FHA40T65A作為一款場N溝道溝槽柵截止型IGBT單管，采用TO-3PN封裝，使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通過優化工藝，來獲得極低的 VCEsat 飽和壓降，并在導通損耗和關斷損耗（Eoff）之間做出來良好的權衡。

不僅廣泛用于高頻車載正玄波AC220V逆變器、光伏逆變器等逆變器電路，而且還可用于戶外儲能電源、UPS、變頻器、電焊機和工業縫紉機等各類硬開關。

該IGBT單管不僅能代換仙童FGH40N60SFD型號使用，而且產品具備良好的短路性能，為電機驅動領域處理突發事件提供充足的裕量。

FHA40T65A在上述電路設計中的特點

1、高電壓電流適配能力：650V的集電極-發射極電壓（VCES）與80A連續集電極電流（IC@Tc=25℃），適用于高頻逆變器、UPS、電焊機及中高開關頻率變頻器等硬開關應用。

2、低飽和壓降，高能效表現：VCEsat典型值低至1.51V@IC=40A, Tj=25℃，最大不超過1.85V，有效降低導通損耗，提升系統效率。

3、優良的開關性能：總開關損耗（Ets）典型值為1.7mJ@25℃，結合低柵極電荷（Qg=110nC） 與短拖尾電流，適用于中高頻開關拓撲。

4、高可靠性設計：

內置快恢復二極管，反向恢復時間（trr）低至97ns@IF=20A；

具備正溫度系數，支持多管并聯；

短路耐受時間達3μs，系統魯棒性強；

符合RoHS標準，工作結溫范圍-55℃至+175℃。

FHA40T65A核心參數的匹配適用

該器件為溝槽柵場截止型IGBT單管，主要參數如下：

集電極-發射極電壓（VCES）：650 V

連續集電極電流（IC）：40A（Tc=100℃）

飽和壓降（VCEsat）：1.51 V（Tj=25℃）

總開關損耗（Etotal）：1.7 mJ（Tc=25℃）

結到殼熱阻（Rth(j-c)）：0.5 °C/W

總柵極電荷（Qg）：110 nC

封裝形式：TO-3PN

FHA40T65A是一款性能全面、封裝適用廣的IGBT單管，特別適用于高頻車載正玄波AC220V逆變器、光伏逆變器、儲能電源、UPS、變頻器、電焊機和工業縫紉機等各類硬開關。飛虹半導體作為國內功率器件重要供應商，不僅提供各類型IGBT單管、IGBT單管、三極管等標準型號，還支持定制化需求，并已實現與多家廠商的穩定合作。