電子發燒友網報道(文/莫婷婷)2026年初,“一盒內存條堪比上海一套房”的話題沖上熱搜。據媒體報道,256GB DDR5服務器內存單條價格超過4萬元,若一次性采購一盒100根,總價高達400萬元——這一數字足以在一線城市核心區購置一套房產。
“一盒內存抵一套房”成為當前全球存儲市場劇烈波動的真實寫照。與此同時,受存儲市場蹴球帶動,相關企業股價狂飆。
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大廠鎖貨、小廠觀望:存儲漲價下的產業鏈兩極分化
金融圖表分析平臺TradingView的數據顯示,2025年美股漲幅前十榜單中,前四名清一色為存儲企業:閃迪全年暴漲577%,西部數據、美光科技、希捷科技漲幅均超200%。就在1月6日,閃迪股價漲幅20%,刷新盤中歷史新高,達到349.63美元;西部數據也大漲16.77%。
在國內,普冉股份20cm漲停,股價創歷史新高,達到182.01元,江波龍、德明利、恒爍股份、佰維存儲等漲幅超過10%,集體大漲。
回顧2025年,全球存儲市場走出“前低后高”的V型曲線。上半年,受智能手機、PC等終端去庫存影響,NAND Flash與DRAM價格一度承壓。但自3月起,隨著下游需求實質性回暖,疊加原廠主動減產控貨,供需格局開始扭轉。
據CFM閃存市場數據,2025年上半年,DRAM綜合價格指數飆升47.7%,NAND Flash亦上漲9.2%;而進入下半年,漲幅進一步加速,部分品類現貨價格累計漲幅超300%。
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目前,針對存儲價格的持續上漲,市場上的終端客戶分化為兩類:
一類是具備較強現金流和成本承受能力的企業,通常為大型整機廠商、頭部消費電子品牌或資金充裕的行業龍頭。這類客戶對供應鏈穩定性要求極高,他們往往通過簽訂長期協議、提前鎖價或分批備貨等方式來平抑波動風險,能夠接受當前較高的采購價格。另一類則是中小型企業或利潤空間本就微薄的客戶,其現金流較為緊張,對成本變動極為敏感。
面對當前存儲價格持續上漲的局面,電子發燒友網了解到,部分終端客戶持“看跌不看漲”的觀望態度,即便市場整體呈現存儲需求翻倍增長的態勢,仍不敢貿然下單。此外,由于存儲代理商普遍要求一次性付清貨款,單次采購成本高昂。
業內人士舉例,LPDDR4X芯片單價約為20美元,容量更大的型號可達40美元一顆甚至不等,假設采購一包(約為1200顆)的貨,就至少需要支付16萬元,而同樣的資金在過去足以采購五六包。高昂的采購門檻進一步加劇了終端客戶的謹慎心理。不僅終端客戶下單趨于保守,部分代理商也因風險過高而不敢輕易囤貨。
這種兩極分化的需求格局,反過來又加劇了市場的波動性與不確定性,也使得代理商和原廠在制定銷售策略時面臨更大挑戰。
目前來看,全球存儲芯片供應短期內難以顯著放量,主要受限于頭部廠商產能擴張的節奏。此外,三星華城工廠作為生產DRAM顆粒與NAND Flash存儲芯片的重要生產地,在2025年年底經歷了火災,盡管官方未披露具體損失細節,但業內普遍認為這會在一定程度上推高當前市場價格。
另一方面,據韓國媒體報道,三星正積極布局產能恢復與長期擴張。公司已正式決定重啟位于平澤市的P5晶圓廠建設項目,并已進入基礎設施工程的招標階段;同時,現有的平澤P4工廠也傳出將進行產能擴充的新動向。
然而,半導體制造工廠從規劃、建設到設備安裝、良率爬坡,周期通常長達12至18個月。即便加速推進,上述新增產能在2026年內也難以形成實質性產出。因此,在未來一年內,全球存儲市場仍將處于“供不應求、增量有限”的緊平衡狀態。
產業鏈多維應對:技術迭代、成本重構
英偉達CEO黃仁勛在CES上提到:就存儲而言,這目前是一個完全未被開發的市場,一個從未存在過的市場。黃仁勛認定AI存儲很可能成為全球最大的存儲市場,它將承載全球人工智能的工作記憶。
當前,漲價的核心驅動力來自AI基礎設施的爆發式擴張。AI訓練和推理的需求持續上漲,增長,特別是數據中心對HBM3E及通用服務器DRAM的需求呈指數級增長。江波龍基于采用LPDDR5X技術的SOCAMM產品,結合MRDIMM、LPCAMM2、CAMM2、CXL2.0內存拓展模塊補齊未來產品版圖。佰維則有SATASSD、PCIeSSD、CXL內存及RDIMM內存條,應用于數據中心、通用服務器、AI/ML服務器、云計算、大數據等場景。
美光在接受電子發燒友網的“2026半導體產業展望”專題中提到,由于供應持續緊張,預計2026年全球DRAM與NAND整體出貨增速仍將受限。但總體來看,行業出貨量有望在2025年的基礎上實現約20%的同比增長。在此背景下,美光正積極響應客戶需求,預計公司自身的DRAM與NAND出貨量可實現約20%的增長。
在消費電子領域,AI PC正加速普及,其存儲配置顯著提升,LPDDR5X逐步取代DDR4成為主流,1TB SSD成為中高端機型標配,而高密度、低成本的QLC NAND方案也在快速滲透入門級市場。就在近期,美光推出業界首款面向客戶端計算的 PCIe 5.0 QLC SSD,基于 G9 NAND,順序讀取速率高達 11,000 MB/s,順序寫入速率高達 9,300 MB/s, 4TB 容量。
手機端同樣呈現“雙升”趨勢——據CFM預測,2025年智能手機平均NAND容量將達224GB。DRAM平均容量升至8GB,通過提升單機價值量來攤薄單位存儲成本。
值得注意的是,部分芯片廠商開始“向后兼容”尋求緩沖。業內消息指出,AMD正積極籌備“復活”老款AM4平臺產品。AM4作為其2016年推出的經典CPU接口,基于DDR4內存,支持Ryzen 1000至5000系列處理器,擁有龐大的存量用戶基礎和成熟的主板生態。在當前DDR5內存價格高企的背景下,復用AM4平臺可幫助用戶繼續使用成本較低的DDR4內存,延緩升級壓力,為市場提供一條高性價比的過渡路徑。
小結:
存儲芯片的此輪漲價,將對整個產業鏈帶來新的影響。短期來看,價格高位運行已成定局;中長期而言,唯有通過技術創新、架構優化與供應鏈協同,才能穿越周期波動、尋求破局。
“一盒內存抵一套房”成為當前全球存儲市場劇烈波動的真實寫照。與此同時,受存儲市場蹴球帶動,相關企業股價狂飆。
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大廠鎖貨、小廠觀望:存儲漲價下的產業鏈兩極分化
金融圖表分析平臺TradingView的數據顯示,2025年美股漲幅前十榜單中,前四名清一色為存儲企業:閃迪全年暴漲577%,西部數據、美光科技、希捷科技漲幅均超200%。就在1月6日,閃迪股價漲幅20%,刷新盤中歷史新高,達到349.63美元;西部數據也大漲16.77%。
在國內,普冉股份20cm漲停,股價創歷史新高,達到182.01元,江波龍、德明利、恒爍股份、佰維存儲等漲幅超過10%,集體大漲。
回顧2025年,全球存儲市場走出“前低后高”的V型曲線。上半年,受智能手機、PC等終端去庫存影響,NAND Flash與DRAM價格一度承壓。但自3月起,隨著下游需求實質性回暖,疊加原廠主動減產控貨,供需格局開始扭轉。
據CFM閃存市場數據,2025年上半年,DRAM綜合價格指數飆升47.7%,NAND Flash亦上漲9.2%;而進入下半年,漲幅進一步加速,部分品類現貨價格累計漲幅超300%。
?目前,針對存儲價格的持續上漲,市場上的終端客戶分化為兩類:
一類是具備較強現金流和成本承受能力的企業,通常為大型整機廠商、頭部消費電子品牌或資金充裕的行業龍頭。這類客戶對供應鏈穩定性要求極高,他們往往通過簽訂長期協議、提前鎖價或分批備貨等方式來平抑波動風險,能夠接受當前較高的采購價格。另一類則是中小型企業或利潤空間本就微薄的客戶,其現金流較為緊張,對成本變動極為敏感。
面對當前存儲價格持續上漲的局面,電子發燒友網了解到,部分終端客戶持“看跌不看漲”的觀望態度,即便市場整體呈現存儲需求翻倍增長的態勢,仍不敢貿然下單。此外,由于存儲代理商普遍要求一次性付清貨款,單次采購成本高昂。
業內人士舉例,LPDDR4X芯片單價約為20美元,容量更大的型號可達40美元一顆甚至不等,假設采購一包(約為1200顆)的貨,就至少需要支付16萬元,而同樣的資金在過去足以采購五六包。高昂的采購門檻進一步加劇了終端客戶的謹慎心理。不僅終端客戶下單趨于保守,部分代理商也因風險過高而不敢輕易囤貨。
這種兩極分化的需求格局,反過來又加劇了市場的波動性與不確定性,也使得代理商和原廠在制定銷售策略時面臨更大挑戰。
目前來看,全球存儲芯片供應短期內難以顯著放量,主要受限于頭部廠商產能擴張的節奏。此外,三星華城工廠作為生產DRAM顆粒與NAND Flash存儲芯片的重要生產地,在2025年年底經歷了火災,盡管官方未披露具體損失細節,但業內普遍認為這會在一定程度上推高當前市場價格。
另一方面,據韓國媒體報道,三星正積極布局產能恢復與長期擴張。公司已正式決定重啟位于平澤市的P5晶圓廠建設項目,并已進入基礎設施工程的招標階段;同時,現有的平澤P4工廠也傳出將進行產能擴充的新動向。
然而,半導體制造工廠從規劃、建設到設備安裝、良率爬坡,周期通常長達12至18個月。即便加速推進,上述新增產能在2026年內也難以形成實質性產出。因此,在未來一年內,全球存儲市場仍將處于“供不應求、增量有限”的緊平衡狀態。
產業鏈多維應對:技術迭代、成本重構
英偉達CEO黃仁勛在CES上提到:就存儲而言,這目前是一個完全未被開發的市場,一個從未存在過的市場。黃仁勛認定AI存儲很可能成為全球最大的存儲市場,它將承載全球人工智能的工作記憶。
當前,漲價的核心驅動力來自AI基礎設施的爆發式擴張。AI訓練和推理的需求持續上漲,增長,特別是數據中心對HBM3E及通用服務器DRAM的需求呈指數級增長。江波龍基于采用LPDDR5X技術的SOCAMM產品,結合MRDIMM、LPCAMM2、CAMM2、CXL2.0內存拓展模塊補齊未來產品版圖。佰維則有SATASSD、PCIeSSD、CXL內存及RDIMM內存條,應用于數據中心、通用服務器、AI/ML服務器、云計算、大數據等場景。
美光在接受電子發燒友網的“2026半導體產業展望”專題中提到,由于供應持續緊張,預計2026年全球DRAM與NAND整體出貨增速仍將受限。但總體來看,行業出貨量有望在2025年的基礎上實現約20%的同比增長。在此背景下,美光正積極響應客戶需求,預計公司自身的DRAM與NAND出貨量可實現約20%的增長。
在消費電子領域,AI PC正加速普及,其存儲配置顯著提升,LPDDR5X逐步取代DDR4成為主流,1TB SSD成為中高端機型標配,而高密度、低成本的QLC NAND方案也在快速滲透入門級市場。就在近期,美光推出業界首款面向客戶端計算的 PCIe 5.0 QLC SSD,基于 G9 NAND,順序讀取速率高達 11,000 MB/s,順序寫入速率高達 9,300 MB/s, 4TB 容量。
手機端同樣呈現“雙升”趨勢——據CFM預測,2025年智能手機平均NAND容量將達224GB。DRAM平均容量升至8GB,通過提升單機價值量來攤薄單位存儲成本。
值得注意的是,部分芯片廠商開始“向后兼容”尋求緩沖。業內消息指出,AMD正積極籌備“復活”老款AM4平臺產品。AM4作為其2016年推出的經典CPU接口,基于DDR4內存,支持Ryzen 1000至5000系列處理器,擁有龐大的存量用戶基礎和成熟的主板生態。在當前DDR5內存價格高企的背景下,復用AM4平臺可幫助用戶繼續使用成本較低的DDR4內存,延緩升級壓力,為市場提供一條高性價比的過渡路徑。
小結:
存儲芯片的此輪漲價,將對整個產業鏈帶來新的影響。短期來看,價格高位運行已成定局;中長期而言,唯有通過技術創新、架構優化與供應鏈協同,才能穿越周期波動、尋求破局。
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