Kioxia Corporation（鎧俠）是全球領先的內存解決方案提供商，今天宣布該公司采用每單元4位的四層單元（QLC）技術的新款通用閃存（UFS）版本4.1嵌入式內存器件開始送樣。新款器件專為讀取密集型應用和大容量存儲需求而設計，采用Kioxia的第8 代BiCS FLASHTM3D閃存技術。

QLC UFS相比傳統TLC UFS具有更高的位密度，非常適合需要大存儲容量的移動應用。得益于控制器技術和糾錯技術的進步，讓QLC技術能夠在實現這一目標的同時，保持有競爭力的性能。

在這些技術進步的基礎上，Kioxia的新款器件實現了顯著的性能提升。與上一代（UFS 4.0 / BiCS FLASH?6 QLC UFS）相比，Kioxia的QLC UFS將順序寫入速度提升了25%，將隨機讀取速度提升了90%，并將隨機寫入速度提升了95%。寫放大系數（WAF）也提升了最高3.5倍（在禁用WriteBooster的情況下）。

Kioxia QLC UFS不僅非常適合智能手機和平板電腦，此外同樣支持需要更高容量和性能的新型產品，包括個人電腦（PC）、網絡、增強現實/虛擬現實（AR/VR）、物聯網（IoT）以及啟用人工智能（AI）的設備。

新款UFS 4.1器件提供512 GB和1 TB兩種容量，將Kioxia先進的BiCS FLASH? 3D閃存與集成的控制器組合在JEDEC標準封裝中。Kioxia的第8代BiCS FLASH? 3D閃存推出了CMOS直接鍵合陣列（CBA）技術，這一架構創新標志著閃存設計領域的一次飛躍式改變。

主要特點包括：

符合UFS 4.1規范。UFS 4.1向后兼容UFS 4.0和UFS 3.1。

第8代Kioxia BiCS FLASH? 3D閃存

支持WriteBooster，顯著提升寫入速度

封裝尺寸比上一代QLC UFS更小：從11×13 mm縮小至9×13 mm

審核編輯 黃宇