電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）近日，在華邦電子與恩智浦聯(lián)合技術(shù)論壇（深圳站）同期舉行的媒體溝通會(huì)上，華邦電子產(chǎn)品總監(jiān)朱迪就華邦電子目前的產(chǎn)品布局、技術(shù)突破，以及當(dāng)前存儲(chǔ)行業(yè)備受關(guān)注的供需情況與市場(chǎng)趨勢(shì)等話題，與包括電子發(fā)燒友在內(nèi)的多家媒體進(jìn)行了深入交流，展現(xiàn)了華邦電子在存儲(chǔ)領(lǐng)域的獨(dú)特發(fā)展路徑與強(qiáng)大實(shí)力。

產(chǎn)品布局：聚焦存儲(chǔ)，深耕利基市場(chǎng)

朱迪介紹道，芯片行業(yè)主要分為邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片兩大類(lèi)，華邦電子專(zhuān)注于存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，即Memory。而Memory又細(xì)分為DRAM和Flash兩大方向。華邦電子是行業(yè)內(nèi)少數(shù)同時(shí)布局Flash和DRAM兩類(lèi)產(chǎn)品的廠商之一。與三星、美光、海力士等聚焦高容量產(chǎn)品的廠商不同，華邦電子長(zhǎng)期側(cè)重于中小容量的利基型產(chǎn)品。

在DRAM產(chǎn)品方面，華邦電子將名稱(chēng)更新為客制化內(nèi)存解決方案CMS（Customized Memory Solution）。朱迪表示，隨著整個(gè)行業(yè)向AI轉(zhuǎn)型，以往標(biāo)準(zhǔn)化的DRAM產(chǎn)品，如DDR2、DDR3、DDR4乃至DDR5，都是遵循國(guó)際規(guī)范的迭代標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，強(qiáng)調(diào)統(tǒng)一規(guī)格。但在AI場(chǎng)景下，無(wú)論是云端、服務(wù)器，還是端側(cè)、邊緣側(cè)，都對(duì)存儲(chǔ)提出了更多個(gè)性化需求，像低功耗、高帶寬、更多IO接口等，這些都與傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)DRAM不同。因此，華邦電子順應(yīng)趨勢(shì)，轉(zhuǎn)向客制化與半客制化產(chǎn)品，以滿(mǎn)足端側(cè)AI的新需求。

不過(guò)，這并不意味著華邦電子放棄標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品。朱迪強(qiáng)調(diào)，特別是在今年市場(chǎng)緊缺的情況下，DDR3/DDR4供不應(yīng)求。隨著大廠將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DDR5、LPDDR5及HBM，反而為華邦電子在DDR3/DDR4、LPDDR4等傳統(tǒng)產(chǎn)品上帶來(lái)了新的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。所以，華邦電子既持續(xù)供應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品，也布局面向未來(lái)的客制化與半客制化存儲(chǔ)。

目前，華邦電子的DRAM產(chǎn)品主要包括迭代的標(biāo)準(zhǔn)DRAM，如DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR4；面向中小容量、端側(cè)AI的HYPERRAM；以及半客制化產(chǎn)品CUBE與CUBE Lite，它們具有高帶寬、低功耗、適度容量等特點(diǎn)，與HBM的大容量定位有所區(qū)隔。

在Flash產(chǎn)品方面，華邦電子聚焦NOR Flash（主要用于代碼存儲(chǔ)）及SLC NAND，這兩條都是華邦電子的核心產(chǎn)品線。朱迪指出，目前華邦電子NOR Flash市場(chǎng)占有率全球第一，SLC NAND同樣表現(xiàn)穩(wěn)健。與行業(yè)中一些大廠集中生產(chǎn)TLC、QLC等大容量或3D堆疊產(chǎn)品不同，對(duì)于代碼存儲(chǔ)而言，SLC的容量已經(jīng)足夠，華邦電子可以覆蓋從512Kb到8Gb的容量區(qū)間，同時(shí)產(chǎn)品成熟、穩(wěn)定、性?xún)r(jià)比高。此外，華邦電子還布局了安全閃存（Secure Flash），在萬(wàn)物互聯(lián)背景下，設(shè)備安全、供應(yīng)鏈安全愈發(fā)重要，安全閃存在車(chē)規(guī)、服務(wù)器、供應(yīng)鏈安全中已有不錯(cuò)的應(yīng)用基礎(chǔ)。

技術(shù)創(chuàng)新，突破高帶寬與低功耗并存難題

除了豐富的產(chǎn)品線，華邦電子在技術(shù)突破方面也成果顯著。朱迪強(qiáng)調(diào)，華邦電子作為IDM廠商，核心競(jìng)爭(zhēng)力還包括強(qiáng)大的制造能力——華邦電子擁有兩座自有晶圓廠。制程演進(jìn)對(duì)于DRAM、Flash都至關(guān)重要：制程越先進(jìn)，單位wafer的產(chǎn)出（即bit density）越高、功耗越低、成本越優(yōu)。

目前，華邦電子的DRAM已推進(jìn)至16nm。在中小容量DRAM領(lǐng)域，這是非常領(lǐng)先的技術(shù)節(jié)點(diǎn)。NOR Flash制程也從90nm、58nm演進(jìn)至已量產(chǎn)的45nm，SLC NAND從46nm推進(jìn)至32nm，并于今年量產(chǎn)24nm，均處于行業(yè)先進(jìn)水平。隨著DRAM、NOR Flash、SLC NAND多條產(chǎn)品線持續(xù)推進(jìn)先進(jìn)制程，即使在整體需求旺盛、短期投片量無(wú)法增加的情況下，華邦電子仍可通過(guò)提高單位wafer的產(chǎn)出量來(lái)擴(kuò)大出貨，以滿(mǎn)足客戶(hù)需求。

以端側(cè)AI設(shè)備為例，朱迪詳細(xì)介紹了CUBE產(chǎn)品的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。在端側(cè)AI場(chǎng)景中，模型訓(xùn)練后不斷小型化、推理效率提升，使得模型有機(jī)會(huì)部署到邊緣與終端設(shè)備。但端側(cè)加入AI后，模型參數(shù)傳輸與運(yùn)算需要更高帶寬，同時(shí)對(duì)功耗極為敏感，因?yàn)槎藗?cè)一般是電池供電，需要“高帶寬 + 超低功耗”。然而，端側(cè)AI的容量需求并沒(méi)有成比例增加，常見(jiàn)為1GB、2GB，與傳統(tǒng)DDR3/DDR4相近，帶寬需求卻提升數(shù)倍。這正是華邦電子推出CUBE類(lèi)產(chǎn)品的原因。

CUBE通過(guò)增加大量的IO來(lái)提升帶寬，不需要提高單條線的頻率，從而同時(shí)實(shí)現(xiàn)高帶寬與低功耗。朱迪形象地比喻道，這就像一條高速公路，通過(guò)增加車(chē)道數(shù)量來(lái)提高運(yùn)輸能力，使單車(chē)道的車(chē)子不需要跑得很快，從而降低功耗，同時(shí)整體運(yùn)輸能力大幅提升。實(shí)際上，CUBE的IO數(shù)量遠(yuǎn)不止16個(gè)、32個(gè)，而是512個(gè)、1024個(gè)，甚至是1k、2k個(gè)IO。與HBM類(lèi)似，CUBE接口數(shù)量眾多，不是常規(guī)封裝能夠覆蓋的，而是需要通過(guò)SoC芯片內(nèi)部的芯片級(jí)堆疊，2.5D、3D先進(jìn)封裝的方式才能夠?qū)崿F(xiàn)。

在散熱方面，華邦電子也有獨(dú)特的設(shè)計(jì)。CUBE采用CUBE在下，SoC在上的結(jié)構(gòu)。因?yàn)闊崃恐饕獊?lái)源于SoC，它是功耗最大的部分，這種結(jié)構(gòu)可以較容易地在SoC位置加裝散熱片。信號(hào)通過(guò)硅通孔（TSV）傳導(dǎo)至基板（substrate），成本較低。因?yàn)槟苡玫紺UBE類(lèi)產(chǎn)品的SoC，通常也是先進(jìn)制程的，如果在SoC上直接打TSV會(huì)非常昂貴。

市場(chǎng)洞察，存儲(chǔ)行業(yè)緊張情況仍將繼續(xù)

在談到存儲(chǔ)行業(yè)的市場(chǎng)供需和價(jià)格趨勢(shì)時(shí)，朱迪表示，今年市場(chǎng)變化明顯。AI的發(fā)展推動(dòng)三大巨頭集中去做HBM、DDR5、LPDDR5，剩下的DDR4、DDR3市場(chǎng)出現(xiàn)了明顯缺口。缺貨漲價(jià)是最主要的原因，因?yàn)橐磺杏葾I驅(qū)動(dòng)。無(wú)論是互聯(lián)網(wǎng)巨頭、云服務(wù)商，還是像英偉達(dá)這樣做顯卡芯片算力的巨頭，都在全力投入AI。整個(gè)行業(yè)內(nèi)不光是存儲(chǔ)，還有很多上下游的產(chǎn)業(yè)資源都被AI吸走，在存儲(chǔ)上表現(xiàn)得更為明顯。

過(guò)去幾年AI一直在虧錢(qián)，存儲(chǔ)行業(yè)本身也是一個(gè)重周期的行業(yè)，再加上AI的井噴，三大家順勢(shì)把產(chǎn)能挪過(guò)去做HBM。與此同時(shí)，在服務(wù)器和手機(jī)市場(chǎng)上，過(guò)去兩三年也一直在轉(zhuǎn)型，從DDR4轉(zhuǎn)到DDR5，從LPDDR4轉(zhuǎn)到LPDDR5。尤其在今年四五月份，他們開(kāi)始不約而同地發(fā)出DDR4和LPDDR4的停產(chǎn)通知，帶著很多客戶(hù)轉(zhuǎn)到DDR5和LPDDR5，有限的DDR4和LPDDR4產(chǎn)能還要留給核心客戶(hù)實(shí)現(xiàn)過(guò)渡。所以市面上，尤其是一些不那么主流的中小客戶(hù)，在PC和手機(jī)以外的其他應(yīng)用領(lǐng)域明顯感覺(jué)到DDR4和LPDDR4非常緊缺，價(jià)格甚至出現(xiàn)“倒掛”。

朱迪認(rèn)為，這一波市場(chǎng)變化與過(guò)去幾年不同，是一個(gè)結(jié)構(gòu)性的變化。目前來(lái)看，存儲(chǔ)行業(yè)將分為兩個(gè)世界，一個(gè)是以DDR5、LPDDR5、HBM為代表的高容量市場(chǎng)，由三大廠和國(guó)內(nèi)長(zhǎng)鑫（3 + 1）主導(dǎo)，為高算力應(yīng)用服務(wù)；另一個(gè)是以DDR4、LPDDR4以及DDR3 specialty為代表的市場(chǎng)，供應(yīng)越來(lái)越少。過(guò)去，三大廠還有每月幾十萬(wàn)片DDR4、LPDDR4的產(chǎn)能，今年砍掉一半，明年可能幾乎全部消失。這部分市場(chǎng)空缺很大，即便有一些應(yīng)用或客戶(hù)能夠過(guò)渡到DDR5/LPDDR5，但還有更多客戶(hù)或應(yīng)用仍會(huì)采用DDR4/LPDDR4，且沒(méi)有對(duì)應(yīng)的替代產(chǎn)品可用。所以在這一市場(chǎng)上，雖然現(xiàn)在價(jià)格已倒掛，但供應(yīng)緊張的趨勢(shì)預(yù)計(jì)會(huì)持續(xù)相當(dāng)長(zhǎng)時(shí)間，并可能維持高位。

對(duì)于未來(lái)的市場(chǎng)走向，朱迪判斷兩個(gè)市場(chǎng)的鴻溝已經(jīng)越拉越大。三大家把產(chǎn)能轉(zhuǎn)去做高容量產(chǎn)品后，產(chǎn)線已經(jīng)拆除，很難再回頭。這種結(jié)構(gòu)性的變化表現(xiàn)為，過(guò)去大家習(xí)慣使用便宜的存儲(chǔ)，很多整機(jī)價(jià)格都被壓得很低，其中一部分成本就是靠低價(jià)存儲(chǔ)支撐。到今年，手機(jī)內(nèi)存條和一些嵌入式設(shè)備用的存儲(chǔ)價(jià)格都出現(xiàn)大幅上漲。對(duì)于一些競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)，廠商被迫提高售價(jià)，因?yàn)槌杀竞蛢r(jià)格已經(jīng)很接近，難以繼續(xù)吸收。隨著存儲(chǔ)成本上升，可能繼續(xù)帶來(lái)行業(yè)格局和市場(chǎng)變化。不過(guò)，短期內(nèi)市場(chǎng)緊張情況還會(huì)持續(xù)，至少還有兩三個(gè)季度，也許不會(huì)像今年的Q3、Q4大幅度、翻倍式的上漲，可能變成小幅的漲幅。

聚焦邊緣AI，持續(xù)推進(jìn)制程演進(jìn)和產(chǎn)品迭代

當(dāng)被問(wèn)到華邦電子為何定位在中小容量、低功耗的邊緣市場(chǎng)，而不考慮進(jìn)入AI服務(wù)器等市場(chǎng)時(shí)，朱迪解釋道，從行業(yè)生態(tài)來(lái)看，各廠商會(huì)根據(jù)自身能力選擇市場(chǎng)定位。三星、美光、海力士三大廠商的產(chǎn)能巨大，足以覆蓋PC、服務(wù)器、手機(jī)等高容量市場(chǎng)。

反之，中低容量、少量多樣、規(guī)格多樣化的利基型市場(chǎng)正好與華邦電子兩座晶圓廠的產(chǎn)能規(guī)模完全匹配。而且這個(gè)市場(chǎng)特點(diǎn)是少量多樣，應(yīng)用五花八門(mén)，所需要的存儲(chǔ)規(guī)格也相對(duì)分散。三大家巨頭如此之大的產(chǎn)能一定要放在PC、服務(wù)器、手機(jī)這樣的巨量市場(chǎng)，才足以消化，分散市場(chǎng)對(duì)其意義不大。華邦電子更聚焦做一些差異化產(chǎn)品，這個(gè)差異化也是與時(shí)俱進(jìn)的。隨著傳統(tǒng)大容量市場(chǎng)在變化，以前傳統(tǒng)的大容量產(chǎn)品可能變成中容量，中容量變成小容量，華邦電子正好可以順勢(shì)承接這些市場(chǎng)。

對(duì)于未來(lái)的產(chǎn)能規(guī)劃，朱迪透露，在2024、2025、2026這三年，華邦電子產(chǎn)能沒(méi)有大的變化，甚至稍微有一點(diǎn)降低。由于過(guò)去DRAM盈利效果并不理想，從2024年到2025年，華邦電子把一部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)去做Flash產(chǎn)品。此次DRAM雖然價(jià)格漲高，但只是市場(chǎng)行為，并不足以支撐長(zhǎng)期生存下去。但是DDR4、LPDDR4的供應(yīng)缺口將一直存在，為此華邦電子在今年10月正式宣布一個(gè)投資近400億新臺(tái)幣的新擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，主要用于增加DDR4和LPDDR4的產(chǎn)能，希望能夠給市場(chǎng)提供更多供應(yīng)。

在DDR5的布局方面，朱迪表示目前還不好判斷。以DRAM產(chǎn)品線來(lái)講，華邦電子會(huì)有兩個(gè)方向：一個(gè)是制程繼續(xù)演進(jìn)，從25nm、20nm到16nm，同時(shí)在16nm這一代最新的制程上推出一些新的高容量產(chǎn)品，比如像8Gb的LPDDR4今年已經(jīng)量產(chǎn)，每個(gè)月出貨量已達(dá)到百萬(wàn)級(jí)；8Gb的DDR4樣片已完成，客戶(hù)正積極導(dǎo)入。明年可能會(huì)推出16Gb，也就是2GB的DDR4產(chǎn)品，華邦電子仍在積極努力，填補(bǔ)市場(chǎng)空缺。