5V 點之間的時間。
- 下降延遲時間((t_{PHL}) ):輸入脈沖下降沿 1.5V 點到輸出脈沖下降沿 1.5V 點之間的時間。
訂購信息與封裝
訂購信息
DS1135L 的破折號后的數(shù)字表示延遲時間(ns),例如 DS1135LZ - 10+ 表示延遲時間為 10ns。
封裝信息
目前提供的封裝類型為 Z = SO(150MIL),具體的封裝輪廓和焊盤圖案信息可訪問 www.maximintegrated.com/packages 查詢。
總結(jié)
DS1135L 是一款性能出色的 3V 3 - 合 1 高速硅延遲線,具有穩(wěn)定性高、精度好、靈活性強等優(yōu)點。無論是在高速信號處理還是復(fù)雜的時序控制應(yīng)用中,它都能為工程師提供可靠的解決方案。作為電子工程師,你是否在項目中考慮過使用類似的延遲線呢?它又會為你的設(shè)計帶來哪些新的可能性呢?歡迎在評論區(qū)分享你的想法。
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