SiC芯片 TO - 220AB介紹

TO - 220AB

*什么是SIC芯片

SiC 芯片是指以碳化硅（SiC）為材料制成的半導體芯片，它是第三代半導體的代表產品之一

基本概述

SiC 芯片的原材料碳化硅是由硅（Si）和碳（C）兩種元素組成的化合物半導體材料。其原子結構穩(wěn)定，每個硅原子與四個碳原子形成共價鍵結合，碳原子也同樣與四個硅原子結合，形成類似金剛石的四面體結構。

性能優(yōu)勢：

SiC 的禁帶寬度是硅的 3 倍，這使得 SiC 器件能在更高溫度下穩(wěn)定工作，實際受封裝限制，目前可達 200℃以上。SiC 的擊穿電場強度是硅的 10 倍，導熱率為硅的 4-5 倍，電子飽和漂移速率為硅的 2-3 倍。

例如：SiC 肖特基勢壘二極管（SBD）——與傳統(tǒng)硅快恢復二極管（FRD）相比，SiC SBD 沒有反向恢復電流，能顯著降低開關損耗，其耐壓可達 600V 以上。

SiC 芯片中TO - 220AB有什么不同？

TO - 220AB 指的是采用TO - 220AB 封裝形式的碳化硅芯片，其中 TO - 220AB 是功率器件領域常用的標準通孔封裝，常應用于 SiC MOSFET 等碳化硅功率器件，適配中高功率場景的安裝與散熱需求

TO - 220AB封裝的核心特性是什么呢？

結構與安裝

該封裝通常為 3 引腳設計，采用塑料外殼，適配通孔安裝方式。其顯著優(yōu)勢是具備絕緣底板，可直接固定在散熱器上，無需額外絕緣墊片，既簡化了組裝流程，又能減少熱量傳遞過程中的損耗，提升熱管理效率。典型尺寸約為 8.24×10.5×4.7mm，機械強度較高，能適應多種工作環(huán)境。

散熱與承載能力

熱性能表現(xiàn)優(yōu)異，結到外殼的熱阻典型值約 3°C/W，可高效導出碳化硅芯片工作時產生的熱量，適配 SiC 器件高功率密度的特性。同時它能承載較大電流，像部分采用該封裝的 SiC 器件連續(xù)漏極電流可達 29A，脈沖電流能達到 72A，滿足中高功率場景的電流需求。

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審核編輯 黃宇