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MAX15090C:2.7V 至 18V、12A 熱插拔解決方案深度剖析

h1654155282.3538 ? 2026-02-09 10:40 ? 次閱讀
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MAX15090B/MAX15090C:2.7V 至 18V、12A 熱插拔解決方案深度剖析

電子工程師的日常工作中,熱插拔解決方案至關重要,它能確保在帶電背板上安全地插入和移除電路板卡。今天,我們就來深入了解一下 Analog Devices 推出的 MAX15090B/MAX15090C 這兩款熱插拔解決方案芯片。

文件下載:MAX15090C.pdf

芯片概述

MAX15090B/MAX15090C 是專為熱插拔應用設計的集成解決方案,適用于需要在帶電背板上安全插入和移除電路板卡的場景。這兩款芯片將熱插拔控制器、6mΩ 功率 MOSFET電子斷路器保護集成在一個封裝中,同時還集成了精確的電流檢測電路,能提供 220μA/A 的比例輸出電流,可用于保護 2.7V 至 18V 的電源電壓。

關鍵特性和優勢

集成度高

  • 減小解決方案尺寸:非常適合刀片服務器和其他對空間要求苛刻的設計。集成了典型值為 6mΩ 的內部功率 MOSFET 過壓保護、電源良好和故障輸出、可編程欠壓鎖定等功能。
  • 無需外部 RSENSE 實現電流報告:降低了設計復雜度和成本。

靈活性強

  • 寬工作電壓范圍:2.7V 至 18V 的工作電壓范圍,使其能適應多種不同的應用場景。
  • 可調節斷路器電流/電流限制閾值:通過連接外部電阻到 CB 引腳,可以方便地設置斷路器閾值,公式為(I{CB}=R{CB} / 3333.3)。
  • 可編程壓擺率控制:通過在 GATE 引腳連接外部電容,可以編程啟動期間的壓擺率。
  • 可變速度斷路器響應:能根據過流情況快速響應,有效保護電路
  • 鎖存或自動重試選項:MAX15090B 在故障時鎖存關閉,而 MAX15090C 進入自動重試模式,滿足不同應用需求。

安全特性可靠

  • 高負載電流能力:最大負載電流能力可達 12A。
  • 高精度斷路器閾值:斷路器閾值精度為 ±10%。
  • 啟動時浪涌電流調節:采用折返式電流限制控制浪涌電流,降低 di/dt,確保 MOSFET 在安全工作區 (SOA) 內運行。
  • 輸入到輸出短路檢測:在啟動前檢測輸入到輸出的短路故障,提高系統安全性。

電氣特性

MAX15090B/MAX15090C 的電氣特性在不同條件下表現出色。例如,在(V{IN}=V{CC}=2.7V) 至 18V,(T{A}=T{J}=-40^{circ}C) 至 +85°C 的溫度范圍內,(V{CC}) 和 (V{IN}) 的工作范圍均為 2.7V 至 18V,(V{CC}) 供電電流在 (V{IN}=3V) 時典型值為 0.5mA。具體的電氣參數可參考數據手冊中的詳細表格。

典型應用電路和工作原理

典型應用電路

文檔中給出了典型應用電路,展示了如何將芯片與外部元件(如電容、電阻、TVS 二極管等)連接,以實現熱插拔功能。電路中的各個元件協同工作,確保芯片正常運行。

工作原理

  • 使能邏輯和欠壓/過壓鎖定閾值:當 (V{CC}) 供應電壓高于 (V{UVLO}) 閾值,且 (V{UV}) 高于 1.23V(典型值),(V{OV}) 低于 1.23V 時,芯片輸出開啟;反之則關閉。通過外部電阻分壓器可以靈活設置欠壓/過壓鎖定閾值。
  • 啟動過程:輸出使能后,OUT 引腳電壓以默認約 10V/ms 的速度上升,直至達到編程的斷路器電流水平。通過在 GATE 引腳連接外部電容,可以編程壓擺率。啟動期間,折返式電流限制保護內部 MOSFET。當 OUT 引腳電壓高于預充電閾值(0.9 x (V{IN}))且 ((V{GATE }-V_{OUT })>3V) 時,啟動階段完成,進入正常操作模式。
  • 可變速度/雙級故障保護:采用具有不同閾值和響應時間的比較器來監測負載電流。在故障條件下,MAX15090C 進入自動重試模式,而 MAX15090B 鎖存關閉。
  • 使能輸入 (EN):啟動階段成功完成且電源良好輸出有效后,EN 輸入必須在 (t_{DLY}) 延遲時間內拉低至少 1ms,否則芯片將關閉內部 MOSFET。通過在 CDLY 和 GND 之間連接電容,可以設置超時延遲。
  • 電荷泵:集成電荷泵為內部功率 MOSFET 提供柵極驅動電壓。啟動期間,以固定的 5.7μA 電流驅動 MOSFET 的 GATE 引腳,實現 10V/ms 的壓擺率。通過連接外部電容可以降低啟動期間的輸出壓擺率。
  • 斷路器比較器和電流限制:通過比較內部功率 MOSFET 的電流與斷路器閾值,實現電流限制。外部電阻 (R_{CB}) 決定了斷路器閾值,最大允許的外部電阻值為 40.2kΩ,對應 12A 的 CB 閾值設置。
  • 自動重試和鎖存故障管理:故障發生時,芯片關閉內部 MOSFET。MAX15090C 在 (t{RESTART}) 延遲后進入自動重試模式,而 MAX15090B 鎖存關閉,直到 UV 輸入在 (t{RESTART}) 延遲后循環關閉和打開。
  • 故障狀態輸出 (FAULT):FAULT 是開漏輸出,在電流限制、過溫、啟動時輸入到輸出短路以及啟動超時等情況下輸出低電平。
  • 電源良好 (PG) 延遲:PG 是開漏輸出,在 (t{PG}) 延遲后有效,表明 OUT 引腳電壓達到 ((0.9 ×V{IN})) 且 ((V{GATE }-V{OUT })>3V)。
  • 內部穩壓器輸出 (REG):芯片內部的線性穩壓器在 REG 引腳輸出 3.3V 電壓,為內部電路模塊供電。REG 引腳需要連接至少 1μF 的電容到地。
  • 電流報告輸出 (ISENSE):ISENSE 引腳是精確電流檢測放大器的輸出,提供與負載電流成比例的源電流,比例為 220μA/A。通過在 ISENSE 和地之間連接電阻,可以產生縮放電壓,用于 ADC 數字化處理。
  • 熱保護:當結溫超過 (T_{J}=+150^{circ}C)(典型值)時,內部熱保護電路關閉內部功率 MOSFET。結溫下降 20°C(典型值)后,芯片從熱關斷模式恢復。
  • 輸入到輸出短路保護:啟動時,芯片檢查輸入到輸出的短路故障。如果 (V{OUT}) 大于 90% 的 (V{IN}),內部 MOSFET 無法開啟,FAULT 輸出低電平,MAX15090C 在 3.2s 后進入自動重試模式,而 MAX15090B 鎖存關閉。

應用信息

設置欠壓閾值

通過從 IN 到 UV、OV 和 GND 的電阻分壓器,可以編程欠壓鎖定閾值。計算公式為(R 1=left(frac{V{I N}}{V{U V _T H}}-1right) times(R 2+R 3)),其中 (V_{UV_TH}) 為 1.23V。

設置過壓閾值

同樣使用電阻分壓器來編程過壓鎖定閾值,計算公式為((R 1+R 2)=left(frac{V{I N}}{V{O V _T H}}-1right) × R 3),其中 (V_{OV_TH}) 為 1.23V。

晶圓級封裝 (WLP) 應用信息

關于 WLP 封裝的詳細信息,包括結構、尺寸、載帶信息、PCB 技術、凸塊焊盤布局、推薦的回流溫度曲線以及可靠性測試結果等,可參考相關應用筆記。

訂購信息和封裝信息

訂購信息

型號 溫度范圍 封裝形式 故障管理方式
MAX15090B EWI+T -40°C 至 +85°C 28 WLP 鎖存關閉
MAX15090C EWI+T -40°C 至 +85°C 28 WLP 自動重試

封裝信息

最新的封裝外形信息和焊盤圖案(封裝尺寸)可在 www.analog.com/packages 上查詢。

MAX15090B/MAX15090C 為熱插拔應用提供了一種高性能、高集成度且靈活的解決方案。電子工程師在設計相關電路時,可以根據具體應用需求,充分利用其各項特性,確保系統的安全性和可靠性。大家在實際應用中是否遇到過類似芯片的使用問題呢?歡迎在評論區分享交流!

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