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從NOR轉向使用CS SD NAND:為什么必須加入緩存(Cache)機制?

jim ? 來源:雷龍發展 ? 作者:雷龍發展 ? 2025-12-16 17:11 ? 次閱讀
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在傳統使用 NOR Flash 的系統中,工程師通常習慣“隨寫隨存”:寫入數據粒度小,可以隨機寫入,不需要復雜的緩存或寫入管理機制。不過隨著使用場景發生轉變,NOR Flash容量小,單位容量成本高,寫入速度慢等成為瓶頸,很多工程師開始轉向使用CS SD NAND這種NAND Flash產品. 在使用NAND過程中時如果仍然沿用 NOR 的寫法,就容易遇到兩個問題:

1?? 壽命容易折損

2?? 寫入性能不穩定,出現延遲變慢

這些問題背后的根本原因就是:NAND Flash 不同于 NOR Flash,必須配合緩存(Cache/Buffer)來優化寫入策略。

一、根本區別:寫入粒度與擦除粒度完全不同

項目 NOR Flash NAND Flash(SD NAND)
寫入最小粒度 Byte/Word 級 Page(頁)級,通常 2KB~16KB
擦除粒度 Sector(扇區,約4KB) Block(塊),通常包含 64~128 個 Page
壞塊管理 一般不需要 芯片內部已自帶
寫入策略 可隨機寫入 建議先緩存,再合并寫入
是否需要管理算法 通常不需要 芯片內部已有FTL(Flash Translation Layer)

→ 重點:NAND 的最小寫入單位是 Page(NOR是Byte),而擦除單位是 Block,這決定了它必須配合緩存使用。

二、不用緩存的后果:寫入放大(Write Amplification)

假設主機只寫入 200 字節數據(Bytes),這小于 Page 大小,例如SD NAND內部存儲單元的物理 page 為 4K。那么 SD NAND 必須執行:

1.把原始 Page 內容讀取到 RAM

2.在 RAM 中修改那 200 字節

3.將整個 Page(4KB)重新寫回

4.如果要寫回的Block 已寫滿,還需要觸發 Block 搬移與擦除(擦除一個新的Block,

然后將本次修改后的page數據和舊Block中有效page一個一個的寫入新Block中!)(即 Block Copy / Block Merge)

于是就出現了“寫入放大(Write Amplification)”:

主機寫 200 Bytes 數據,NAND Flash 實際卻寫了 4KB 甚至更多。

WA(寫放大倍數)越高 → Flash 壽命消耗越快 → 性能越不穩定。

緩存機制的意義,就是把零碎數據先暫存,再“合并寫入”,減少寫入放大。

而NOR Flash由于寫入最小顆粒度是Byte,直接寫入200字節的數據就好,寫入放大的問題比較輕微。只是寫入耗時 相比 做了緩存的NAND會多很多。

三、寫入放大的影響

1?? 壽命加速折損(P/E Cycle 快速消耗)

NAND Flash 的壽命主要取決于擦寫次數(P/E Cycle)。例如 SLC NAND 一般是 50K~100K 次,如果寫入放大嚴重,實際擦寫次數會遠高于用戶真實寫入次數:

示例:

主機實際寫入 1GB 數據,但 WA=4,

Flash 實際寫入 4GB 數據,相當于壽命減少到 原來的 1/4。

我們在客戶端碰到過一個極端例子,客戶做數據記錄設備,寫入頻次非常高也不做緩存,每次只往SD NAND寫入幾個字節,幾個月以后發現產品壽命出現折損。客戶按照自己的理論值推算,總寫入量只有20~30GB,遠沒有達到產品的總寫入量,我們預估這種場景下的WA至少是100~上千,因此壽命折損相當厲害

2?? 響應延遲和寫入速度變慢

當寫入放大導致頻繁的后臺操作(GC 垃圾回收、Block Merge、Wear-Leveling 磨損均衡),會導致:

寫入性能不穩定

存在明顯的延遲(幾百毫秒甚至更長)

有時主機以為“Flash 卡住了”

這些現象并不是 Flash 性能差,而是沒有緩存 + 沒有合理寫入策略導致的。

具體在使用時會碰到:剛用的時候好好的,用一段時間感覺產品變卡了,響應變慢了也是這個原因。剛開始使用時flash里面都是空白,不太會觸發以上操作,但滿盤寫入幾次之后就開始觸發頻繁的后臺操作,響應明顯變慢。

四、加入緩存的好處:可控、可預測、可優化

是否使用緩存 寫入性能 壽命 響應速度 是否便于調試
未使用 不穩定 快速下降 波動大 難定位問題
使用緩存 穩定 可評估 可預測 可持續優化

? 緩存不僅提升速度,更重要的是讓系統行為變得“可控”和“可維護”。

? 對產品化非常重要。

五、SD NAND 的角色:不僅是 NAND,更是“簡化控制器方案”

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創世CS的 SD NAND已經內置了基礎的 FTL、壞塊管理與控制器邏輯,相比裸 NAND 更容易使用。但即便如此仍然建議:建立寫入緩存(例如 4KB/8KB)

簡言之:SD NAND 已經幫工程師做了一層管理,但它仍然不是 NOR,不建議 “隨寫隨存”。

特別是針對數據記錄和采集設備,醫療記錄設備。都存在ms級別的數據采集,單次數據采集量都非常小(幾個~幾百字節)這種場景,一定要先做緩存再寫入!

六、總結

從 NOR 轉向 NAND(包含所有使用NAND Flash的產品,比如SD NAND, eMMC, SSD等) 時,為什么必須使用緩存?

? NAND 的寫入必須以 Page 為單位、擦除必須以 Block 為單位

? 如果不做緩存,就會出現寫入放大(Write Amplification)

? 寫入放大會導致:

壽命快速折損

寫入性能/響應速度不穩定

系統行為不可預測

采用緩存機制后,既能發揮NAND Flash容量大,價格便宜,寫入速度快的優勢,又得到一個可預測、可調優、可維護,使用壽命長的系統。

親愛的卡友們,歡迎光臨雷龍官網,如果看完文章之后還是有疑惑或不懂的地方,

審核編輯 黃宇

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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