由新潔能（NCE）推出的NCE40P70K是一款高性能P溝道增強型功率MOSFET。該器件采用先進的溝槽技術設計，旨在提供極低的導通電阻（RDS(ON)）與低柵極電荷特性，特別適用于需要處理大電流負載的電子電路應用中。NCE40P70K憑借其優異的電氣性能和穩定的質量表現，成為電源管理及功率開關領域的理想選擇。

南山電子自2020年起成為新潔能（NCE）的正式授權代理商，代理其MOSFET、IGBT全系列產品，我們致力于為客戶提供專業的產品服務與解決方案。如需獲取最新產品信息，請聯系南山電子官網在線客服。

核心電氣參數：

NCE40P70K在設計上注重平衡功率損耗與電流處理能力，其主要規格指標如下：

• 漏源電壓 (VDS)：-40V
• 連續漏極電流 (ID)：-70A
• 脈沖漏極電流 (IDM)：-200A
• 導通電阻 (RDS(ON))：最大值 10mΩ @ VGS=-10V（典型值為 7.5mΩ）
• 柵源電壓 (VGS)：±20V
• 最大功耗 (PD)：130W

典型應用領域：

• 電源開關：適用于各類電源控制電路中的高壓側開關。
• 大電流負載開關：用于電池保護板、電機驅動等需要大電流通斷的場合。
• DC/DC轉換器：在降壓或升壓變換器中作為功率開關管，提升轉換效率。

采購信息：

• 封裝：TO-252-2L；
• 包裝方式：?330mm編帶包裝:
• 最小包裝量：2.5k/盤