2024年9月，是德科技發(fā)布了全新硬件14bit ADC的臺(tái)式示波器，它采用了UXR示波器的超低底噪前端技術(shù)，將示波器的噪聲水平大幅度降低。基于14bit ADC和低噪聲模擬前端技術(shù)，HD3示波器的底噪低至50uV以下，只有同類產(chǎn)品一半甚至更低，可以幫助工程師朋友們輕松應(yīng)對(duì)超低紋波、小信號(hào)、低功耗等嚴(yán)苛的測(cè)試需求。

2025年3月，是德科技發(fā)布了PS000xA系列全新的光隔離探頭產(chǎn)品，專為提升寬禁帶半導(dǎo)體如SiC、GaN等快速開關(guān)器件的測(cè)試效率和準(zhǔn)確性。PS000xA系列探頭提供最大1GHz帶寬和±2500V的耐壓。這些探頭適用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器等領(lǐng)域，特別是在驗(yàn)證半橋和全橋架構(gòu)時(shí)，能夠測(cè)量高共模電壓下的微小差分信號(hào)。

當(dāng)用戶進(jìn)行開關(guān)電源上管Vgs驅(qū)動(dòng)信號(hào)測(cè)試時(shí)，傳統(tǒng)的高壓差分探頭受制于較低的共模抑制比，較小的差分Vgs信號(hào)（一般2-15V以內(nèi)）很容易受到較大共模電壓（一般數(shù)百-數(shù)千V）影響。同時(shí)我們并不能用適合2-15V電壓范圍的差分探頭進(jìn)行測(cè)試，因?yàn)樗鼈兊墓材Ｄ蛪阂彩峭瑯铀?，一般需要用等同共模電壓的差分探頭進(jìn)行測(cè)試，這也給測(cè)試帶來了很多額外噪聲，而光隔離探頭完美的解決了這些問題。

那如果用超低底噪的HD3示波器，配合高共模抑制比的光隔離探頭，會(huì)有什么不一樣的效果？

雙脈沖上管測(cè)試

開關(guān)器件的性能，往往通過下管測(cè)試進(jìn)行評(píng)估。針對(duì)功率器件開關(guān)損耗測(cè)試，電源工程師朋友都會(huì)覺得利用示波器準(zhǔn)確的計(jì)算規(guī)定時(shí)間內(nèi)的積分非常麻煩。利用HD3示波器的“光標(biāo)跟蹤測(cè)量”和“基于光標(biāo)的計(jì)算”功能可以輕松實(shí)現(xiàn)開啟和關(guān)斷功耗的測(cè)試。

雙脈沖下管測(cè)試及損耗分析

除了更便于MOSFET損耗測(cè)試外，HD3基于其14bit ADC，超低的底噪以及高達(dá)100Mpts的存儲(chǔ)深度，深受電源工程師的喜愛。小編給大家總結(jié)了HD3示波器針對(duì)電源行業(yè)的幾大優(yōu)勢(shì)：

簡(jiǎn)化MOSFET開關(guān)損耗測(cè)試

高精度邊沿電壓觸發(fā)對(duì)測(cè)試Vds peak電壓非常有幫助

業(yè)界領(lǐng)先的紋波測(cè)量精度（低至50uV的底噪，特別是配合N7020A電源完整性探頭）

高精度PSRR & Bode圖測(cè)試

優(yōu)異FFT噪聲底

更高的觸發(fā)靈敏度–HD3觸發(fā)靈敏度可達(dá)0.01格（其他示波器通常為0.6格）

更強(qiáng)的抗噪能力 – HD3采用數(shù)字觸發(fā)，相較于模擬觸發(fā)示波器，在高壓大功率環(huán)境下的抗噪能力更強(qiáng)，有效減少誤觸發(fā)。

支持光隔離探頭，提供更具性價(jià)比的寬禁帶器件測(cè)試方案

基于14bit ADC，更適合于GaN MOSFET動(dòng)態(tài)電阻的測(cè)試

更深存儲(chǔ)深度–高達(dá)100Mpts