開篇：國產工藝新進展，穩先微垂直 BCD 高邊開關量產落地

據悉，專精特新 “小巨人” 企業穩先微電子近期實現重要突破 —— 基于100% 國產化垂直 BCD 工藝的車規級高邊開關 WSD9008 正式量產。這款芯片的Rsp（比導通電阻）性能參數達到 11 mΩ·mm2 ，優于全球市場多數同類產品。

在國內汽車電子高邊開關市場規模持續增長、國產化需求穩步攀升的背景下，該產品的量產不僅有助于完善國產高端車規級高邊開關的產品序列，更保障這一關鍵器件供應鏈的 自主、安全與可靠 。

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核心突破：垂直BCD工藝平臺的創新性集成

根據市場反饋，穩先微第二代全國產的平面BCD工藝高邊產品已陸續上車，本次我們了解到的垂直BCD工藝高邊產品被定義為“穩先微第三代高邊產品”，歷經工藝突破和穩先微在該領域的技術積累，當前樣品的性能參數可對標海外頭部企業。

它將平面BCD工藝的高精度控制與垂直SGT工藝的大功率處理能力，融合于同一片N型硅襯底之上，這實現了功率開關與智能控制電路在單晶圓層面的高度集成。

技術解構：該工藝在N型硅襯底上，同步構建并互聯了SGT（屏蔽柵溝槽）結構、雙極性晶體管、CMOS邏輯電路和高壓LDMOS（橫向擴散金屬氧化物半導體）器件。

這種單晶圓融合技術，使WSD9008得以在同一顆芯片上，同時獲得SGT結構的優異功率密度和高魯棒性，以及平面BCD的精密信號處理和高穩定性。

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性能驗證：用實測數據體現工藝價值

工藝創新的價值，需要通過性能數據來兌現。對于功率開關芯片而言，比導通電阻（Rsp） 是衡量其能效水平的關鍵指標之一，數值越低代表導通損耗越小、效率越高。

第三代WSD9008樣品測試數據

WSD9008的Rsp典型值低至11 mΩ·mm2 。這一數據處于行業領先水平。作為對比，采用CMT8工藝的同類產品Rsp約為17 mΩ·mm2， SMART7工藝的標桿產品Rsp也在12 mΩ·mm2左右。

這組數據表明，穩先微的自主工藝平臺已具備相當的先進性，國產芯片在核心性能參數上已達到國際主流產品水平。更低的導通損耗有助于提升系統能效并減少熱累積，從而支持終端產品實現更高的可靠性與更長的使用壽命。

阻性、感性、容性 相關測試波形

阻性負載

VS=13V，IN=5V@1KHz，Duty=50%，R ~LOAD~ =4ohm

CH1:IN CH2:OUT CH3:VS CH4:IOUT

容性負載

VS=13V，IN=5V@1s，C ~LOAD~ =1mF，R ~LOAD~ =1.3ohm

CH1:IN CH2:OUT CH3:VS CH4:IOUT

鹵素燈負載

VS=16V，IN=5V@1s，LOAD：H9（12V/65W）

CH1:IN CH2:OUT CH3:VS CH4:IOUT

感性負載

VS=13V，IN=5V@1.5ms，L ~LOAD~ =6mH

CH1:IN CH2:OUT CH3:VS CH4:IOUT

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應用落地：滿足高可靠性場景要求

基于先進的底層工藝，WSD9008具備了滿足嚴苛應用要求的特性。該芯片支持 4V至28V的寬范圍輸入電壓 ，并能承受高達40V的拋負載瞬態電壓沖擊。能夠適應汽車環境中常見的冷啟動、負載突降等極端電源工況，符合車規級應用要求。

在安全性方面，WSD9008集成了過流保護、短路自關斷、過熱關斷及** [可選：欠壓鎖定]** 等全套診斷保護功能。通過 多路復用模擬信號反饋 機制，可實時將負載電流、芯片溫度等關鍵狀態轉化為模擬電壓信號輸出。

這一設計使得系統主控制器無需復雜的外圍電路，即可實現對功率狀態的監控與故障診斷，從而簡化了系統設計，并有助于提升整體可靠性。

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產業意義：助力產業鏈自主化進程

穩先微垂直BCD工藝產品的量產，其意義超越單一芯片的上市。它標志著國產垂直BCD工藝平臺已從技術研發階段走向成熟商用，初步實現了從芯片設計、工藝制造到封裝測試的全鏈條本土化貫通。

對于整車廠商及零部件供應商，尤其是正處于快速發展的國產汽車產業而言，這意味著在一顆關鍵的車規級核心功率器件上，多了一個從“有”到“優”、且供應安全自主的可選項。這為提升國內汽車產業鏈在該領域的自主性與韌性，提供了實質性的技術支撐。

產品選型表

據穩先微品牌部透露，目前穩先微第二代和第三代高邊產品同步開啟全型號的量產計劃，全新的自主可控可靠的國產高邊開關產品將于本年Q2季度陸續上市。

未來，穩先微計劃基于這一自主工藝平臺，進一步拓展智能熔斷器、固態繼電器等亟待突破的產品市場。