南山電子代理的新潔能NCE60P16AK是一款采用先進溝槽技術設計的P溝道增強型功率MOSFET。該器件在低柵極電荷條件下仍能提供優(yōu)異的導通電阻(RDS(ON)),兼具高效能與高可靠性,適用于負載開關、PWM控制等多種功率管理場景。其緊湊的TO-252封裝具有良好的散熱表現,適合高密度或散熱要求較高的應用。
主要特性:
1.電氣性能優(yōu)異:
額定漏源電壓VDS為-60V,連續(xù)漏極電流ID達-16A。在VGS = -10V時,RDS(ON)低于65mΩ;在VGS = -4.5V時,仍能保持在85mΩ以內,兼顧了高壓與低導通損耗。
2.低柵極電荷設計:
采用高密度元胞結構,在降低導通電阻的同時,也減少了柵極電荷,有利于提升開關速度、降低驅動損耗,特別適合高頻PWM應用。
3.可靠性保障:
產品經過100% UIS(非鉗位感性開關)測試和ΔVds測試,具備完整的雪崩耐壓與電流特性表征,確保在瞬態(tài)過壓或感性負載下的穩(wěn)定運行。
4.散熱性能良好:
TO-252封裝結構優(yōu)化,熱阻低至4.68℃/W,有利于功率耗散,提升系統(tǒng)整體熱可靠性。
典型應用場景:
- 負載開關:適用于電源路徑控制、電源隔離等場合,具備低導通損耗和高電流承載能力。
- PWM調速/調光:憑借其快速開關特性和低柵極電荷,適合電機驅動、LED調光等需要高頻開關的控制系統(tǒng)。
- DC-DC轉換與電源管理:在同步整流、電池保護等電路中可作為高效功率開關使用。
封裝與設計支持:
器件采用TO-252-2L(DPAK)貼裝封裝,引腳配置清晰,布局緊湊,便于PCB焊接與散熱設計。用戶在設計時應注意遵循手冊中的最大額定值與熱降額曲線,合理設置驅動電路與散熱路徑,以充分發(fā)揮其性能。
新潔能NCE60P16AK憑借其出色的電氣性能、良好的散熱結構以及全面的可靠性驗證,成為中低壓、中高電流P溝道功率開關的理想選擇,適用于消費電子、工業(yè)控制、電源管理等多種領域,助力系統(tǒng)實現更高效率與更穩(wěn)定運行。
-
電阻
+關注
關注
88文章
5796瀏覽量
179742 -
MOSFET
+關注
關注
151文章
9998瀏覽量
234249 -
MOS
+關注
關注
32文章
1749瀏覽量
101007
發(fā)布評論請先 登錄
NCE0140KA新潔能NCE0140KA原裝100V N溝道 MOS
NCE60P04Y 新潔能 -60V -4A SOT23-3L PMOS
NCE60P05BY 新潔能-60V -4A SOT23-3L P溝道MOS 場效應管
NCE60P04Y 新潔能 -4A -60V MOS管
新潔能NCE3407 NCE P通道增強模式電源MOSFET民信微
新潔能NCE4435 NCE P通道增強模式電源MOSFET SOP8民信微
新潔能NCE30P30K NCE P通道增強模式電源MOSFET TO-252-2L民信微
新潔能 NCE3080K MOSFET:低阻高速,功率電路的可靠 MOS 管之選
新潔能NCE01P30:高效能P溝道功率MOSFET的卓越之選
新潔能NCE60P16AK:高效可靠的P溝道功率MOSFET
評論