1、方案名稱:AS2621 700V大電流高、低側MOSFET/IGBT驅動芯片
2、品牌:紫源微(Zymicro)
3、描述:AS2621是一款高壓、高速功率MOSFET/IGBT高低側驅動芯片,具有兩個獨立地傳輸通道。內部集成了高、低側欠壓鎖定電路、過壓鉗位電路等保護電路,具備大電流脈沖輸出能力,邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平,輸出電流能力最大可達4A,其浮地通道最高工作電壓可達700V。可用于驅動N溝道高壓功率MOSFET/IGBT等器件。
4、方案特色:
? 寬VIN范圍:5.5V至40V
? 自舉工作的浮動通道
? 最高工作電壓為700V
? 兼容3.3V,5V和15V輸入邏輯
? dV/dt耐受能力可達±50V/nsec
? VS負壓耐受能力達-9V
? 柵極驅動電壓:10V到20V
? 高、低側欠壓鎖定電路:欠壓鎖定正向閾值8.9V,欠壓鎖定負向閾值8.2V
? 芯片開通/關斷傳輸延時:Ton/Toff=130ns/130ns
? 防止直通保護:死區時間250ns
? 高低側延時匹配
? 驅動電流能力:拉電流/灌電流=4.0A/4.0A
? 符合RoSH標準
? 采用SOP-8封裝
5、應用領域:
? 電機控制
? 空調/洗衣機
? 微型逆變器驅動程序
6、應用原理圖:

審核編輯 黃宇
-
驅動芯片
+關注
關注
14文章
1681瀏覽量
58077
發布評論請先 登錄
專門用于驅動高壓側開關器件(如MOSFET或IGBT)的LED照明驅動IC-WD10-3111
深入解析SGM48522:雙路5V、7A/6A低側GaN和MOSFET驅動器
SGM48520:高性能低側GaN和MOSFET驅動器的深度剖析
SiLM2285CA-DG 600V/4A高壓半橋驅動 適合IGBT/MOSFET驅動
探索LMG3626:700V GaN FET的卓越性能與應用
深入解析LMG3624:700V GaN FET集成驅動的卓越之選
高頻高側/低側驅動器UCC27201A-DIE:性能與應用解析
南芯科技推出700V高壓GaN半橋功率芯片SC3610
UCC28881 700V 最低靜態電流離線開關數據手冊
AS2621 700V大電流高、低側MOSFET/IGBT驅動芯片
評論