CellularRAM PSRAM是一種兼具SRAM與DRAM特點的隨機存取存儲器。它采用單晶體管（1T）的DRAM存儲單元結構，與傳統六晶體管（6T）或四晶體管加負載電阻的SRAM單元相比，在工藝上更接近DRAM，卻在接口與使用體驗上類似于SRAM。由于DRAM架構的單元面積更小，PSRAM在相同芯片尺寸下能實現更大存儲容量，成本也更具優勢。

PSRAM也叫“偽靜態隨機存儲器”，“偽靜態”（Pseudo Static）的得名，正是因為它保留了類似SRAM的簡易接口：直接通過地址、讀寫命令即可存取數據，無需像傳統DRAM那樣依賴內存控制器進行定期刷新。然而其內核仍是基于DRAM的1T1C（一個晶體管加一個電容）存儲單元，這與SRAM常用的6T結構形成鮮明對比。正是這種“SRAM接口+DRAM內核”的融合，使CellularRAM PSRAM既能實現高密度存儲，又保持了接口的簡潔性。

CellularRAM PSRAM的主要應用場景與優勢

1、適用于便攜與嵌入式設備

CellularRAM PSRAM特別適合需要中等緩存容量且對功耗和成本敏感的場景，例如智能手機、物聯網設備、便攜式醫療儀器等。它在數據密集、突發讀寫頻繁、以及涉及實時算法處理（如FFT、DFT）的應用中表現突出。

2、接口簡單、容量大、集成度高

CellularRAM PSRAM存儲器既具備SRAM接口的易用性，又擁有DRAM的高存儲密度，同時將刷新電路內置，無需外部刷新控制。CellularRAM PSRAM這一設計大大降低了系統設計的復雜度，因此受到眾多工程師與終端產品的青睞。

3、從并行到串行的接口演進

傳統PSRAM多采用并行接口，會占用大量MCU或SoC的I/O引腳。如今，以IPUS為代表的廠商已推出支持SPI或QSPI等串行接口的PSRAM產品，極大減少了引腳占用，為不具備并行內存擴展接口的嵌入式系統提供了靈活的外擴存儲方案。

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審核編輯 黃宇