一、訂單核心工藝參數(shù)

本訂單交付的IC測試模組半成品，采用以下關(guān)鍵工藝實(shí)現(xiàn)，各項(xiàng)指標(biāo)均滿足客戶對高密度測試載體的技術(shù)要求：

長連排IC PAD：采用線寬4mil、PAD尺寸3mil的長連排布局，PAD尺寸偏差控制在±0.2mil以內(nèi)。

精密布線：實(shí)現(xiàn)線寬/線距最小3mil的多層高密度走線，阻抗偏差控制在±5%以內(nèi)。

表面處理：采用沉金+局部軟電混合工藝，沉金層厚度控制在0.05-0.1μm，軟電區(qū)域延伸率＞15%。

二、關(guān)鍵工藝能力詳解

1.長連排4/3mil IC PAD制造能力

適配場景：本訂單針對多引腳窄間距IC的測試需求，采用長連排PAD布局，需滿足探針的精準(zhǔn)接觸與信號穩(wěn)定傳輸。工藝實(shí)現(xiàn)：

采用激光直接成像（LDI）設(shè)備進(jìn)行高精度曝光，分辨率達(dá)2μm，確保PAD圖形的精細(xì)還原。

優(yōu)化蝕刻液配比與蝕刻速率，結(jié)合在線AOI檢測，實(shí)現(xiàn)長連排PAD的尺寸均勻性達(dá)99.5%以上，避免因PAD偏差導(dǎo)致探針接觸不良。

采用微蝕處理提升PAD表面粗糙度，增強(qiáng)后續(xù)鍍層結(jié)合力，保障測試過程中的電氣穩(wěn)定性。

2.高密度精密布線能力

適配場景：本訂單模組需承載多通道高頻測試信號，布線密度直接決定模組的小型化與信號完整性。工藝實(shí)現(xiàn)：

基于客戶DFM需求，采用分層阻抗仿真設(shè)計(jì)，對差分對、高速信號走線進(jìn)行優(yōu)化，降低串?dāng)_與信號損耗。

通過LDI曝光與干膜顯影工藝，實(shí)現(xiàn)最小3mil線寬/線距的精細(xì)布線，在有限基板面積內(nèi)完成多通道信號鏈路布局。

采用接地屏蔽層設(shè)計(jì)，對高頻信號走線進(jìn)行隔離，保障10Gbps以上信號傳輸?shù)耐暾浴?/p>

3.沉金+局部軟電混合工藝能力

適配場景：本訂單模組需同時滿足探針接觸的耐磨性與局部區(qū)域的耐彎折性，單一表面處理無法兼顧。工藝實(shí)現(xiàn)：

采用局部阻鍍工藝，精準(zhǔn)劃分沉金區(qū)域與軟電區(qū)域，通過預(yù)鍍鎳層優(yōu)化界面結(jié)合力，避免鍍層脫落。

沉金區(qū)域控制鍍層厚度在0.05-0.1μm，保障探針耐磨壽命＞10萬次，滿足高頻次測試需求。

軟電區(qū)域采用特殊電鍍配方，提升鍍層延伸率至＞15%，增強(qiáng)模組在復(fù)雜測試場景下的抗疲勞能力。

三、本訂單制造保障

產(chǎn)線配置：本訂單由一廠（樣品/小批量/特種工藝產(chǎn)線）完成，配備LDI、AOI、阻抗測試儀等高精度設(shè)備，保障工藝精度與穩(wěn)定性。

制程管控：關(guān)鍵工序采用SPC統(tǒng)計(jì)過程控制，對蝕刻速率、鍍層厚度等參數(shù)進(jìn)行實(shí)時監(jiān)控，確保制程能力指數(shù)CPK≥1.33。

交付周期：從訂單接收至半成品交付僅需2天，體現(xiàn)小批量特種訂單的快速響應(yīng)能力。

審核編輯 黃宇